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IV族半導体原子層制御による電子帯変調と量子トンネル構造形成

研究課題

研究課題/領域番号 16360002
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関東北大学

研究代表者

櫻庭 政夫  東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (30271993)

研究分担者 室田 淳一  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
竹廣 忍  東北大学, 電気通信研究所, 助手 (70344736)
研究期間 (年度) 2004 – 2006
研究課題ステータス 完了 (2006年度)
配分額 *注記
14,700千円 (直接経費: 14,700千円)
2006年度: 4,700千円 (直接経費: 4,700千円)
2005年度: 5,200千円 (直接経費: 5,200千円)
2004年度: 4,800千円 (直接経費: 4,800千円)
キーワードIV族半導体 / 原子層制御 / 電子帯変調 / 量子効果 / 共鳴トンネル / 量子トンネル構造 / エピタキシャル成長 / CVD / 局所歪
研究概要

本研究では、原子層制御法を用いて、IV族半導体結晶中への異種元素原子層の導入をおこない、電子帯変調を調べるとともに共鳴トンネルダイオード等の量子トンネル構造を形成し、その電気・光学特性評価結果から量子トンネル構造中でのキャリア輸送・生成・再結合過程を解明し、電子帯変調による新規半導体物性の創生を行うことを目的として研究を行った。そして、N, P, B等の表面異種原子層が拡散・凝集しないような表面反応制御を行うことにより、低温でのSi, Si_<1-x>Ge_x, Ge表面におけるB_2H_6及びPH_3の表面反応によってB及びPの原子層形成制御を可能な条件を見いだした。また、キャッピングSi成長時の原料ガスとして反応性の高いSi_2H_6を用いてP原子層の表面偏析現象を効果的に抑制することにより、大部分のP原子はヘテロ界面付近の厚さ2nm以下の極薄領域に分布し、局所P濃度が3×10^<21>cm^<-3>(原子密度6%)に達する超高濃度ドーピングに成功した。さらに、このP原子層ドープSi薄膜においては、従来知られていた高濃度PドープSiより高いHall移動度を示すことも見いだした。また、電子サイクロトロン共鳴により生成した低エネルギーArプラズマ照射によるGeH_4やSiH_4反応により、基板非加熱下での高平坦高度歪Ge及びSi薄膜のエピタキシャル成長制御を実現し、従来の熱分解反応を用いたCVD法では実現が困難な高度歪導入IV族半導体ヘテロ構造形成の可能性を示した。さらに、p型共鳴トンネルダイオードを高性能化するための歪Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造のエピタキシャル成長条件を検討し、IV族半導体負性抵抗デバイスの室温動作実現のために高Ge比率の推進が有効であることを明らかにし、電子帯変調による新規半導体物性の創生のために重要な成果を得た。

報告書

(4件)
  • 2006 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2005 実績報告書
  • 2004 実績報告書
  • 研究成果

    (100件)

すべて 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 (100件)

  • [雑誌論文] Carbon doping effect on strain relaxation during Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial growth on Si(100) at 500℃2007

    • 著者名/発表者名
      H.Nitta et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain control and electrical properties of stripe patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructures2007

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si_<0.8>Ge_<0.2> heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD2007

    • 著者名/発表者名
      R.Ito et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of highly strained Si on relaxed Ge/Si(100) using ECR plasma CVD without substrate heating2007

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reaction of PH_3 and Si_2H_6 on strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) in ultraclean low pressure CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Carbon doping effect on strain relaxation during Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial growth on Si(100) at 500℃,2007

    • 著者名/発表者名
      H.Nitta et al.
    • 雑誌名

      Semicond.Sci.Technol. Vol.22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain control and electrical properties of stripe patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructures2007

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      Semicond.Sci.Technol. Vol.22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si_<0.8>Ge_<0.2> heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD2007

