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シリコン中のドナーレベルを用いた単一電子操作

研究課題

研究課題/領域番号 16206038
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

研究代表者

小野 行徳  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (80374073)

研究分担者 高橋 庸夫  北海道大学, 大学院情報科学研究科, 教授 (90374610)
猪川 洋  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757)
藤原 聡  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主幹研究員 (70393759)
西口 克彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究主任 (00393760)
研究期間 (年度) 2004 – 2007
研究課題ステータス 完了 (2007年度)
配分額 *注記
48,100千円 (直接経費: 37,000千円、間接経費: 11,100千円)
2007年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2006年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2005年度: 23,530千円 (直接経費: 18,100千円、間接経費: 5,430千円)
2004年度: 22,880千円 (直接経費: 17,600千円、間接経費: 5,280千円)
キーワード電子デバイス・機器 / マイクロナノデバイス / 少数電子デバイス / 単一ドーパント / ドーパントエンジニアリング / ドナー / 単一電子 / ドーパント / アクセプタ / 単電子ターンスタイル
研究概要

近年、半導体の微細加工技術の発展により、微小領域に閉じこめられた電子の帯電エネルギーを利用した単一電子の操作技術が注目されている。同技術は、いわゆる人工原子(artificial atom)や人工分子(artificial molecule)を利用するものであり、その応用分野は、集積回路、センサー、電気計測分野の標準器、レーザー、量子コンピュータ等非常に広い。我々のゴールは、人工原子ではなく、半導体中の「真の原子」(true atom)を用いた、まったく新しい単一電子操作技術を確立することにある。本申請に関する研究は上記ゴールを目指した第一ステップであり、「真の原子」としてはシリコン中に導入されたドナーを用いる。特に、単一ドナーの検出と、単一ドナー電子の捕獲放出手法の確立を目指す。
これまでの膨大なドーパントに関する技術蓄積と応用上の波及効果を考えると、単一ドナーの制御はシリコンを用いて行うことが望ましい。本研究では、ドーパントとしてシリコン中での挙動が古くからよく研究されているリン、ボロンを主に取り上げた。チャネル中にドーパント(リンまたはボロン)を多量に含むマクロなサイズのMOSトランジスタのフリーズアウト状態からの強電界下でのイオン化現象を調べ、電界による荷電制御が可能であることを示した。また、ナノトランジスタにおいて、単一のボロンの検出に成功した。これらの結果は、本研究課題の主要目的であり、したがって、本研究の目的は達成されたと考えて良い。

報告書

(5件)
  • 2007 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2006 実績報告書
  • 2005 実績報告書
  • 2004 実績報告書
  • 研究成果

    (204件)

すべて 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 (104件) (うち査読あり 47件) 学会発表 (97件) 図書 (1件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem.Solids 69

      ページ: 702-707

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot2008

    • 著者名/発表者名
      H.W.Liu
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 77

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008

    • 著者名/発表者名
      A.Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 92

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 雑誌名

      J. Phys. Chem. Solids 69

      ページ: 702-707

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot2008

    • 著者名/発表者名
      H. W. Liu
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 77

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 92

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 92

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Silicon single-charge transfer devices2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi, and H. Inokawa
    • 雑誌名

      J. Phys. Chem. Solids 69

      ページ: 702-707

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot2008

    • 著者名/発表者名
      H. W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Takashina, and Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 77

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 92

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2008

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 92

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge offset stability in tunable-barrier Si single-electron tunneling devices2007

    • 著者名/発表者名
      Neil M.Zimmerman
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.90,No.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node2007

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      EEE Electron Device Letters Vol.28,No.1

      ページ: 48-50

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters vol.90 No.10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M.A.H.Khalafalla
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      D.Moraru
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 76

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anomalous resistance ridges along filling factor 〓=4i2007

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Letts. 99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Infrared detection with silicon nano field-effect transistor2007

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguch
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 90

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2007

    • 著者名/発表者名
      W.C.Zhang
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron. E-90C

      ページ: 943-948

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-Temperature Characteristics of Ambipolar SiO_2/Si/SiO_2 Hall-Bar Devices2007

