| 研究課題/領域番号 |
16H02330
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
長 康雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (40179966)
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| 研究分担者 |
山末 耕平 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70467455)
平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (70436161)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
中途終了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
44,330千円 (直接経費: 34,100千円、間接経費: 10,230千円)
2016年度: 11,310千円 (直接経費: 8,700千円、間接経費: 2,610千円)
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| キーワード | 走査型非線形誘電率顕微鏡 / 界面電荷輸送現象 / 超高次非線形誘電率顕微鏡 / 走査型非線形誘電率ポテンショメトリ / 局所DLTS法 / 超高次非線形誘電率顕微鏡法 / 走査型非線形誘電率ポテンショメリ |
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| 研究実績の概要 |
界面電荷輸送現象における諸問題の起源解明のための，新規多機能・高性能走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）群を研究開発する．具体的には局所Deep-level transient spectroscopy(DLTS)法の行えるSNDM装置と走査型非線形誘電率常磁性共鳴顕微鏡法（SNDMR）を新規に開発のする.また近年開発してきた走査型非線形誘電率ポテンショメトリ（SNDP）法や，原子分解能非接触走査型非線形誘電率顕微鏡（NC-SNDM）法，超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM）の更なる高度化を図りそれらを総て組み合わせ，半導体MOS界面やグラフェン/SiCの移動度低下の原因を特定し，半ば永遠の工学的問題とされて来た問題を一挙に解決できる装置群とする．ひいては界面（表面）を使った半導体デバイスや伝導デバイスの性能を飛躍的に向上させる事に貢献する事を目的とする．
この目的を達成するため本年度は
①超高次非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM）の更なる高度化.
②原子分解能非接触SNDM(NC-SNDM)法並びに界面評価用非線形誘電率ポテンショメリ（SNDP）の高度化．
③局所DLTS法の開発.
を行う予定であったが研究を開始した直後，基盤研究（S）に採択され，重複制限に該当するため本基盤研究(A)は取り消しとなった．そのため実質的に研究できる期間は皆無であり，当然のことながら研究実績も一切無い.
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| 現在までの達成度 (段落) |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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