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輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質II-VI半導体多元混晶の作製

研究課題

研究課題/領域番号 16360013
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関早稲田大学

研究代表者

小林 正和  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (10241936)

研究分担者 堀越 佳治  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (60287985)
宇高 勝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20277817)
宗田 孝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90171371)
研究期間 (年度) 2004 – 2007
研究課題ステータス 完了 (2007年度)
配分額 *注記
13,340千円 (直接経費: 12,800千円、間接経費: 540千円)
2007年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2006年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
2005年度: 2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
2004年度: 5,500千円 (直接経費: 5,500千円)
キーワード分子線エピタキシ / ホモエピタキシャル基板 / 紫外線センサ / TEM / 超格子 / PL / ZnTe / ZnCdMgS
研究概要

本年は、昨年までの成果に引き続き、ZnCdS/MgCdS超格子やZnSe/MgCdS超格子の研究について詳細な検討を行ってきた。昨年までに、基板温度の面内分布やルツボのシャッター開閉による変化が結晶性に与える影響について明らかにし、熱輻射の積極的利用によりそれらの悪影響を引き下げる技術を開発してきた。超格子構造の特性は周期構造によって変化する。しかし、設計と作製したサンプルの周期構造が一致しているかを検討する必要がある。また、界面がぼやけて混晶化してしまうと量子効果が発生しないことが考えられる。したがって、超格子は井戸層と障壁層の界面が急峻であることが重要である。熱輻射を積極的に応用することで電子顕微鏡による観察やX線回折による評価から、超格子が設計どおりに作製可能なこと(膜厚や組成が制御可能なこと)を明らかにした。その光学的特性も、設計と対応して変化することが明らかになった。さらに本手法を応用し、ZnTeのホモエピタキシー膜の高品質化に関する検討も行なった。ZnTeは一般にp型の伝導型のみを示すことが知られている。その価電子制御を行なう際に成長条件の安定化を図ることが重要である。本研究では価電子制御のために超格子構造を発展させた構造の作製を行なったが、その際にもシャッターの開閉に伴う基板温度の変動を抑えるため、輻射熱の積極的制御を行なった。そして、安定した成長条件のもとで高品質ZnTeの作製も可能になり、ZnTeのホモエピタキシーや伝導型制御に対しても超格子構造の応用が有効であるとの知見を得るに至った。

報告書

(5件)
  • 2007 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2006 実績報告書
  • 2005 実績報告書
  • 2004 実績報告書
  • 研究成果

    (5件)

すべて 2007 2006 2004

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 1件)

  • [雑誌論文] Al and N co-doped ZnTe Layers Grown by MBE2007

    • 著者名/発表者名
      A.Ichiba, and M.Kobayashi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 285-288

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Al and N co-doped ZuTe Layers Grown by MBE2007

    • 著者名/発表者名
      A. Ichiba, M. Kobayashi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 301-302

      ページ: 285-288

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] MBE growth of ZuSe/MgCdS superlattices for UV-A sensors2006

    • 著者名/発表者名
      J.Ueno, K.Ogura, A.Ichiba, S.Katsuta, M.Kobayashi, et al.
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)3, 4

      ページ: 1225-1228

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] MBE growth of ZnSe/MgCdS and ZnCdS/MgCdS superlattices for UV-A sensors2006

    • 著者名/発表者名
      J.Ueno, M.Kobayashi et al.
    • 雑誌名

      phys.stat.sol (c)3

      ページ: 1225-1228

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Molecular Beam Epitaxial Growth of ZnMgCdS MBE growth of ZnMgCdS compounds on(001) GaAs for UV-A sensors2004

    • 著者名/発表者名
      HIROSE, S.KATSUTA, M.KOBAYASHI
    • 雑誌名

      physica status solidi(c) 1

      ページ: 1038-1041

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書

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公開日: 2004-04-01   更新日: 2016-04-21  

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