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 46

      ページ: 2596-2598

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of UV/Ozone Treatment on Nanogap Electrodes for Molecular Devices2007

    • 著者名/発表者名
      T.Goto
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 46

      ページ: 1731-1733

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of space-energy correlation on variable-range hopping in transistors2007

    • 著者名/発表者名
      J.-F.Morizur
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Letts. 98

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge offset stability in tunable-barrier Si single-electron tunneling devices2007

    • 著者名/発表者名
      Neil M. Zimmerman
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.90, No.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node2007

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      EEE Electron Device Letters Vol.28, No.1

      ページ: 48-50

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Applied Physics Ltters Vol.90, No.10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      D. Moraru
    • 雑誌名

      Phys. Rev.B 76

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Anomalous resistance ridges along filling factor n = 4i2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Letts. 99

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Infrared detection with silicon nano field-effect transistor2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguch
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2007

    • 著者名/発表者名
      W. C. Zhang
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E-90C

      ページ: 943-948

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Low-Temperature Characteristics of Ambipolar SiO2/Si/SiO2 Hall-Bar Devices2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 2596-2598

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Effect of UV/Ozone Treatment on Nanogap Electrodes for Molecular Devices2007

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, H. Inokawa
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 1731-1733

    • NAID

      10022547152

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Impact of space-energy correlation on variable-range hopping in transistors2007

    • 著者名/発表者名
      J.-F. Morizur
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Letts. 98

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M. A. H. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, and A. Fujiwara
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorous-doped silicon nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, H. Ikeda, and M. Tabe
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 76

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anomalous resistance ridges along filling factor v=4i2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takashima, M. Brun, T. Ota, D. K. Maude, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, and Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Letts. 99

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Infrared detection with silicon nano field-effect transistor2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguch, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2007

    • 著者名/発表者名
      W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, and N. J. Wu
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E-90C

      ページ: 943-948

    • NAID

      110007519656

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-Temperature Characteristics of Ambipolar SiO_2/Si/SiO_2 Hall-Bar Devices2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, B. Gaillaed, Y. Ono, and Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 2596-2598

    • NAID

      10022546885

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of UV/Ozone Treatment on Nanogap Electrodes for Molecular Devices2007

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, H. Inokawa, M. Nagase, Y. Ono, K. Sumitomo, and K. Torimitsu
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 46

      ページ: 1731-1733

    • NAID

      10022547152

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of space-energy correlation on variable-range hopping in transistors2007

    • 著者名/発表者名
      J.-F. Morizur, Y. Ono, H. Kageshima, H. Inokawa, and H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Letts. 98

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge offset stability in tunable-barrier Si single-electron tunneling devices2007

    • 著者名/発表者名
      Neil M.Zimmerman
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 90, No. 3

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Long retention of gain-cell dynamic random access memory with undoped memory node2007

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      EEE Electron Device Letters Vol. 28, No. 1

      ページ: 48-50

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol. 90, No. 10

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Tunnel conductance through one or a few fe particles embedded in an Mg0 matrix2006

    • 著者名/発表者名
      Masashi Arita
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45,No.3B

      ページ: 1946-1949

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Studies on MOSFET low-frequency noise for electrometer applications2006

    • 著者名/発表者名
      Nicolas Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45,No.4B

      ページ: 3606-3608

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Multifunctional device using a nanodot array2006

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kaizawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45,No.6A

      ページ: 5317-5321

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Conductance measurement of nanoscale regions with in situ transmission electro microscopy2006

    • 著者名/発表者名
      Masashi Arita
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering:C 26

      ページ: 776-781

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Fe nanodots on SrF2/Si(111)2006

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Hosoya
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering:C 26

      ページ: 1146-1150

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural and electromagnetic characterizations of Fe-SrF_2 granular films2006

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Hosoya
    • 雑誌名

      Journal of Physics D:Applied Physics 39

      ページ: 5103-5108

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.88,No.18

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Direct observation of valley splitting at zero magnetic field2006

