| 研究課題/領域番号 |
16360028
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
大津 元一 東京大学, 大学院・工学系研究科電子工学専攻, 教授 (70114858)
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| 研究期間 (年度) |
2004 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
15,000千円 (直接経費: 15,000千円)
2005年度: 7,200千円 (直接経費: 7,200千円)
2004年度: 7,800千円 (直接経費: 7,800千円)
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| キーワード | ナノフォトニクス / 寸法依存共鳴 / 脱離 / 自己組織配列 / 近接場光 / 堆積 / 共鳴 / スパッタ / 蒸着 |
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| 研究概要 |
【研究目的】本研究は次の三つの原理に基づく。【1】ナノ物質寸法に依存して共鳴的に近接場光を吸収させ、堆積と脱離との釣り合いにより寸法精度の高いナノ寸法物質を形成。【2】基板に微細パターンを予め作りつけて伝搬光を照射し、パターン端部に近接場光を発生させる。これによりプローブやフォトマスクを不要とする。【3】上記【1】と【2】の組み合わせにより寸法制御されたナノ物質が形成されるが、これを繰り返し、高い寸法および位置精度にてナノ物質配列を自己組織的に形成させる。本研究では【1】の脱離開始の引き金となる機構を解明し、さらに【2】と【3】を実施して大面積一括加工可能なナノ光加工法を開発する。
【研究方法】(1)金属ナノ微粒子を基板に堆積、脱離を行う。(2)プローブやフォトマスクを排除するために、基板の一部に微細パターンを予め作製し、伝搬光照射によりそのパターンに近接場光を発生させる。シミュレーション計算により近接場光の強度の空間分布、その空間的勾配などを推定する。(3)上記(2)の結果にもとづき、石英やシリコンの基板に微細パターンを加工するプロセスを最適化する。(4)第一段階としてスパッタリングにより金属を(3)の基板に堆積し、寸法依存光共鳴吸収、脱離を引き起こし、ナノ寸法の金属微粒子列を形成する。
【研究成果】SiO_2基板に幅100nm・深さ30nmの溝を作製し,レーザー光を照射しながら金属をスパッタリングにより堆積した。Al堆積時にレーザー光を照射したところ、溝に沿って直径100nm程度のAl微粒子が等間隔で直線状に連なる結果が得られた。この微粒子列は長さ300μmという広範囲に渡って形成されていた。入射光の波長や堆積する金属を変えて実験し、形成された微粒子列の微粒子の幅と間隔を比較した結果、入射する波長が短くなると微粒子のサイズが小さくなり、また同じ波長でも金属が異なる(Au・Pt)ことでもサイズが変化することが分かった。微粒子列の形成箇所の金属膜を除去し、その前後のAFM測定結果を照合することで、溝のエッジ部に微粒子列が形成されたことが分かった。この像を元に、レーザー光照射時の近接場光強度分布を有限差分時間領域法によるシミュレーションで計算したところ、微粒子列形成箇所の光強度が最も強くなっており、金属微粒子列形成に寄与していることがわかった。
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