次世代極薄高誘率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

• 研究課題/領域番号: 16560020
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 白石 賢二 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教授 (20334039)
• 研究分担者: 秋山 亨 三重大学, 工学部, 助手 (40362363)
• 研究期間 (年度): 2004 – 2005
• 研究課題ステータス: 完了 (2005年度)
• 配分額: 3,200千円 (直接経費: 3,200千円); 2005年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円); 2004年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
• キーワード: LSI / シリコン / 半導体 / 格子欠陥 / 不純物 / 絶縁膜 / 高誘電率絶縁膜 / 界面反応 / 量子論 / 理論 / 第一原理計算 / 界面 / 欠陥 / シリコンナノ構造 / Si / SiO_2界面 / High-k絶縁膜 / Si界面 / トランジスタ特性 / HfO_2

研究概要

本研究プロジェクトでは、高誘電率絶縁膜の基本物性の中でも特に格子欠陥の物性解明に焦点を当てて研究を行った。また、同時に高誘電率絶縁膜を用いる場合でも下地絶縁膜として不可欠なSiO_2絶縁膜の原子レベルでの形成過程の解明も目指した。その結果、以下の結果が得られた。
(1)高誘電率絶縁膜として最も有望視されているHfO_2系絶縁膜がイオン結晶であるという最も単純な事実に注目し、p+poly-Siゲート/HfO_2系絶縁膜界面で観測されるフェルミレベルビ。ニングについて議論した。その結果、HfO_2から酸素を引き抜いてpo1y-Siゲートが部分的に酸化されるという反応によって、HfO_2中に酸素空孔と2つの電子が同時に生成され、さらに生成された電子がpoly-Siゲート側に移動することによって生じる界面ダイポールが大きなVfbシフトの原因となることを理論的に明らかにした。こうして生じるフェルミレベルピニングは界面反応のエナージェティクスで支配されるため、ピニング位置は膜質、プロセス条件には殆ど依存しないことになる。
(2)第一原理計算によって、HfO_2中でのN涼子の効果を原子レベルで調べた。その結果、N原子にはVoに由来するギャップ準位を不活性化することでリーク電流を大幅に減少させる本質的で新しい効果があることがわかった。
(3)Hf系絶縁膜の下地絶縁膜として使用されるSiO_2絶縁膜の形成過程についても、第一原理量子論によって考察を行った。その結果、下地SiO_2絶縁膜の形成過程には、界面近傍の歪みが大きく影響することを見出した。歪み解放の状況は通常のSiO_2形成時とHf系絶縁膜とでは大きく異なると考えられる。この歪み解放の相違が下地絶縁膜の膜質や膜厚に依存するとともに、Hf系絶縁膜中に拡散することが知られているSi原子の振る舞いにも大ぎな影響があると考えられる。

研究成果

• [雑誌論文] Transport mechanism of interfacial network forming atoms during silicon oxidation (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 雑誌名: Jap. J. of Appl. Phys. 45 ページ: 694-699
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Unique behavior of F-centers in high-k Hf-based Oxide (2006)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa
  • 雑誌名: Physica B 376-377 ページ: 392-394
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Mechanism of oxide deformation during silicon thermal oxidation (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 雑誌名: Physica B 376-377 ページ: 407-410
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positoron beams (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Uedono
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 99 ページ: 54507-54507
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of N atom doping on dielectric constants of Hf-based gate oxides" (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Momida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 88 ページ: 112903-112903
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Enhanced Si and B diffusion in semiconductor-grade SiO_2 and the effect of strain on diffusion (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 270-275
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Oxygen-vacancy-induced threshold voltage shifts in Hf-related high-k gate stacks" (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 305-310
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] A first-principles study of O_2 diffusion in compressively strained high-fensity silicon oxides (2006)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 311-314
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy in Hf-based High-k Gate Oxides (2006)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa
  • 雑誌名: Trans. Material Res. Soc. Jpn. 31 ページ: 129-132
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Transport mechanism of interfacial network forming atoms during silicon oxidation (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi.
