| 研究課題/領域番号 |
16560742
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
エネルギー学
|
|---|
| 研究機関 | 福井工業高等専門学校 |
|---|
研究代表者 |
山本 幸男 福井工業高等専門学校, 電気電子工学科, 助教授 (50182655)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2004 – 2005
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
2005年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2004年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
|
|---|
| キーワード | CIS薄膜 / アブレーション法 / 放射光の照射 |
|---|
| 研究概要 |
太陽光は石油などに替わる有望なエネルギーとして最近とみに注目されているが、そめキーテクノロジーが高効率・低価格な太陽電池の実現である。そこで世界的に研究されているのがカルコパイライト構造を持つ化合物半導体として知られるCuInSe_2やCuInS_2などのCIS薄膜を光吸収層とする薄膜太陽電池である。太陽電池が宇宙空間でのエネルギー確保という観点から有効な発電手段であることは従来より指摘されているが、CIS薄膜太陽電池が宇宙という極めて厳しい環境下でどのような特性変化を示すかについてはほとんど報告例がない。
本研究はCIS薄膜をベースとする太陽電池が宇宙空間での利用を前提としたとき非常に有力な候補になる可能性があることを実験的に確認することを目的としている。平成16年度は、太陽電池セルの試作および基礎特性の評価を行い、おおむね良好な結果を得ることができた。しかしそれらの薄膜を組み合わせて太陽電池セルを試作してみたところ、所定の性能が発揮されておらず、太陽電池としての発電性能を有していないことが判明した。
そこで平成17年度は前年度に引き続き、高品質CIS薄膜をべースとした太陽電池セルの試作を繰り返し、作製環境のさらなる清浄化に努力した。これは薄膜界面における結晶格子の不整合が主に起因すると考えられたためである。特に光吸収層となるCIS薄膜と窓層となるZnO薄膜、そしてバッファ層となるCdS薄膜の三者間の界面制御が困難を極めた。結果として発電性能を要するセルの試作には成功したものの、発電効率が当初目標を大きく下回り、所定の性能を発揮する試作セルを用いた放射光の照射実験を行うことはできなかった。
|
