研究課題
基盤研究(A)
本研究では、液晶物質の有機半導体材料としてデバイスへの応用展開を図るための基盤の構築を目的として、以下に述べる検討課題を掲げ、実験、及び、理論的な基盤に基づく解析を通じて、実証的にその答えを得るために研究を実施した。(1)分子配向と化学構造はどのように移動度に影響を与えるのか?(2)液晶性物質の電荷輸送特性はどのような物理的基盤に立って理解できるか?(3)移動度の理論的、及び、実際的な限界はどこにあるのか?(4)高い移動度、および、デバイスへ応用するために実用上必要な特性をもつ材料の設計指針は何か?(5)電極界面の特性はどのように理解し、制御できるのか?その結果、棒状および円盤状液晶の液晶相における電荷輸送特性について、棒状液晶では基本的に移動度は層内の分子の分子配向の秩序化に伴う分子間距離の縮小、円盤状液晶の場合ではカラム内の分子の配向揺らぎによって支配されること、化学構造との相関については最終的な結論を得るにはデータの蓄積がまだ十分ではないが、液晶分子のπ-電子共役系のサイズ、ダイポールの大きさにより影響が見られること、電荷輸送特性は基本的に40〜60meV程度の狭い分布幅を持つガウス型に分布した局在準位間での1次元、2次元のホッピング伝導によって記述でき、これから液晶相における最高到達移動度は0.1〜1cm^2/Vsと見積もられること、電極界面の電気特性は基本的に固体系の特性と類似しておりSchottky型の注入障壁によって律速され、電極表面の化学修飾によってある程度制御可能であること、また、液晶相における分子配向を利用することにより多結晶薄膜の作製の際に粒界の形成方向を制御でき、TFTなどのデバイス作製に有効であること等を明らかにした。詳細は報告書に詳しい。
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J.Phys.Chem. B111
ページ: 12041-12041
130004589548
J.Appl.Phys 101
ページ: 24505-24505
J.Appl.Phys 102
ページ: 83711-83711
ページ: 93718-93718
日本写真学会誌 70
ページ: 38-38
ページ: 96-96
J. Phys. Chem. B 111
J. Appl. Phys. 101
J. Appi. Phys. 102
J. App!. Phys. 102
J Photogr. Sci. Tech. 70(in Japanese)
J. Photogr. Sci. Tech. 70(in Japanese)
J. Appl. Phys 101
ページ: 38-43
10018577301
Jpn.J.Appl.Phys 45
ページ: 430-430
Chem.Lett. 35
ページ: 1194-1194
10018323681
210000062034
J.Appl.Phys. 100
ページ: 43716-43716
Int.J.Photo. 18482
ページ: 1-1
日本写真学会誌 69
ページ: 42-42
10020531650
Chem. Lett. 35
Jpn. J. Appl. Phys. 45
J. Appi. Phys. 100
Int. J. Photo. 18482
J. Photogr. Sci. Tech. 69(in Japanese)
Chem. Lett 35
ページ: 1194-1195
J. Appl. Phys 100
ページ: 43716-43719
ページ: 42-47
応用物理 75
ページ: 843-851
Adv.Mat. 17
ページ: 594-594
Mol.Cryst.Liq.Cryst. 436
ページ: 225-225
J.Phys.Chem.B 109
ページ: 22120-22125
Phys.Rev.B 72
ページ: 193203-193203
Jpn.J.Appl.Phys 44
ページ: 3764-3764
10016440821
Opto-Electronics Review 13
ページ: 295-295
ページ: 259-259
日本写真学会誌 68
ページ: 390-390
10018280062
J.Chem.Phys. 123
ページ: 244701-244701
ページ: 1179-1179
Appl.Phys.Lett 87
ページ: 192105-192105
Appl.Phys.Lett. 87
ページ: 132102-132102
Jpn.J.Appl.Phys. 44
10016856595
ページ: 9226-9226
ページ: 1171-1171
Adv. Mater. 17
Phys. Rev. B 72
J. Phys. Chem. B 109
App!. Phys. Lett. 87
J. Chem. Phys. 123
Jpn. J. App!. Phys. 44
Mol. Cryst. Liq. Cryst. 436
J Photogr. Sci. Tech. 68(in Japanese)
ページ: 2212-2212
Jpn.J.Appl.Phys 68
APPl.Phys.Lett. 87
Appl.Phys.Lett. 85
ページ: 5251-5251
Chem.Phys.Lett. 397
ページ: 319-319
Jpn.J.appl Pjys. 43
10012930434
Mol.Cryst.Liq.Cryst. 409
ページ: 493-493
Mol.Cryst.Liq.Cryst. 410
ページ: 529-529
Mol.Cryst.Liq.Cryst. 411
ページ: 1307-1307
App!. Phys. Lett. 85
Chern. Phys. Lett. 397
Jpn. J. Appl. Phys. 43
Mol. Cryst. Liq. Cryst. 409
Mo!. Cryst. Liq. Cryst. 410
Mol. Cryst. Liq. Cryst. 411
Appl. Phys, Lett., 85
ページ: 5251-5253
Chem. Phys, Lett. 397
ページ: 319-323
Mol. Cryst, Liq Cryst. 410
ページ: 429-540
Mol. Cryst, Liq Cryst. 409
ページ: 493-504
Mol. Cryst, Liq Cryst. 411
ページ: 265-272
有機合成化学協会誌 62
ページ: 799-810
10013430606