    • 著者名/発表者名
      Kei Takashina
    • 雑誌名

      Physical Review Letters Vol.96,No.23

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Intersubband scattering in double-gate MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Kei Takashina
    • 雑誌名

      IEEE Trans.Nanotechnology Vol.5,No.5

      ページ: 430-435

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Physical Review B Vol.74,No.23

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] シリコン単電子デバイスとその応用2006

    • 著者名/発表者名
      高橋 庸夫
    • 雑誌名

      「M&E」(出版元:工業調査会) 10月号

      ページ: 154-157

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Tunnel conductance through one or a few fe particles embedded in an Mg0 matrix2006

    • 著者名/発表者名
      Masashi Arita
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45, No.3B

      ページ: 1946-1949

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Studies on MOSFET low-frequency noise for electrometer applications2006

    • 著者名/発表者名
      Nicolas Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45, No.4B

      ページ: 3606-3608

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Multifunctional device using a nanodot array2006

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kaizawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45, No.6A

      ページ: 5317-5321

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Conductance measurement of nanoscale regions with in situ transmission electro microscopy2006

    • 著者名/発表者名
      Masashi Arita
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering : C 26

      ページ: 776-781

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要 2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Fe nanodots on SrF2/Si(111)2006

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Hosoya
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering : C 26

      ページ: 1146-1150

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Structural and electromagnetic characterizations of Fe-SrF2 granular films2006

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Hosoya
    • 雑誌名

      Journal of Physics D : Applied Physics 39

      ページ: 5103-5108

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with melal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.88, No.18

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Direct observation of valley splitting at zero magnetic field2006

    • 著者名/発表者名
      Kei Takashina
    • 雑誌名

      Physical Review Letters Vol.96, No.23

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Intersubband scattering in double-gate MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Kei Takashina
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nanotechnology Vol.5, No.5

      ページ: 430-435

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Physical Review B Vol.74, No.23

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Studies on MOSFET low-frequency noise for electrometer applications2006

    • 著者名/発表者名
      Nicolas Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45, No. 4B

      ページ: 3606-3608

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Multifunctional device using a nanodot array2006

    • 著者名/発表者名
      Takuya Kaizawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45, No. 6A

      ページ: 5317-5321

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Fe nanodots on <SrF2/Si>(111)2006

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Hosoya
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering : C 26

      ページ: 1146-1150

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Structural and electromagnetic characterizations of <Fe-SrF_2> granular films2006

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Hosoya
    • 雑誌名

      Journal of Physics D : Applied Physics 39

      ページ: 5103-5108

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      Applied Physice Letters Vol. 88, No. 18

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Direct observation of valley splitting at zero magnetic field2006

    • 著者名/発表者名
      Kei Takashina
    • 雑誌名

      Physical Review Letters Vol. 96, No. 23

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Intersubband scattering in double-gate MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Kei Takashina
    • 雑誌名

      IEEE Trans. Nanotechnology Vol. 5, No. 5

      ページ: 430-435

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Physical Review B Vol. 74, No. 23

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] シリコン単電子デバイスとその応用2006

    • 著者名/発表者名
      高橋 庸夫
    • 雑誌名

      「M&E」(出版元:工業調査会) 10月号

      ページ: 154-157

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Tunnel conductance through one or a few fe particles embedded in an MgO matrix2006

    • 著者名/発表者名
      Masashi Arita
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.45,No.3B

      ページ: 1946-1949

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Manipulation and detection of single electrons for future information processing2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.97,No.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silocon-on-insulator Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.4B

      ページ: 2588-2591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2005

    • 著者名/発表者名
      Akira Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.88,No.5

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A foundry metal-oxide-semiconductor field-effect transistors for single-electron2005

    • 著者名/発表者名
      Nicolas Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.7A

      ページ: 4855-4858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.10

      ページ: 7717-7719

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要 2005 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ conductance measurement of a limited number of nanoparticles during Transmission electoron microscopy observation2005

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Hirose
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Manipulation and detection of single electrons for future information processing2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.97, No.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silocon-on-insulator Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.4B

      ページ: 2588-2591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Single-electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2005

