| 研究課題/領域番号 |
16206036
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
斗内 政吉 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 教授 (40207593)
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| 研究分担者 |
村上 博成 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 助教授 (30219901)
川山 厳 (川山 巌) 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 助手 (10332264)
藤原 康文 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10181421)
川瀬 晃道 名古屋, 大学院・工学研究科, 教授 (00296013)
二川 清 NECエレクトロニクス(株), 評価技術開発事業部, シニア解析技術開発プロフェッショナル
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| 研究期間 (年度) |
2004 – 2006
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| 研究課題ステータス |
完了 (2006年度)
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| 配分額 *注記 |
50,570千円 (直接経費: 38,900千円、間接経費: 11,670千円)
2006年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2005年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2004年度: 33,670千円 (直接経費: 25,900千円、間接経費: 7,770千円)
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| キーワード | フェムト秒レーザー / テラヘルツ電磁波 / テラヘルツ放射顕微鏡 / LSI不良解析 / 故障箇所絞込み / MOSFET / Test Element Group / 非破壊・非接触検査 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、フェムト秒レーザー励起により、半導体などの様々な電子材料からテラヘルツ電磁波が放射されることを利用した顕微鏡(テラヘルツ放射顕微鏡LTEM)のプロトタイプを開発し、顕微鏡としての性能を明らかにすると共に、半導体集積回路テスティング技術などへの応用の可能性を探ることとする。課題として、1)LTEMの設計・試作、2)LTEMの評価と改良、3)LTEMによる電子材料・電子デバイスの観測と応用などに取組んだ。
ここでは、空間結合型と走査プローブ型の2種のLTEM基本形に対し、それぞれ透過型と反射型んp装置を開発した。評価用に作製したラインアンドスペースを用いて、空間結合型の分可能2〓m以上、走査プローブ型の分解能1.5〓m以上を得た。
応用例として、強誘電体における強誘電ドメインの観測に取組んだ。試料に用いたBiFeO3薄膜からのテラヘルツ電磁波放射を初めて観測すると共に、その強誘電ドメインイメージングに成功した。次いで、半導体演算増幅回器の観測を試み、特定の信号線における信号伝達時のテラヘルツ放射の様子をイメージングすることに成功した。また、8-bit microprocessor (MOS Technology 6502)を無バイアスで観測すると共に、LSI評価用に作製されたテストサンプル(MOSFETが埋め込まれたTest Element Group (TEG))について、観測し、一部の回路においてFIBを用いて断線させた不良品については、断線回路のイメージング抽出に成功した。即ち、無バイアス・非接触でのMOSFET不良解析に応用できる可能性を見出した。
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