    • 著者名/発表者名
      R.Ito et al.
    • 雑誌名

      Semicond.Sci.Technol. Vol.22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of highly strained Si on relaxed Ge/Si(100) using ECR plasma CVD without substrate heating2007

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Semicond.Sci.Technol. Vol.22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reaction of PH_3 and Si_2H_6 on strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) in ultraclean low pressure CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba et al.
    • 雑誌名

      Semicond.Sci.Technol. Vol.22

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Carbon doping effect on strain relaxation during Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial growth on Si(100) at 500℃2007

    • 著者名/発表者名
      H.Nitta, et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Strain control and electrical properties of stripe patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructures2007

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm, et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si_<0.8>Ge_<0.2> heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD2007

    • 著者名/発表者名
      R.Ito, et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reaction of PH_3 and Si_2H_6 on strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) in ultraclean low pressure CVD2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba, et al.
    • 雑誌名

      Semicond. Sci. Technol. 22

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Effect of Grain Boundary on Electrical Characteristics in B- and P-Doped Polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y Film Deposited by Ultraclean LPCDV2006

    • 著者名/発表者名
      H.Shim et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 36-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Carbon Effect on Strain Compensation in Si_<1-x-y>Ge_xC_y Films Epitaxially Grown on Si(100)2006

    • 著者名/発表者名
      H.Nitta et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 140-142

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Thermal Effect on Strain Relaxation in Ge Films Epitaxially Grown on Si(100) Using ECR Plasma CVD2006

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 143-146

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain Relaxation by Stripe Patterning in Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(l00) Hetereostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 239-242

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Surface reaction and B Atom Segregation in ECR Chlorine Plasma Etching of B-Doped Si_<1-x>Ge_x Epitaxial Films2006

    • 著者名/発表者名
      H.-S.Cho et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 301-304

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photo Detection Characteristics of Si/Si_<1-x>Ge_x/Si p-i-n Diodes Integrated with Optical Waveguides2006

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 399-401

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors by Chemical Vapor Deposition (Invited Review Paper)2006

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45 No.9A

      ページ: 6767-6785

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain and Conductivity Behavior of Stripe Patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 9-10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] B Atomic Layer Formation on Si_<1-x>Ge_x(100) by Ultraclean LPCVD System2006

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 51-52

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] P atomic Layer Doping at Heterointerface of Epitaxial Si Layer and Si_<1-x>Ge_x(100) Substrate by Alternate Surface Reaction of PH_3 and Si_2H_6 in Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 73-74

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Thermal Stability of Nitrided Si Atomic Layer on Ge(100) Using Low Pressure CVD2006

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 75-76

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      T.Seo et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 77-78

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain Control of Stripe Patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.3 No.7

      ページ: 421-427

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] A Study on B Atomic Layer Formation for B-Doped Si_<1-x>Ge_x(100) Epitaxial Growth Using Ultraclean LPCVD System2006

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.3 No.7

      ページ: 861-866

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomic-Order Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x(100) at Low Temperatures by NH_32006

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.3 No.7

      ページ: 1205-1210

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Effect of grain boundary on electrical characteristics in B-and P-doped polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y film deposited by ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      H.Shim et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 36-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Carbon effect on strain compensation in Si_<1-x-y>Ge_xC_y films epitaxially grown on Si(100)2006

    • 著者名/発表者名
      H.Nitta et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 140-142

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Thermal effect on strain relaxation in Ge films epitaxially grown on Si(100) using ECR plasma CVD2006

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 143-146

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain relaxation by stripe patterning in Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) hetereostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 239-242

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Surface reaction and B atom segregation in ECR chlorine plasma etching of B-doped Si_<1-x>Ge_x epitaxial films2006

    • 著者名/発表者名
      H.-S.Cho et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 301-304

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Photo detection characteristics of Si/Si_<1-x>Ge_x/Si p-i-n diodes integrated with optical waveguides2006

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films Vol.508

      ページ: 399-401

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors by Chemical Vapor Deposition (Invited Review Paper)2006

