| 研究課題/領域番号 |
16F16710
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
小泉 聡 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主席研究員 (90215153)
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| 研究分担者 |
MARECHAL AURELIEN 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2016-07-27 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2016年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | ダイヤモンド薄膜 / 電界効果トランジスタ / 界面 |
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| 研究実績の概要 |
本研究の目的は、半導体ダイヤモンドを用いた電子デバイスを作製することで、パワーエレクトロニクス応用におけるダイヤモンドが本来備える物性の優位性を明らかにするものである。初年度においてはデバイス形成の基礎実験として、光電子分光による絶縁体/ダイヤモンド界面の分析を行い、MOSデバイス形成に至る理論的検討を行った。プラズマCVD法で形成した水素終端｛111｝リンドープn型およびホウ素ドープp型ダイヤモンド表面に誘電体薄膜としてアルミナをALDにより成膜し、その界面をXPSにより分析した。その結果、世界で初めてp型およびn型ダイヤモンド｛111｝表面での価電子帯エネルギースペクトル、誘電体との価電子帯バンドオフセットを系統的に定量評価することに成功した。特に重要な成果として、水素終端｛111｝n型ダイヤモンド表面ではエネルギーオフセットが2.7eVと大きく、この界面構造が反転モードで動作可能なpチャネルMOSFETの形成に適していることがわかった。これはダイヤモンドにおいてこれまで不可能であったパワーMOSFETの実現に重要なステップとなる成果である。
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| 現在までの達成度 (段落) |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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