| 研究課題/領域番号 |
16F16347
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 研究分野 |
有機・ハイブリッド材料
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
若山 裕 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, グループリーダー (00354332)
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| 研究分担者 |
JEONG YESUL 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2016-11-07 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2017年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2016年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / メモリ / 遷移金属カルコゲナイド / 強誘電性高分子 / 二次元原子膜 / 強誘電高分子 / メモリ－ / センサー |
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| 研究実績の概要 |
軽くて薄く、かつ柔軟で携帯できるようなセンサーやメモリの開発を目的にした。薄膜トランジスタを基本的な素子構造として、圧力や電力、光などに応答する機能性を探索した。具体的には遷移金属カルコゲナイドの中で最も重点的に研究が進められているMoS2（二硫化硫黄）をトランジスタチャネルとして用いた。さらに高分子の強誘電薄膜をゲート絶縁膜として用いることにより圧電性や焦電性を持たせ、その変化をトランジスタの特性変化として検知するようにした。まずはMoS2の成膜プロセスを確立するところから着手した。その結果、多段階の化学気相法でMoS2薄膜の成長条件を最適化し、トランジスタ動作することを確認した。強誘電性の高分子薄膜については成膜後の加熱処理条件を最適化することにより、結晶性の薄膜を成長させることができた。以上の成果によりセンサーおよびメモリ機能を持った薄膜トランジスタ開発の基礎をなすことができた。
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| 現在までの達成度 (段落) |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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