    • 著者名/発表者名
      Akira Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.88, No.5

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] A foundry metal-oxide semiconductor field-eftect transistors for single-electron2005

    • 著者名/発表者名
      Nicolas Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.7A

      ページ: 4855-4858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Nishiguchi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.10

      ページ: 7717-7719

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] In situ conductance measurement of a limited number of nanoparticles during Transmission electoron microscopy observation2005

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Hirose
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silicon-on-insulator metal- oxide- semiconductor field-effect transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Yukinori Ono
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.4B

      ページ: 2588-2591

    • NAID

      10015704970

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Single-electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor2005

    • 著者名/発表者名
      Akira Fujiwara
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.88,No.5

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] A foundry metal-oxide-semiconductor field-effect transistors for single-electron detection2005

    • 著者名/発表者名
      Nicolas Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.7A

      ページ: 4855-4858

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] In situ conductance measurement of a limited number of nanoparticles during transmission electron microscopy observation2005

    • 著者名/発表者名
      Ryusuke Hirose
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44,No.24

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Charge-state control of phosphorus donors in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, K.Nishiguchi, H.Inokawa, S.Horiguchi, Y.Takahashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.4B(to be published)

    • NAID

      10015704970

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] A foundry metal-oxide-semiconductor field-effect transistors for single-electron detection2005

    • 著者名/発表者名
      N.Clement, H.Inokawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics (to be published)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Manipulation and detection of single electrons for future information processing2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono, A.Fujiwara, K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.97, No.3

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Error mechanisms and rates in tunable-barrier single-electron turnstiles and charge-coupled devices2004

    • 著者名/発表者名
      N.M.Zimmerman
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics Vol.96,No.9

      ページ: 5254-5266

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Real-time observation of single-electron movement through silicon single-electron transistor2004

    • 著者名/発表者名
      S.-J Kim
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.43,No.10

      ページ: 6863-6867

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Multilevel memory using an electrically formed single-electron box2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.85,No.7

      ページ: 1277-1279

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Error mechanisms and rates in tunable-barrier single-electron turnstiles and charge-coupled devices2004

    • 著者名/発表者名
      N. M. Zimmerman
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics Vol.96, No.9

      ページ: 5254-5266

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Real-time observation of single-electron movement through silicon single-electron transistor2004

    • 著者名/発表者名
      S.-J Kim
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.43, No.10

      ページ: 6863-6867

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Multilevel memory using an electrically formed single-electron box2004

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.85, No.7

      ページ: 1277-1279

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Error mechanisms and rates in tunable-barrier single-electron turnstiles and charge-coupled devices2004

    • 著者名/発表者名
      N.M.Zimmerman, E.Hourdakis, Y.Ono, A.Fujiwara, Y.Takahashi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics Vol.96, No.9

      ページ: 5254-5266

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Real-time observation of single-electron movement through silicon single-electron transistor2004

    • 著者名/発表者名
      S.-J Kim, Y.Ono, Y.Takahashi, J.B.Choi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Vol.43, No.10

      ページ: 6863-6867

    • NAID

      10013744830

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Multilevel memory using an electrically formed single-electron box2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi, H.Inokawa, Y.Ono, A.Fujiwara, Y.Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters Vol.85, No.7

      ページ: 1277-1279

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [学会発表] A simple test structure for extracting capacitances in nanometer-scale MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      H.Inokawa
    • 学会等名
      The 6-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      Hamamatsu
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Takahashi
    • 学会等名
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai,Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Nanoampere charge pumping by single-electron ratchet using Si nanowire MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      A.Fujiwara
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
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  • [学会発表] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M.Khalafalla
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
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  • [学会発表] Capacitive parameter extraction for nanometer-size field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      H.Inokawa
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      A.Fujiwara
    • 学会等名
      International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova Magazzini del Cot one,Italy
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Theoretical study on magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon2007

    • 著者名/発表者名
      S.Yabuuchi
    • 学会等名
      17th International Vacuum Congress
    • 発表場所
      Stockholm,Sweden
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
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  • [学会発表] Effects of parameter randomness on quantized-electron transfer in 1D multiple-tunnel-junction arrays2007