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. Vol.45, No.9A

      ページ: 6767-6785

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain and Conductivity Behavior of Stripe Patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct.2-3,2006 No.P-01

      ページ: 9-10

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] B Atomic Layer Formation on Si_<1-x>Ge_x(100) by Ultraclean LPCVD System2006

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct.2-3,2006 No.P-16

      ページ: 51-52

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] P atomic Layer Doping at Heterointerface of Epitaxial Si Layer and Si_<1-x>Ge_x(100) Substrate by Alternate Surface Reaction of PH_3 and Si_2H_6 in Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct.2-3,2006 No.P-27

      ページ: 73-74

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Thermal Stability of Nitrided Si Atomic Layer on Ge(100) Using Low Pressure CVD2006

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct.2-3,2006 No.P-28

      ページ: 75-76

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      T.Seo et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct.2-3,2006 No.P-29

      ページ: 77-78

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Strain Control of Stripe Patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans., SiGe and Ge : Materials, Processing, and Devices(Edited by D.Harame et al.)The Electrochem.Soc., Pennington, NJ,2006) Vol.3, No.7

      ページ: 421-427

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] A Study on B Atomic Layer Formation for B-Doped Si_<1-x>Ge_x(100) Epitaxial Growth Using Ultraclean LPCVD System2006

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans., SiGe and Ge : Materials, Processing, and Devices(Edited by D.Harame et al.)The Electrochem. Soc., Pennington, NJ,2006) Vol.3, No.7

      ページ: 861-866

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomic-Order Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x(100) at Low Temperatures by NH_32006

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans.SiGe and Ge : Materials, Processing, and Devices (Edited by D.Harame et al.) The Electrochem.Soc., Pennington, NJ,2006) Vol.3, No.7

      ページ: 1205-1210

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Processing for Group IV Semiconductors by Chemical Vapor Deposition (Invited Review Paper)2006

    • 著者名/発表者名
      J.Murota, et al.
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45 No.9A

      ページ: 6767-6785

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Strain and Conductivity Behavior of Stripe Patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm, et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 9-10

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] B Atomic Layer Formation on Si_<1-x>Ge_x(100) by Ultraclean LPCVD System2006

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi, et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 51-52

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] P atomic Layer Doping at Heterointerface of Epitaxial Si Layer and Si_<1-x>Ge_x(100) Substrate by Alternate Surface Reaction of PH_3 and Si_2H_6 in Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Chiba, et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 73-74

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Thermal Stability of Nitrided Si Atomic Layer on Ge(100) Using Low Pressure CVD2006

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama, et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 75-76

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x Heterostructures on Si(100) Grown by Low-Temperature Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      T.Seo, et al.
    • 雑誌名

      Abstracts of 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Tohoku Univ., Sendai, Japan, Oct. 2-3, 2006)

      ページ: 77-78

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Strain Control of Stripe Patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm, et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.3 No.7

      ページ: 421-427

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] A Study on B Atomic Layer Formation for B-Doped Si_<1-x>Ge_x(l00) Epitaxial Growth Using Ultraclean LPCVD System2006

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi, et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.3 No.7

      ページ: 861-866

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Atomic-Order Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x(100) at Low Temperatures by NH_32006

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama, et al.
    • 雑誌名

      ECS Trans. Vol.3 No.7

      ページ: 1205-1210

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Carbon Effect on Strain Compensation in Si<1-x-y>Ge_xC_y Films Epitaxially Grown on Si(100)2006

    • 著者名/発表者名
      H.Nitta et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (in press)(掲載決定)

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Thermal Effect on Strain Relaxation in Ge Films Epitaxially Grown on Si(100) Using ECR Plasma CVD2006

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (in press)(掲載決定)

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Strain Relaxation by Stripe Patterning in Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Hetereostructures2006

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (in press)(掲載決定)

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Photo Detection Characteristics of Si/Si_<1-x>Ge_x/Si p-i-n Diodes Integrated with Optical Waveguides2006

