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シリコン結晶中の窒素の状態変化と濃度測定法の研究

研究課題

研究課題/領域番号 16560014
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関大阪府立大学

研究代表者

井上 直久  大阪府立大学, 産業官連機構, 教授 (60275287)

研究分担者 桝本 和義  大阪府立大学, 高エネルギ加速器研究機構・放射線科学センター, 教授 (60124624)
研究期間 (年度) 2004 – 2005
研究課題ステータス 完了 (2005年度)
配分額 *注記
3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2005年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
2004年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
キーワードシリコン単結晶 / 窒素 / 赤外吸収法 / 放射化分析法 / SIMS / 熱処理 / 電子遷移 / 炭素
研究概要

1.As-grown結晶中の窒素単量体の量を、単量体によるシャローサーマルドナーの電子準位測定と本研究で発見した局所振動による赤外吸収とにより見積もった。また析出量をSIMSによる評価と赤外吸収による溶存窒素濃度、放射化分析による全濃度との比較により見積もった。熱処理による単量体から二量体への変化は検出できなかった。
2.窒素濃度測定法
2.1.低濃度結晶中の窒素単量体については、対応すると見られる局在振動による赤外吸収ピークを発見したので、他の方法は不要となった。この窒素酸素対に格子間酸素を伴う構造からの可能性がある新しい複数のピークの濃度依存性・温度依存性を詳細に調べた。また国内の協力者と試料を交換しシャローサーマルドナー濃度の窒素濃度依存性と比較し、窒素酸素対の濃度を測定できる見通しを得た。国内協力者が熱処理によるドナーの変化を詳細に調べたので、赤外振動による赤外吸収との対応付けをした。赤外スペクトル処理法として従来の直線べースラインに代わる格子振動吸収フィッティング法を提案し、高精度化の効県を確認した。測定精度に対する試料温度の影響を明らかにした。ドイツの海外共同研究者の元で試料を測定し試料交換機法の効果を確認した。英国の海外共同研究者と理論計算の結果について討論した。
2.2.SIMS分析では、国内の協力研究者と協力して、濃度の深さ分布プロファイルに現れる析出物によるスパイクを用いて析出窒素量を見積もり、妥当な値を得た。他の協力者とも相談して、析出物濃度の測定法として規格に含ませることとした。
2.3.放射化分析では、湿式分析における条件を確立し、乾式法や他の分析法との整合性を確認した。放射化分析法による半導体結晶中の不純物分析法としては初めての測定法規格を制定できる見通しを得た。
2.4.赤外吸収、SIMS,放射化分析により同一の起源の試料をそれぞれ複数の機関で分析し、方法間の一致、機関間の一致が満足できることを確認した。これにより濃度1x10^<14>/cm^3以上に対する測定法を確立でき、規格化の基礎を得た。
3.以上の新しい方法を炭素濃度および炭素・酸素濃度対の測定法に適用できるか検討した。海外の研究協力者や国内の利用者の試料を測定して検出限界が1x10^<14>/cm^3に達することを明らかにした。

報告書

(3件)
  • 2005 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2004 実績報告書
  • 研究成果

    (35件)

すべて 2006 2005 2004

すべて 雑誌論文 (27件) 図書 (8件)

  • [雑誌論文] Local vibration modes of shallow thermal donors in nitrogen-doped CZ silicon crystals2006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, H.Ono
    • 雑誌名

      Physica B 376, 377

      ページ: 101-104

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Infrared absorption peaks in nitrogen doped CZ silicon2006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, H.Ono
    • 雑誌名

      Materials Science & Engineering B (予定)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書 2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Determination of low concentrations of N and C in CZ-Si by precise FTIR spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      V.D.Akhmetov, H.Richter, N.Inoue
    • 雑誌名

      Physica B (予定)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Local vibration modes of shallow thermal donors in nitrogen-doped CZ silicon crystals2006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, H.Ono
    • 雑誌名