  • 雑誌名: Jap.J.of Appl.Phys. 45 ページ: 694-699
  • NAID: 40007140212
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Unique behavior of F-centers in high-k Hf-based Oxide (2006)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, M.Boero, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, Y.Nara
  • 雑誌名: Physica B 376-377 ページ: 392-394
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Mechanism of oxide deformation during silicon thermal oxidation (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Physica B 376-377 ページ: 407-410
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Characterization of HfSiON gate dielectrics using monoenergetic positoron beams (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Uedono, K.Ikeuchi, T.Otsuka, K.Shiraishi, K.Yamabe, S.Miyazaki, N.Umezawa, A.Hamid, T.Chikyow, T.Ohdaira, M.Muramatsu, R.Suzuki, S.Inumiya, S.Kamiyama, Y.Akasaka, Y.Nara, K.Yamada
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 99 ページ: 54507-54507
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effect of N atom doping on dielectric constants of Hf-based gate oxides (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Momida, T.Hamada, T.Yamamoto, T.Uda, N.Umezawa, T.Chikyow, K.Shiraishi, T.Ohno
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 88 ページ: 112903-112903
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Enhanced Si and B diffusion in semiconductor-grade SiO2 and the effect of strain on diffusion (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M.Otani, A.Oshiyama
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 270-275
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Oxygen-vacancy-induced threshold voltage shifts in Hf-related high-k gate stacks (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado, Y.Nara
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 305-310
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A first-principles study of O_2 diffusion in compressively strained high-fensity silicon oxides (2006)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Keiichi Kawamoto, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 311-314
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Enol-to-keto Tautomerism of Peptide Groups (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Kamiya, M.Boero, K.Shiraishi, A.Oshiyama
  • 雑誌名: Journal of Physical Chemistry B 110 ページ: 4443-4443
• [雑誌論文] Half-metallic exchange bias ferromagnetic/antiferromagnetic interfaces in transition-metal chalcogenides (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Nakamura, Y.Kato, T.Akiyama, T.Ito, A.J.Freeman
  • 雑誌名: Physical Review Letters 96 ページ: 47206-47206
• [雑誌論文] Transport mechanism of interfacial network forming atoms during silicon oxidation (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Part 1 45 ページ: 694-694
  • NAID: 40007140212
• [雑誌論文] An empirical potential approach to wurtzite-zinc blende polytypism in group III-V semiconductor nanowires (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, K.Sano, K.Nakamura, T.Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Part 2 45
  • NAID: 10018158441
• [雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 86 ページ: 143507-143507
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Reaction mechanisms of oxygen at SiO_2/Si(100) interface (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama
  • 雑誌名: Surface Science 576
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] First-principles study of excess Si-atom stability around Si oxide/Si interfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 雑誌名: Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors ページ: 389-390
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Microscopic theory of oxygen reaction mechanisms at SiO_2/Si(100) interface (2005)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama
  • 雑誌名: Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors ページ: 393-394
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Atomic Processes at and near Silicon/Silicon Dioxide interfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi
  • 雑誌名: Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors ページ: 427-430
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Theoretical investigation of oxygen diffusion in compressively strained high-density α-quartz (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama
  • 雑誌名: Jap. J. of Appl. Phys. 44 ページ: 7427-7429
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu
  • 雑誌名: Jap. J. Appl. Phys. PART 1, (2005) 44 ページ: 7756-7759
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe
  • 雑誌名: Jap. J. Appl. Phys. PART 2 44
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlO_x formed by D_2O-ALD (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Torii
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Lett. 26 ページ: 722-724
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Impact of Electrode-side Chemical Structures on Electron Mobility in Metal/HfO2 MISFETs with sub-1nm EOT (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Akasaka
  • 雑誌名: Technical Digest of 2005 Symposium on VLSI Technology, Kyoto, Japan ページ: 228-229
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces -Guiding principles for gate metal selection- (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi
  • 雑誌名: Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, Washington D.C. ページ: 43-46
  • NAID: 110004382125
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] HfO_2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル (2005)
  • 著者名/発表者名: 鳥居和功
  • 雑誌名: 応用物理 74 ページ: 1211-1216
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Nakaoka
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2004 Conference on Solid State Device and Materials, Kobe, Japan ページ: 860-861
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Microscopic Effect of Nitrogen Doping on Dielectric Constant of Hf-silicate (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Momida
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2004 Conference on Solid State Device and Materials, Kobe, Japan ページ: 488-489
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] The Role of Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Dielectrics : Reduction in Electron Charge Traps (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa
  • 雑誌名: Proceedings of 35^<th> European Solid-State Device Research Conference, Grenoble, France.