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (in press)(掲載決定)

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Effect of Grain Boundary on Electrical Characteristics in B- and P-Doped Polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y Film Deposited by Ultraclean LPCVD2006

    • 著者名/発表者名
      H.Shim et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (in press)(掲載決定)

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Surface reaction and B Atom Segregation in ECR Chlorine Plasma Etching of B-Doped Si_<1-x>Ge_x Epitaxial Films2006

    • 著者名/発表者名
      H.-S.Cho et al.
    • 雑誌名

      Thin Solid Films (in press)(掲載決定)

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Ge Epitaxial Growth on Si(100) in Ar Plasma Enhanced GeH_4 Reaction2005

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Semiconductor Processing 8

      ページ: 69-72

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Electrical Properties of W Delta Doped Si Epitaxial Films Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kurosawa et al.
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Semiconductor Processing 8

      ページ: 125-129

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Electrical Properties of N Atomic Layer Doped Si Epitaxial Films Grown by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong et al.
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Semiconductor Processing 8

      ページ: 121-124

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using Electron Cyclotron Resonance Plasma2005

    • 著者名/発表者名
      M.Mori et al.
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Semiconductor Processing 8

      ページ: 65-68

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Integration of Si p-i-n Diodes for Light Emitter and Detector with Optical Waveguides2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Mat. Sci. Semiconductor Processing 8

      ページ: 435-438

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proceedings of Int. Symp. ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of The Electrochem. Soc, Canada, May 15-20, 2005) PV 2005-06

      ページ: 53-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Ge Epitaxial Growth on Si(100) in Ar-Plasma-Enhanced GeH_4 Reaction2005

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 69-72

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Electrical Properties of W Delta Doped Si Epitaxial Films Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kurosawa et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 125-129

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Electrical Properties of N Atomic Layer Doped Si Epitaxial Films Grown by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 121-124

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using Electron Cyclotron Resonance Plasma2005

    • 著者名/発表者名
      M.Mori et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 65-68

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Integration of Si p-i-n Diodes for Light Emitter and Detector with Optical Waveguides2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing Vol.8

      ページ: 435-438

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proc.Int.Symp.ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of Electrochem.Soc., Quebec City, Canada, May 15-20,2005)

      ページ: 53-66

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled CVD Technology for Future Si-Based Devices (Invited Paper)2005

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Proceedings of Int.Symp.ULSI Process Integration IV (Spring Meeting of The Electrochem.Soc., Canada, May 15-20, 2005) PV 2005-06

      ページ: 53-66

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Ge Epitaxial Growth on Si(100) in Ar Plasma Enhanced GeH_4 Reaction2005

    • 著者名/発表者名
      K.Sugawara et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing 8

      ページ: 69-72

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Electrical Properties of W Delta Doped Si Epitaxial Films Grown on Si(100) by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kurosawa et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing 8

      ページ: 125-129

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Electrical Properties of N Atomic Layer Doped Si Epitaxial Films Grown by Ultraclean Low-Pressure Chemical Vapor Deposition2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing 8

      ページ: 121-124

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Si Epitaxial Growth on Atomic-Order Nitrided Si(100) Using Electron Cyclotron Resonance Plasma2005

    • 著者名/発表者名
      M.Mori et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing 8

      ページ: 65-68

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Integration of Si p-i-n Diodes for Light Emitter and Detector with Optical Waveguides2005

    • 著者名/発表者名
      A.Yamada et al.
    • 雑誌名

      Mat.Sci.Semiconductor Processing 8

      ページ: 435-438

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices2004

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 95-96

      ページ: 607-616

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要 2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Fabrication of 0.12-μm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD2004

    • 著者名/発表者名
      D.Lee et al.
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 224

      ページ: 254-259

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Relationship between Impurity (B or P) and Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment2004

    • 著者名/発表者名
      J.Noh et al.
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 224