    • 著者名/発表者名
      D.Moraru
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
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    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon2007

    • 著者名/発表者名
      S.Yabuuchi
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2007

    • 著者名/発表者名
      T.Kaizawa
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Electron transport through single and double quantum dots in silicon MOS structures2007

    • 著者名/発表者名
      H.W.Liu
    • 学会等名
      2007 Frontiers in Nanoscale Science and Technology Workshop
    • 発表場所
      University of Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
    • 発表場所
      Atsugi,Kanagawa
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Recent progress in integration of silicon single-electron devices2007

    • 著者名/発表者名
      H.Inokawa
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment
    • 発表場所
      Sapporo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Nanoampere charge pumping by single-electron ratchet using Si nanowire MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukada
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Identification of single and coupled acceptors in silicon nano field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      M. Khalafalla
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukada
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Capacitive parameter extraction for nanometer-size field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa
    • 学会等名
      2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukada
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara
    • 学会等名
      International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional System and Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova Magazzini del Cotone, Italy
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Theoretical study on magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon2007

    • 著者名/発表者名
      S. Yabuuchi
    • 学会等名
      17th International Vacuum Congress
    • 発表場所
      Stockholm, Sweden
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
    • 発表場所
      Atsugi, Kanagawa
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Recent progress in integration of silicon single-electron devices2007

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment
    • 発表場所
      Sappro
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Application of silicon single-electron devices2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 学会等名
      First annual meeting on the fusion of biotechnology, nanotechnology, and semiconductor technolog
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] A simple test structure for extracting capacitances in nanometer-scale MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, and H. Satoh
    • 学会等名
      The 6-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      Inter-Academia, Hamamatsu
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics2007

    • 著者名/発表者名
      Y. One, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, and A. Fujiwara
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, and H. Inokawa
    • 学会等名
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono
    • 学会等名
      International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova Magazzini del Cotone, Italy
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kaizawa
    • 学会等名
      8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
    • 発表場所
      Shanghai,China
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Metal-Oxide-Semiconductor-Based Single-Electronics2006

    • 著者名/発表者名
      H.Inokawa
    • 学会等名
      The 5-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      Iasi,Romania
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Towards single-electron pump operation using one ac gate bias in doped Si nanowires2006

    • 著者名/発表者名
      D.Moraru
    • 学会等名
      The 5-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      Iasi,Romania
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Observation of single-electron pump operation with one ac gate bias in phosphorous-doped Si wires2006

    • 著者名/発表者名
      D.Moraru
    • 学会等名
      2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Infrared detection with silicon nano transistors2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 学会等名
      2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Effect of UV/ozone treatment on nanogap electrodes for molecular devices2006

    • 著者名/発表者名
      T.Goto
    • 学会等名
      2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Low temperature characteristics of ambipolar SiO_2/Si/SiO_2 Hall-bar Devices2006

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina
    • 学会等名
      2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Mechanism of metal-semiconductor transition in the electric properties of single-walled carbon nanotubes induced by low-energy electron irradiation2006

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki
    • 学会等名
      2006 nanotube
    • 発表場所
      Nagano
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Resistance Ridges Along Filling Factor υ=4i in SiO_2/Si/SiO_2 Quantum Wells.2006

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina
    • 学会等名
      2006 International Conference on Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Vienna,Austria
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2006

    • 著者名/発表者名
      W.C.Zhang
    • 学会等名
      Asia-Pacific 2006 Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Sendai
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hawaii,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor technology.2006

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hawaii,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Impurity conduction and its control in phosphorus-doped SOI MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hawaii,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Resonant tunneling transport through silicon double quantum dot2006

    • 著者名/発表者名
      H.W.Liu
    • 学会等名
      International Conference Nanoscience and Technology
    • 発表場所
      Basel,Switzerland
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron transfer in silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment
    • 発表場所
      Sapporo,Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Control of valley-splitting in silicon-on-insulator MOSFET's2006