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, H.Watanabe, T.Chikow, K.Torii, K.Yamabe, H.Kitajima, T.Arikado
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 86 ページ: 143507-143507
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Reaction mechanisms of oxygen at SiO_2/Si(100) interface (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, H.Kageshima
  • 雑誌名: Surface Science 576
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] First-principles study of excess Si-atom stability around Si oxide/Si interfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors ページ: 389-390
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Microscopic theory of oxygen reaction mechanisms at SiO_2/Si(100) interface (2005)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors ページ: 393-394
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Theoretical investigation of oxygen diffusion in compressively strained high-density α-quartz (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, H.Kageshima, M.Uematsu, T.Ito
  • 雑誌名: Jap.J.of Appl.Phys. 44 ページ: 7427-7429
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Jap.J.Appl.Phys.PART 1 44 ページ: 7756-7759
  • NAID: 10016870318
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi, S.Yoshida, Y.Watanabe, T.Arikado, T.Chikyow, K.Yamada, K.Yasutake
  • 雑誌名: Jap.J.Appl.Phys.PART 2 44
  • NAID: 10016856711
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Torii, T.Kawahara, K.Shiraishi
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Lett. 26 ページ: 722-724
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Impact of Electrode-side Chemical Structures on Electron Mobility in Metal/HfO2 MISFETs with sub-1nm EOT (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Akasaka, K.Miyagawa, T.Sasaki, K.Shiraishi, S.Kamiyama, O.Ogawa, F.Ootsuka, Y.Nara
  • 雑誌名: Technical Digest of 2005 Symposium on VLSI Technology, Kyoto, Japan ページ: 228-229
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces -Guiding principles for gate metal selection- (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakayama, T.Nakaoka, G.Nakamura, K.Torii, H.Furutou, A.Ohta, P.Ahmet, K.Ohmori, H.Watanabe, T.Chikyow, M.L.Green, Y.Nara, K.Yamada
  • 雑誌名: Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, Washington D.C., USA ページ: 43-46
  • NAID: 110004382125
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Reliability degradation model of HfO_2 related high-k gate dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Torii, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Yamada
  • 雑誌名: Ouyobutsuri 74 ページ: 1211-1216
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] First-principles studies on metal induced gap states(MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Nakaoka, K.Shiraishi, Y.Akasaka, T.Chikyow, K.Yamada, Y.Nara
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2004 Conference on Solid State Device and Materials, Kobe, Japan ページ: 860-861
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Microscopic Effect of Nitrogen Doping on Dielectric Constant of Hf-silicate (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Momida, T.Hamada, T.Yamamoto, T.Uda, N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Chikyow, T.Ohno
  • 雑誌名: Extended Abstracts of the 2004 Conference on Solid State Device and Materials, Kobe, Japan ページ: 488-489
  • NAID: 10022542324
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effect of nitrogen on diffusion in silicon oxynitride (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Japanease Journal of Applied Physics PART 1 44 ページ: 7756-7756
  • NAID: 10016870318
• [雑誌論文] Role of nitrogen incorporation into Hf-based high-k gate dielectrics for termination of local current leakage paths (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Watanabe, S.Kamiyama, N.Umezawa, K.Shiraishi, S.Yoshida, Y.Watanabe, T.Arikado, T.Chikyow, K.Yamada, K.Yasutake
  • 雑誌名: Japanease Journal of Applied Physics PART 2 44
  • NAID: 10016856711
• [雑誌論文] Improvement of interfacial layer reliability by incorporation of deuterium into HfAlOx formed by D_2O-ALD (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Torii, T.Kawahara, K.Shiraishi
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Letters 26 ページ: 722-722
• [雑誌論文] A practical treatment for the three-body interactions in the transcorrelated variational Monte Carlo method : Application to atoms from lithium to neon (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa, S.Tsuneyuki, T.Ohno, K.Shiraishi, T.Chikyow
  • 雑誌名: Journal of Chemical Physics 122 ページ: 224101-224101
• [雑誌論文] First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa, K.Shiraishi, T.Ohno, H.Watanabe, T.Chikyow, K.Torii, K.Yamabe, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 86 ページ: 143507-143507
• [雑誌論文] Impact of Electrode-side Chemical Structures on Electron Mobility in Metal/HfO_2 MISFETs with sub-1nm EOT (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Akasaka, K.Miyagawa, T.Sasaki, K.Shiraishi, S.Kamiyama, O.Ogawa, F.Ootsuka, Y.Nara
  • 雑誌名: Technical Digest of 2005 Symposium on VLSI Technology, Kyoto, Japan ページ: 228-228
• [雑誌論文] Universal theory of workfunctions at metal/Hf-based high-k dielectrics interfaces -Guiding principles for gate metal selection (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi, Y.Akasaka, S.Miyazaki, T.Nakayama, T.Nakaoka, G.Nakamura, K.Torii, H.Furutou, A.Ohta, P.Ahmet, K.Ohmori, H.Watanabe, T.Chikyow, M.L.Green, Y.Nara, K.Yamada