      ページ: 77-81

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of N Delta Doped Si Films on Si(100) by Alternately Supplied NH_3 and SiH_42004

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong et al.
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 224

      ページ: 197-201

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Formation of Heavily P Doped Si Epitaxial Film on Si(100) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimamune et al.
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 224

      ページ: 202-205

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Effect of Carbon on the Thermal Stability of a Si Atomic Layer on Ge(100)2004

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiu et al.
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 224

      ページ: 206-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Ar Plasma Irradiation Effects in Atomically Controlled Si Epitaxial Growth2004

    • 著者名/発表者名
      D.Muto et al.
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci. 224

      ページ: 210-214

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Technology for Future Si-Based Devices2004

    • 著者名/発表者名
      J.Murota et al.
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena Vol.95-96

      ページ: 607-616

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of 0.12-μm pMOSFETs on High Ge Fraction Si/Si_<1-x>Ge_x/Si(100) heterostructure with Ultrashallow Source/Drain Formed using B-Doped SiGe CVD2004

    • 著者名/発表者名
      D.Lee et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 254-259

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Relationship between Impurity (B or P) and Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment2004

    • 著者名/発表者名
      J.Noh et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 77-81

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of N Delta Doped Si Films on Si(100) by Alternately Supplied NH_3 and SiH_42004

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 197-201

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Formation of Heavily P-Doped Si Epitaxial Film on Si(100) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimamune et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 202-205

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Effect of Carbon on the Thermal Stability of a Si Atomic Layer on Ge(100)2004

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiu et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 206-209

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Ar Plasma Irradiation Effects in Atomically Controlled Si Epitaxial Growth2004

    • 著者名/発表者名
      D.Muto et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. Vol.224

      ページ: 210-214

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of 0.12-μm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD2004

    • 著者名/発表者名
      D.Lee et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 224

      ページ: 254-259

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Relationship between Impurity (B or P) and Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment2004

    • 著者名/発表者名
      J.Noh et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 224

      ページ: 77-81

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Epitaxial Growth of N Delta Doped Si Films on Si(100) by Alternately Supplied NH_3 and SiH_42004

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf Sci. 224

      ページ: 197-201

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Formation of Heavily P Doped Si Epitaxial Film on Si(100) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique2004

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimamune et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 224

      ページ: 202-205

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Effect of Carbon on the Thermal Stability of a Si Atomic Layer on Ge(100)2004

    • 著者名/発表者名
      M.Fujiu et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 224

      ページ: 206-209

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Ar Plasma Irradiation Effects in Atomically Controlled Si Epitaxial Growth2004

    • 著者名/発表者名
      D.Muto et al.
    • 雑誌名

      Appl.Surf.Sci. 224

      ページ: 210-214

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Strain Control of Stripe Patterned Si/Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructures

    • 著者名/発表者名
      J.Uhm et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.SiGe & Ge : Materials, Processing, and Device Symp. (210th Electrochem.Soc.Meeting), Cancun, Mexico, Oct.29-Nov.3,2006 Paper No.6.3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] A Study on B Atomic Layer Formation for B-Doped Si_<1-x>Ge_x(100) Epitaxial Growth Using Ultraclean LPCVD System

    • 著者名/発表者名
      K.Ishibashi et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.SiGe & Ge : Materials, Processing, and Device Symp. (210th Electrochem. Soc. Meeting), Cancun, Mexico, Oct.29-Nov.3,2006 Paper No.14.4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Atomic-Order Thermal Nitridation of Si_<1-x>Ge_x(100) at Low Temperatures by NH_3

    • 著者名/発表者名
      N.Akiyama et al.
    • 雑誌名

      2nd Int.SiGe & Ge : Materials, Processing, and Device Symp.(210th Electrochem.Soc.Meeting), Cancun, Mexico, Oct.29-Nov.3,2006 Paper No.20.4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2006 研究成果報告書概要

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公開日: 2004-04-01   更新日: 2016-04-21  

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