| 配分額 *注記 |
47,970千円 (直接経費: 36,900千円、間接経費: 11,070千円)
2006年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
2005年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2004年度: 26,910千円 (直接経費: 20,700千円、間接経費: 6,210千円)
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| 研究概要 |
1.超高圧高温合成装置の製作
現有の6面体加圧キュービックアンビルを改良し,2段押し加圧装置を製作した。これにより20GPa,2000℃の超高圧合成が可能となった。
2.シリコンナノネットワークを有する新規超伝導体の開発
当研究者らが先に見いだしだグラスレート超伝導体Ba_8Si_<46>は超高圧下では,シリコンがよりリッチなBaSi_6に構造転移することを見いだした。La-Si2元系においても,新たにシリコンリッチな超高圧相LaSi_5を見いだし,Tc=11Kの超伝導体となることを明らかにした。
3.炭素クラスレートの高圧合成
炭素クラスレートの合成を目指して,2種類の結晶性3次元C_<60>ポリマーの超高圧力合成に成功し、構造を明らかにすると共に,電気伝導度、マイクロビッカース硬度の測定を行った。
4.新規層状窒化物超伝導体の開発
Zr_5N_5F_6およびHf_5N_5F_6を合成し,単結晶の高圧フラックス育成を行った。単結晶構造解析により,これらのフッ化物はLaOF型層状構造を基本として、長周期構造を有することを明らかにした。この生成には,酸素の混入が不可欠で、実際の化学組成はZr_5(N_4O)F_6に近いことを示した。この結晶の層間からフッ素原子を一部デインターカレーションすることにより,Tc=4.5Kの超伝導体に変化することを見いだした。
5.窒化物超伝導体薄膜の合成
RF窒素ラジカル源を装備したPLDおよびMBEによりモリブデン窒化物の薄膜合成を行い,バルク体でも合成例の少ないβ-Mo_2N(正方晶)の結晶性配向膜の合成に成功し,Tc=5.2Kの超伝導体となることを見出した.
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