  • 雑誌名: Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, Washington D.C., USA ページ: 43-43
  • NAID: 110004382125
• [雑誌論文] New Electron States that Float on semiconductor and Metal Surface (2005)
  • 著者名/発表者名: S.Okada, Y.Enomoto, K.Shiraishi, A.Oshiyama
  • 雑誌名: Surface Science 585
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to Ga adatom migration on GaAs(n11)A-(001) non-planar surfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, K.Asano, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
  • 雑誌名: Applied.Surface.Science 244 ページ: 178-178
• [雑誌論文] Theoretical investigation of phase transition on GaAs(001)-c(4x4) surface (2005)
  • 著者名/発表者名: H.Ishizaki, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi, T.Ito
  • 雑誌名: Applied.Surface.Science 244 ページ: 186-186
• [雑誌論文] An empirical potential approach to structural stability of GaN_xAs_<1-x> thin films on GaAs(111) (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Suda, T.Akiyama, K.Nakamura
  • 雑誌名: Applied Surface Science 244 ページ: 170-170
• [雑誌論文] An empirical potential approach to dislocation formation and resultant structural stability in GaN_xAs_<1-x> (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Kawamoto, T.Suda, T.Akiyama, K.Nakamura, T.Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science 244 ページ: 182-182
• [雑誌論文] Magnetic domain wall structures in free-standing Fe(110) monolayers (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Takeda, K.Nakamura, T.Akiyama, T.Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science 244 ページ: 485-485
• [雑誌論文] Theoretical investigation of oxygen diffusion in compressively strained high-density α-quartz (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, H.Kageshima, M.Uematsu, T.Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Part 1 44 ページ: 7427-7427
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaAs(001) surfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, H.Ishizaki, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Shiraishi, A.Taguchi
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3 ページ: 488-488
  • NAID: 130004438978
• [雑誌論文] Theoretical investigation of indium surface segregation in InGaN thin films (2005)
  • 著者名/発表者名: S.Inahama, T.Akiyama, K.Nakamura, T.Ito
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3 ページ: 503-503
  • NAID: 130004438981
• [雑誌論文] Theoretical investigation of the structural stability of zinc blende GaN thin films (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Araki, T.Akiyama, K.Nakamura, T.Ito
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3 ページ: 507-507
  • NAID: 130004438980
• [雑誌論文] Magnetic and electronic structures of zinc-blende ferromagnetic/antiferromagnetic Interfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: Y.Kato, T.Akiyama, K.Nakamura, T.Ito
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 4 ページ: 58-58
  • NAID: 130004933909
• [雑誌論文] First Principles Studies on the Novel Intrinsic Effect of Nitrogen Atoms for Reduction in Gate Leakage Current through Hf-based High-k Dielectrics (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa, K.Shiraishi, et al.
  • 雑誌名: Applied Physics Letters (in press)
• [雑誌論文] Correlated diffusion of silicon and boron in thermally grown SiO_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 85 ページ: 221-223
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Simulation of correlated diffusion of Si and B in thermally grown SiO_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 96 ページ: 5513-5519
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Effect of Si/SiO_2 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: S.Fukatsu
  • 雑誌名: Jap. J. Appl. Phys. 43 ページ: 7837-7842
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Theoretical Study of Excess Si Emitted from Si-Oxide/Si Interfaces (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 雑誌名: Jap. J. Appl. Phys. Part 1 43 ページ: 8223-8226
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Physical model of BTI, TDDB, and SILC in HfO_2-based high-k dielectrics (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Torii
  • 雑誌名: Tech. Digest of 2004 IEEE International Electron Device Meeting (San Francisco, USA, December 13-15, 2004) ページ: 129-132
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Physics in Fermi Level Pinning at the PolySi/Hf-based High-k Oxide Interface (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi
  • 雑誌名: Tech. Digest of 2004 Symposium on VLSI Technology, (Honolulu, USA, June 15-17, 2004) ページ: 108-109
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Oxygen Vacancy Induced Substantial Threshold Voltage Shifts in the Hf-based High-k MISFET with p^+poly-Si Gates -A Theoretical Approach (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, Express Letter 43
  • NAID: 10013787295
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] 多くの現象を説明できる新モデル「酸素空孔説」を提案 (2004)
  • 著者名/発表者名: 白石賢二
  • 雑誌名: 日経マイクロデバイス 10月号 ページ: 55-58
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Characterization of Hf_<0.3>Al_<0.7>O_x Fabricated by Atomic-Layer-Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Uedono
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 43 ページ: 7847-7852
