AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御

• 研究課題/領域番号: 16H02332
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
• 研究分担者: 川上 養一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
• 研究期間 (年度): 2016-04-01 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2020年度)
• 配分額: 43,680千円 (直接経費: 33,600千円、間接経費: 10,080千円); 2020年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2019年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円); 2018年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円); 2017年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円); 2016年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
• キーワード: 電子材料 / 結晶工学 / 紫外光源技術 / 電気・電子材料 / 電子・電気材料

研究成果の概要

本研究では，窒化物半導体AlGaNを用いた深紫外域(波長：210~300 nm)での超高効率な発光を目指し，非輻射再結合過程の解明・抑制と輻射再結合過程の増強を目指した．前者に関して，従来のAlGaN系量子井戸では，Al空孔が主たる非輻射再結合中心であることがわかった．また線欠陥導入のメカニズムの理解も進んだ．これらの欠陥を排除する結晶成長条件の探索や新しい素子構造の提案を通じて，非輻射再結合の抑制を達成した．後者に関しては，新奇結晶面の利用による分極制御を図り，輻射再結合の増強を実証した．結果として，研究開始時に0.1%程度と見積もられた内部量子効率を50%程度にまで引き上げることができた．

研究成果の学術的意義や社会的意義

学術的意義の一つとして，ワイドギャップ半導体AlGaNの物性理解が進んだことを指摘することができる．例えば，点欠陥の光学特性への影響がAl組成を高めると顕著に表れることが実験的に示された．また，結晶成長に関連して，過飽和度が点欠陥形成に与える影響，格子緩和現象の解明，表面原子の吸着・脱離の制御による単分子層量子井戸の作製，新奇結晶面における輻射再結合の増強などで基礎的な知見が得られた．これらの基礎学術的な知見を通じて，発光効率を律速する要因のいくつかが解明され，社会実装に向けての大きな課題の一つである効率の改善に向けて重要な指針を示すことができた．

