| 研究概要 |
微弱な光強度でもパルス幅が測定できる、超短パルスレーザー光用のパルス幅測定システムを構築することを目的として研究を行った。微弱な強度のパルス光で測定が行えれば,応用実験と同時平行でパルス幅の測定が行え、パルス幅の常時測定が実現できる.微弱光強度での測定を実現するために,高感度でエネルギー蓄積型のフォトリフラクティブ多重量子井戸構造デバイスを用い,超短パルス光による縮退四光波混合過程を応用してシステムを構築した。
分子線エピタキシー法によって作成した、半導体(GaAs/AlGaAs)薄膜で構成された多重量子井戸構造の光デバイス化を行った。作成された多重量子井戸構造に、プロトンを一定量注入し、欠陥を発生させることによって、電界吸収効果を介したフォトリフラクティブ効果を付加した構造を作成した。作成した構造は,機械的研磨と化学的エッチングにより光学素子として構成した。これまでの研究で作成していた多重量子井戸構造を、光学素子として利用できるように処理を行い、実験に利用しやすい素子を製作した。製作した素子のそれぞれについて基礎特性の測定を行い、吸収係数やエキシトンのピーク波長をえた。また、デバイスに電界を印加することで発生する吸収量の変化を測定し、電界吸収効果を確認した。また、BaB_2O_4結晶による第2高調波発生現象を利用して,超短パルス光のパルス幅測定を行った。通常の配置と異なり,同軸入射を試み,同軸入射配置での測定を行うことができた。基本波と高調波が,同軸で出射するので,二つの波の分光が同時に行え,スペクトル位相の同時測定が高精度に行える可能性があることが明らかとなった。
|