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina
    • 学会等名
      2006 Frontiers in Nanoscale Science and Technology
    • 発表場所
      San Francisco,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa
    • 学会等名
      8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Metal-Oxide-Semiconductor-Based Single-Electronics2006

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa
    • 学会等名
      The 5-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      Iasi, Romania
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Towards single-electron pump operation using one ac gate bias in doped Si nanowires2006

    • 著者名/発表者名
      D. Moraru
    • 学会等名
      The 5-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      Iasi, Romania
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Low temperature characteristics of ambipolar SiO2/Si/SiO2 Hall-bar Devices2006

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 学会等名
      2006 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Yokohama
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Resistance Ridges Along Filling Factor u = 4i in SiO2/Si/SiO2 Quantum Wells.2006

    • 著者名/発表者名
      K. Takashma
    • 学会等名
      2006 International Conference on Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors2006

    • 著者名/発表者名
      W. C. Zhang
    • 学会等名
      Asia-Pacific 2006 Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Sendai
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor technology.2006

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Impurity conduction and its control in phosphorus-doped SOI MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-eleclron transfer in silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      The 3rd International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Control of valley-splitting in silicon-on-insulator MOSFET's2006

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 学会等名
      2006 Frontiers in Nanoscale Science and Technology
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron transfer in silicon2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      2005 International Workshop on the Physics semiconductor devices
    • 発表場所
      NewDelhi,India
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron manipulation in silicon; Towards single-dopant electronics2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      7^<th> International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Structures and 5^<th> International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices
    • 発表場所
      Maui,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] ingle-electron manipulation Interplay with crystalline imperfection2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      2^<nd> International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry
    • 発表場所
      Kaoshiung,Taiwan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-Electron Devices and Circuits fabricated by MOS Processes2005

    • 著者名/発表者名
      H.Inokawa
    • 学会等名
      2005 Tera-level nanodevices (TND) Technical Forum
    • 発表場所
      Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Studies on MOSFET low-frequency noise for electrometer applications2005

    • 著者名/発表者名
      N.Clement
    • 学会等名
      2005 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Kobe
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Control of electrical properties of single-walled carbon nanotubes by low-energy electron irradiation2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kanzaki
    • 学会等名
      2005 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Kobe
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Conductivity control of single-walled carbon nanotubes by electron beam exposure2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kanzaki
    • 学会等名
      Sixth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
    • 発表場所
      Gothenburg,Sweden
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Control of valley and spatial subbands in double-gate MOSFETs-Electronic states in a silicon quantum well-2005

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina
    • 学会等名
      2005 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Seoul,Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Intersubband scattering in double-gate SOI MOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      K.Takashina
    • 学会等名
      2005 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Back-gate effect on Coulomb blockade in SOI trench wires2005

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 学会等名
      2005 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Imaging of nano-scale embedded dislocation network in Si bicrystal2005

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase
    • 学会等名
      2005 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Kyoto
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Silicon-based single-electron devices2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Takahashi
    • 学会等名
      Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Silicon single-electron pump and turnstile; Interplay with crystalline imperfection2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      2005 Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco,CA,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Conductivity enhancement in thin silicon-on-insulator layer embedding artificial dislocation network2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishikawa
    • 学会等名
      2005 Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco,CA,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Room- and low-temperature characteristics of phosphorus-doped SOI MOSFET2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
    • 発表場所
      Atsugi,Kanagawa
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] The physics of Coulomb blockade in tunable barrier Si wires2005

    • 著者名/発表者名
      N.M.Zimmerman
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
    • 発表場所
      Atsugi,Kanagawa
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron transfer in silicon2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      2005 International Workshop on the Physics semiconductor devices
    • 発表場所
      NewDelhi, India
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron manipulation Interplay with crystalline imperfection2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry
    • 発表場所
      Kaoshiung, Taiwan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-Electron Devices and Circuits fabncated by MOS Processes2005

    • 著者名/発表者名
      H. Inokavva
    • 学会等名
      2005 Tera-level nanodevices(TND) Technical Forum
    • 発表場所
      Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Conductivity control of single-walled carbon nanotubes by electron beam exposure2005

