| 研究課題/領域番号 |
16360176
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
中島 安理 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (70304459)
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| 研究分担者 |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
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| 研究期間 (年度) |
2004 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
10,700千円 (直接経費: 10,700千円)
2005年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2004年度: 8,600千円 (直接経費: 8,600千円)
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| キーワード | フローティングゲート / ナノドット / フラッシュメモリ / 自由エネルギー / ソリトン / 単一電子効果 / Si / 少数ドット / 原子層成長 / トンネルゲート絶縁膜 |
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| 研究概要 |
フラッシュメモリの微細化に伴い、少数のナノサイズフローティングドットを有するフラッシュメモリが提案されている。この微細化限界を明らかにするために、電子線リソグラフィーによってドットの数・位置とサイズを精密に制御し、チャネルの伝導機構や電子の保持機構を明らかにする事を目的とした。また、保持時間と書き込み時間の改善のために、トンネル絶縁膜の新規形成法を開発する予定であった。
このためにフローティングドットが複数個、Si細線上あるいは平面上に配列した素子を、電子線リソグラフィーとドライエッチング及びウェットエッチングを用いて作製した。ドットの個数・サイズ・ドット間距離を系統的に変化させた素子について電気伝導特性を調べた。ドットがない素子とある素子とを比較することにより、室温でのメモリ動作を確認した。ドット数に対するヒステリシスの大きさを見積もった結果、チャネルの長さ方向にドット数が多い方がヒステリシスが大きくなることがわかった。また、チャネルの幅方向の個数には依存性は見られなかった。ドット数が多ければ、いずれかのドットからのリークがあっても他のドットの電子は保持される。従って、保持時間が増大することも考慮に入れると、実験結果からチャネル幅方向のドット数は少なくても問題ないが、チャネル長さ方向には複数個配置することにより、メモリ特性の向上につながると考えられる。
トンネル絶縁膜に原子層成長により形成したSi窒化膜を用いた微細フラッシュメモリの作製については、研究期間内に行う事ができなかった。
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