      Physica B 376-377

      ページ: 101-104

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Infrared absorption peaks in nitrogen doped CZ silicon2006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, H.Ono
    • 雑誌名

      Materials Science & Engineering B

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Determination of low concentrations of N and C in CZ-Si by precise, FTIR spectroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      V.D.Akhmetov, H.Richter, N.Inoue
    • 雑誌名

      Physica B

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Standardization of Measurement of Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals2006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, K.Masumoto, M.Shinomiya, K.Kashima, K.Eifuku, M.Koizumi, T.Takahashi, T.Takenawa, A.Karen, K.Shingu, H.Yagi
    • 雑誌名

      Semiconductor Silicon 2006 (The Electrochemical Society)

      ページ: 453-460

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Infrared absorption measurement of carbon in silicon crystals2006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 雑誌名

      Semiconductor Silicon 2006 (The Electrochemical Society)

      ページ: 461-470

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Local vibration modes of shallow thermal donors in nitrogen-doped CZ silicon crystals2006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, H.Ono
    • 雑誌名

      Physica B B376-B377

      ページ: 101-104

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] 赤外吸収法によるCZシリコン中の窒素の濃度測定と熱処理挙動解析2005

    • 著者名/発表者名
      井上 直久, 中津 雅臣, 棚橋 克人, 金田 寛, 小野 春彦
    • 雑誌名

      シリコンテクノロジー 68

      ページ: 35-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Annealing Behavior of New Nitrogen Infrared Absorption Peaks in CZ slicon2005

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, K.Tanahashi, H.Yamada-Kaneta, H.Ono, V.D.Akhmetov, O.Lysytskiy, H.Richter
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 108, 109

      ページ: 609-614

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Infrared Absorption Measurement of Carbon Concentration Down to 1×10^<14>/cm^3 in CZ Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 108, 109

      ページ: 621-626

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Nitrogen concentration and thermal behavior characterized by infrared absorption spectroscopy2005

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, K.Tanahashi, H.Yamada-Kaneta, H.Ono
    • 雑誌名

      Silicon technology (in Japanese) No.68

      ページ: 35-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Annealing Behavior of New Nitrogen Infrared Absorption Peaks in CZ Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, K.Tanahashi, H.Yamada-Kaneta, H.Ono, V.D.Akhmetov, O.Lysytskiy, H.Richter
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 108-109

      ページ: 609-614

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書 2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Infrared Absorption Measurement of Carbon Concentration Down to 1×10^<14>/cm^3 in CZ Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 108-109

      ページ: 621-626

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書 2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] 赤外吸収法によるCZシリコン中の窒素の濃度測定と熱処理挙動解析2005

    • 著者名/発表者名
      井上 直久, 中津 雅臣, 棚橋 克人, 金田 寛, 小野 春彦
    • 雑誌名

      シリコンテクノロジー No.68

      ページ: 35-38

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Annealing Behavior of New Nitrogen Infrared Absorption Peaks in CZ Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, K.Tanahashi, H.Yamada-Kaneta, H.Ono, V.D.Akhmetov, O.Lysytskiy, H.Richter
    • 雑誌名

      GADEST 2005 (発表予定)

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Measurement of Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, A.Hashimoto, K.Shingu K.Masumoto
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 95, 96

      ページ: 489-494

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Measurement of Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, A.Hashimoto, K.Shingu, K.Masumoto
    • 雑誌名

      Solid State Phenomena 95-96

      ページ: 489-494

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Measurement of Nitrogen Concentration in CZ-Si below 10^<14>/cm^3 by IR Absorption Spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      M.Nakatsu, A.Hashimoto, A.Natsume, N.Inoue, H.Ono
    • 雑誌名

      High Purity Silicon VIII (The Electrochemical Society)

      ページ: 102-108

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Standardization of nitrogen analysis in CZ-Si by charged-particle activation analysis2004