    • 著者名/発表者名
      K. Kanzaki
    • 学会等名
      Sixth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
    • 発表場所
      Gothenburg, Sweden
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Control of valley and spatial subbands in double-gate MOSFETs -Electronic states in a silicon quantum well-2005

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina
    • 学会等名
      2005 Asdia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advenced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Silicon-based single-electron devices2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 学会等名
      Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Silicon single-electron pump and turnstile ; Interplay with crystalline imperfection2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      2005 Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Conductivity enhancement in thin silicon-on-insulator layer embedding artificial dislocation network2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishikawa
    • 学会等名
      2005 Material Research Society Spring Meeting
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron transistor and its logic applications2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      ITRS Emerging research logic devices workshop
    • 発表場所
      Leuven,Belgium
    • 年月日
      2004-09-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron transistor and its logic applications2004

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      ITRS Emerging research logic devices workshop
    • 発表場所
      Leuven, Belgium
    • 年月日
      2004-09-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Room- temperature single-electron transfer and detection with silicon nanodevices2004

    • 著者名/発表者名
      K.Nishiguchi
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      San Francisco,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron device applications using their special functionarity2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Takahashi
    • 学会等名
      The sixth international conference on nano-molecular electronics
    • 発表場所
      Kobe,Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Application of silicon single-electron devices2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Takahashi
    • 学会等名
      First annual meeting on the fusion of biotechnology, nanotechnology, and semiconductor technolog
    • 発表場所
      Kyoto,Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Silicon single-electron devices and their applications2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Takahashi
    • 学会等名
      2004 The 7th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
    • 発表場所
      Beijing,China
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Charge-state control of phosphorus donors in SOI MOSFET2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ono
    • 学会等名
      2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Formation of nanometer-scale dislocation network sandwiched by silicon-on-insulator layers2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishikawa
    • 学会等名
      2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Room-temperature single-electron transfer and detection with silicon nanodevices2004

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting
    • 発表場所
      San San Francisco, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron device applications using their special functionarity2004

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 学会等名
      The sixth international conference on nano-molecular electronics
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Silicon single-electron devices and their applications2004

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 学会等名
      2004 The 7th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Charge-state control of phosphorus donors in SOI MOSFET2004

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      2004 International Conference on Solid-State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Formation of nanometer-scale dislocation network sandwiched by silicon-on-insulator layers2004

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishikawa
    • 学会等名
      2004 International Conference on Solid-State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs : Towards single-dopant electronics

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    • 発表場所
      Tokyo
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] New functional single-electron devices using nanodot array and multiple input gates

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 学会等名
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconducter Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Resonant tunneling transport through silicon double quantum dot

    • 著者名/発表者名
      H. W. Liu
    • 学会等名
      International Conference Nanoscience and Technology
    • 発表場所
      Basel, Switzerland
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Single-electron manipulation in silicon ; Towards single-dopant electronics

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      7th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Structures and 5th International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices
    • 発表場所
      Maui, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Room-and low-temperature characteristics of phosphorus-doped SOI MOSFET

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
    • 発表場所
      Atsugi, Kanagawa
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] The physics of Coulomb blockade in tunable barrier Si wires

    • 著者名/発表者名
      N. M. Zimmerman
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction
    • 発表場所
      Atsugi, Kanagawa
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] Silicon Nanoelectronics2006

    • 著者名/発表者名
      Yasuo Takahashi (分筆)
    • 総ページ数
      24
    • 出版者
      Tailor & Francis
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [産業財産権] 半導体装置2004

    • 発明者名
      小野 行徳, 西口 克彦, 猪川 洋
    • 権利者名
      NTT
    • 産業財産権番号
      2004-238091
    • 出願年月日
      2004-08-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] 半導体装置2004

    • 発明者名
      小野 行徳, 他二名
    • 権利者名
      NTT
    • 産業財産権番号
      2004-238091
    • 出願年月日
      2004-08-18
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書

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公開日: 2004-04-01   更新日: 2016-04-21  

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