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] First-principles analyses of O_2 molecules around ultrathin SiO_2/Si(100) interface (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama
  • 雑誌名: Jap. J. of Appl. Phys, 43 ページ: 7903-7908
  • NAID: 10014215293
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Correlated diffusion of silicon and boron in thermally grown SiO_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 85 ページ: 221-223
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Simulation of correlated diffusion of Si and B in thermally grown Si O_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 96 ページ: 5513-5519
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Effect of Si/SiO_2 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_2 (2004)
  • 著者名/発表者名: S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Jap.J.Appl.Phys. 43 ページ: 7837-7842
  • NAID: 10014215041
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Theoretical Study of Excess Si Emitted from Si-Oxide/Si Interfaces (2004)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima, M.Uematsu, K.Akagi, S.Tsuneyuki, T.Akiyama, K.Shiraishi
  • 雑誌名: Jap.J.Appl.Phys.Part 1 43 ページ: 8223-8226
  • NAID: 10014216586
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Physical model of BTI, TDDB, and SILC in HfO_2-based high-k dielectrics (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Torii, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Yamabe, M.Boero, T.Chikyow, K.Yamada, H.Kitajima, T.Arikado
  • 雑誌名: Tech.Digest of 2004 IEEE International Electron Device Meeting (San Francisco, USA, December 13-15, 2004) ページ: 129-132
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Physics in Fermi Level Pinning at the PolySi/Hf-based High-k Oxide Interface (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado
  • 雑誌名: Tech.Digest of 2004 Symposium on VLSI Technology, (Honolulu, USA, June 15-17, 2004) ページ: 108-109
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Oxygen Vacancy Induced Substantial Threshold Voltage Shifts in the Hf-based High-k MISFET with p+poly-Si Gates -A Theoretical Approach (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi, K.Yamada, K.Torii, Y.Akasaka, K.Nakajima, M.Konno, T.Chikyow, H.Kitajima, T.Arikado
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys.Part 2, Express Letter 43
  • NAID: 10013787295
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Proposal of a new O-vacancy model that can explain many phenomena (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi, K.Yamada, T.Chikyow
  • 雑誌名: Nikkei Micro Device Vol.10 ページ: 55-58
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Characterization of Hf_<0.3>Al_<0.7>O_x Fabricated by Atomic-Layer-Deposition Technique Using Monoenergetic Positron Beams (2004)
  • 著者名/発表者名: A.Uedono, M.Goto, K.Higuchi, K.Shiraishi, K.Yamabe, H.Kitajima, R.Mitsuhashi, A.Horiuchi, K.Torii, T.Arikado, R.Suzuki, T.Ohdaira, K.Yamada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys.Part 1 43 ページ: 7847-7852
  • NAID: 10014215085
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] First-principles analyses of O_2 molecules around ultrathin SiO_2/Si(100) interface (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, H.Kageshima, T.Ito
  • 雑誌名: Jap.J.of Appl.Physi. 43 ページ: 7903-7908
  • NAID: 10014215293
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Oxygen Vacancy Induced Substantial Threshold Voltage Shifts in the Hf-based High-K MISFET with p+poly-Si Gates -A Theoretical Approach (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi et al.
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 43
  • NAID: 10013787295
• [雑誌論文] Physics in Fermi Level Pinning at the PolySi/Hf-based High-k Oxide Interface (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Shiraishi et al.
  • 雑誌名: Technical Digest of 2004 Symposium on VLST Technology, Honolulu, USA ページ: 108-109
• [雑誌論文] Physical Model of BTI, TDDB, and SILC in HfO_2 based high-k gate dielectrics (2004)
  • 著者名/発表者名: K.Torii, K.Shiraishi, et al.
  • 雑誌名: Technical Digest of 2004 IEEE International Electron Device Meeting, San Francisco, USA ページ: 129-132
  • NAID: 110003311212
• [雑誌論文] First-principles analyses of O_2 molecules around ultrathin SiO_2/Si(100) interface (2004)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, H.Kageshima, T.Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 43 ページ: 7903-7908
  • NAID: 10014215293
• [雑誌論文] The Role of Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Dielectrics : Reduction in Electron Charge Traps
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa, K.Shiraishi, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, H.Watanabe, K.Yamabe, T.Ohno, K.Yamada, Y.Nara
  • 雑誌名: Proceedings of 35^<th> European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2005)(12-16 September 2005, Grenoble, France.) ページ: 201-204
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] An Unfavorable Effect of Nitrogen Incorporation on Reduction in the Oxygen Vacancy Formation Energy in Hf-based High-k Gate Oxides
  • 著者名/発表者名: N.Umezawa, K.Shiraishi, Y.Akasaka, S.Inumiya, A.Uedono, S.Miyazaki, T.Chikyow, T.Ohno, Y.Nara, K.Yamada
  • 雑誌名: Trans.Material Res.Soc.Jpn. 31 ページ: 129-132
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より