    • 著者名/発表者名
      K.Masumoto, T.Nozaki, H.Yagi, Y.Minai, S.Saito, S.Futatsugawa, N.Inoue
    • 雑誌名

      High Purity Silicon VIII (The Electrochemical Society)

      ページ: 69-76

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Behavior of nitrogen in CZ silicon in annealing revealed by infrared absorption spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, K.Tanahashi, H.Yamada-Kaneta
    • 雑誌名

      Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon materials (JSPS)

      ページ: 115-118

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] IR Measurement of Carbon Concentration in Silicon Crystals2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 雑誌名

      Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon materials (JSPS)

      ページ: 119-122

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Measurement of Nitrogen Concentration in CZ-Si below 10^<14>/cm^3 by IR Absorption Spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      M.Nakatsu, A.Hashimoto, A.Ntsume, N.Inoue, H.Ono
    • 雑誌名

      High Purity Silicon VIII

      ページ: 102-108

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Standardization of nitrogen analysis in CZ-Si by charged-particle activation analysis2004

    • 著者名/発表者名
      K.Masumoto, T.Nozaki, H.Yagi, Y.Minai, S.Saito, S.Futatsugawa, N.Inoue
    • 雑誌名

      High Purity Silicon VIII

      ページ: 69-76

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Behavior of nitrogen in CZ silicon in annealing revealed by infrared absorption spectroscopy2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, K.Tanahashi, H.Yamada-Kaneta
    • 雑誌名

      Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon Materials

      ページ: 115-118

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] IR Measurement of Carbon Concentration in Silicon Crystals2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 雑誌名

      Proc.4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon Materials

      ページ: 119-122

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [図書] Standardization of Measurement of Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals, in Semiconductor Silicon 20062006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, K.Masumoto, K.Shinomiya, K.Kashima, K.Eifuku, M.Koizumi, T.Takahashi, T.Takenawa, A.Karen, K.Shingu, H.Yagi
    • 出版者
      The Electrochemical Society
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [図書] Infrared absorption measurement of carbon in silicon crystals, in Semiconductor Silicon 20062006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 出版者
      The Electrochemical Society
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [図書] Semiconductor Silicon 20062006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, K.Masumoto, M.Shinomiya, K.Kashima, K.Eifuku, M.Koizumi, T.Takahashi, T.Takenawa, A.Karen, K.Shingu, H.Yagi
    • 出版者
      Standardization of Measurement of Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals(5月予定)
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [図書] Semiconductor Silicon 20062006

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 出版者
      High sensitivity infrared absorption measurement of carbon in silicon crystals(5月予定)
    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [図書] Measurement of Nitrogen Concentration in CZ-Si below 10^<14>/cm^3 by IR Absorption Spectroscopy, in High Purity Silicon VIII2004

    • 著者名/発表者名
      M.Nakatsu, A.Hashimoto, A.Natsume, N.Inoue, H.Ono
    • 出版者
      The Electrochemical Society
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [図書] Standardization of nitrogen analysis in CZ-Si by charged-particle activation analysis, in High Purity Silicon VIII2004

    • 著者名/発表者名
      K.Masumoto, T.Nozaki, H.Yagi, Y.Minai, S.Saito, S.Futatsugawa, N.Inoue
    • 出版者
      The Electrochemical Society
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [図書] Behavior of nitrogen in CZ silicon in annealing revealed by infrared absorption spectroscopy, in Proc. 4^<th> Int.Symp.Advanced Science and Technology of Silicon Materials2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu, K.Takahashi, H.Yamada-Kaneta
    • 出版者
      日本学術振興協会
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要
  • [図書] IR Measurement of Carbon Concentration in Silicon Crystals. in Proc.4^<th> Int. Symp. Advanced Science and Technology of Silicon Materials2004

    • 著者名/発表者名
      N.Inoue, M.Nakatsu
    • 出版者
      日本学術振興協会
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2005 研究成果報告書概要

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公開日: 2004-04-01   更新日: 2016-04-21  

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