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理想的な強相関二次元系の作成と乱れによる金属的伝導

研究課題

研究課題/領域番号 16740189
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 物性Ⅱ
研究機関東京大学

研究代表者

須崎 友文  東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助手 (20332265)

研究期間 (年度) 2004 – 2005
研究課題ステータス 完了 (2005年度)
配分額 *注記
3,700千円 (直接経費: 3,700千円)
2005年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
2004年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
キーワード強相関電子系 / 結晶成長 / 表面・界面 / アンダーソン局在
研究概要

本研究課題は酸化物において低次元性と不規則性がどのような非自明な振る舞いを見せるかを明らかにするものである。本年度は、これまで系統的に研究を進めてきたチタン酸化物に加えて、3d系強相関酸化物の代表とも言えるバナジウム酸化物を素材とし、レーザーアブレーション法を用いて超構造を作製し、その構造と輸送特性を調べた。ペロブスカイト型構造をとるバナジウム酸化物は、La,Sr,CaをAサイト原子としてさまざまな化合物を作ることが知られており、遷移金属の価数制御(フィリング制御)、理想的な立方格子からのずれを利用した3dバンド幅制御を行うことができる。本年度は、特にAサイトにLa、 Srを用いることで、それぞれモット絶縁体と強相関金属を作製し、成長時の基板温度と酸素圧を調整することで、いずれの場合も一層ずつ堆積する理想的な二次元成長が実現することを明らかにした。さらに、両者を組み合わせた超構造を作製し、電子顕微鏡により界面の急峻性を調べた。その結果、界面を一枚しか含まないLaバナジウム酸化物とSrバナジウム酸化物の界面は、どの試料についても界面のぼやけが存在するのに対し、両者の積層構造においては界面が非常に急峻であることが分かった。Laバナジウム酸化物とSrバナジウム酸化物では、電荷の積層のパターンが異なるため、界面においては余分の電荷が存在することになる。この不安定性が、単一界面においては解消されずに、原子の拡散によってのみ緩和されるのに対し、繰り返し積層構造においては、短い周期で存在する各界面において余分の電荷の効果は打ち消しあっているため、エネルギー的に安定である。このような機構から急峻な界面構造が保存すると結論できる。

報告書

(2件)
  • 2005 実績報告書
  • 2004 実績報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて 2005 2004

すべて 雑誌論文 (3件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Atomically Flat(110)SrTiO3 and Heteroepitaxy2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Mukunoki, N.Nakagawa, T.Susaki, H.Y.Hwang
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 86

      ページ: 171908-171908

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Magnetocapacitance and exponential magnetoresistance in manganite- titanate heterojunctions2005

    • 著者名/発表者名
      N.Nakagawa, M.Asai, Y.Mukunoki, T.Susaki, H.Y.Hwang
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 86

      ページ: 82504-82504

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Investigation of the electronic interaction between TiO2(110) surfaces and Au clusters by PES and STM2004

    • 著者名/発表者名
      T.Minato, T.Susaki, S.Shiraki, H.S.Kato, M.Kawai, K.Aika
    • 雑誌名

      Surface Science 566-568

      ページ: 1012-1012

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [産業財産権] ヘテロ接合素子、ヘテロ接合モジュール、及びヘテロ接合素子の制御方法2004

    • 発明者名
      須崎 友文, 他3名
    • 権利者名
      須崎 友文, 他3名
    • 産業財産権番号
      2004-252809
    • 出願年月日
      2004-08-31
    • 関連する報告書
      2004 実績報告書

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公開日: 2004-04-01   更新日: 2020-05-15  

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