研究成果

• [国際共同研究] Institute of High Pressure Physics(ポーランド)
• [雑誌論文] Influence of substrate misorientation on the emission and waveguiding properties of a blue (In,Al,Ga)N laser-like structure studied by synchrotron radiation microbeam X-ray diffraction (2021)
  • 著者名/発表者名: A. Kafar, A. Sakaki, R. Ishii, S. Stanczyk, K. Gibasiewicz, Y. Matsuda, D. Schiavon, S. Grzanka, T. Suski, P. Perlin, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Photonics Research 巻: 9 号: 3 ページ: 299-307
  • DOI: 10.1364/prj.411701
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Enhanced nonradiative recombination in AlGaN-based quantum wells thinner than the critical layer thickness determined by X-ray diffraction (2021)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 14 号: 3 ページ: 031007-031007
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abe658
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lattice relaxation in semipolar AlGaN grown on (1-102) AlN substrates (2020)
  • 著者名/発表者名: R. Akaike, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 6 ページ: 061008-061008
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab9183
  • 査読あり
• [雑誌論文] Above 25 nm emission wavelength shift in blue-violet InGaN quantum wells induced by GaN substrate misorientation profiling: towards broad-band superluminescent diodes (2020)
  • 著者名/発表者名: A. Kafar, R. Ishii, K. Gibasiewicz, Y. Matsuda, S. Stanczyk, D. Schiavon, S. Grzanka, M. Tano, A. Sakaki, T. Suski, P. Perlin, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Optics Express 巻: 28 号: 15 ページ: 22524-22539
  • DOI: 10.1364/oe.394580
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Deposition of carbon-containing hole injection layers on p-type Al0.8Ga0.2N grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 117 号: 6 ページ: 062101-062101
  • DOI: 10.1063/5.0017703
  • 査読あり
• [雑誌論文] Radiative recombination efficiency of AlGaN quantum wells: do we estimate it accurately in a proper way? (2020)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami, M. Funato, and R. Ishii
  • 雑誌名: J. Phys. D: Appl. Phys. 巻: 53 号: 50 ページ: 503001-503001
  • DOI: 10.1088/1361-6463/aba64c
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Control of p-type conductivity at AlN surfaces by carbon doping (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 号: 1 ページ: 015512-015512
  • DOI: 10.7567/1882-0786/ab6589
  • NAID: 210000157912
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 522 ページ: 68-77
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.06.010
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-limiting growth of ultrathin GaN/AlN quantum wells for highly efficient deep ultraviolet emitters (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Advanced Optical Materials 巻: 7 号: 21 ページ: 1900860-1900860
  • DOI: 10.1002/adom.201900860
  • 査読あり
• [雑誌論文] 超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定 (2019)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 市川修平, 川上養一
  • 雑誌名: 京都大学物性科学センター誌 巻: 33 ページ: 10-17
  • NAID: 120006773146
  • 査読あり
• [雑誌論文] Broadband ultraviolet emission from 2D arrays of AlGaN microstructures grown on the patterned AlN templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kataoka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 216 号: 7 ページ: 1900764-1900764
  • DOI: 10.1002/pssa.201900764
  • 査読あり
• [雑誌論文] AlxGa1-xN-based semipolar deep ultraviolet light-emitting diodes (2018)
  • 著者名/発表者名: R. Akaike, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 11 号: 6 ページ: 061001-061001
  • DOI: 10.7567/apex.11.061001
  • NAID: 210000136213
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dominant nonradiative recombination paths and their activation processes in AlxGa1-xN-related materials (2018)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami,
  • 雑誌名: Physical Review Applied 巻: 10 号: 6 ページ: 064027-064027
  • DOI: 10.1103/physrevapplied.10.064027
  • 査読あり
• [雑誌論文] Alx Ga1-xN-Based Quantum Wells Fabricated on Macrosteps Effectively Suppressing Nonradiative Recombination (2018)
  • 著者名/発表者名: Hayakawa Minehiro、Ichikawa Shuhei、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Advanced Optical Materials 巻: 7 号: 2 ページ: 1801106-1801106
  • DOI: 10.1002/adom.201801106
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of polychromatic ultraviolet light-emitting diodes based on three-dimensional AlGaN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: Kataoka Ken、Funato Mitsuru、Kawakami Yoichi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 10 号: 12 ページ: 121001-121001
  • DOI: 10.7567/apex.10.121001
  • NAID: 210000136026
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of Al and N2 Flow Sequences on the Interface Formation of AlN on Sapphire by EVPE (2017)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Kishimoto、Mitsuru Funato、Yoichi Kawakami
  • 雑誌名: Crystals 巻: 7 号: 5 ページ: 123-123
  • DOI: 10.3390/cryst7050123
  • NAID: 120006318891
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deep ultraviolet polychromatic emission from three-dimensionally structured AlGaN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Kataoka, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Appl. Phys. Exp. 巻: 10 号: 3 ページ: 031001-031001
  • DOI: 10.7567/apex.10.031001
  • NAID: 210000135777
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heteroepitaxy mechanisms of AlN on nitridated c- and a-plane sapphire substrates (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, M. Shibaoka, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: 121 号: 8 ページ: 085304-085304
  • DOI: 10.1063/1.4977108
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, S. Ichikawa, K. Kumamoto, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE Photonics West 2017 巻: 101040 ページ: 101040I-101040I
  • DOI: 10.1117/12.2254797
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of crystal morphologies and interface structures of AlN grown on sapphire by elementary source vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: P.-T. Wu, K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Cryst. Growth & Design 巻: 16 号: 11 ページ: 6337-6342
  • DOI: 10.1021/acs.cgd.6b00979
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 雑誌名: Proceedings of SPIE Nanoscience + Engineering 2016 巻: 9363 ページ: 99260S-99260S
  • DOI: 10.1117/12.2237606
  • 査読あり
• [学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells for deep UV emitters (2021)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2021
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] First demonstration and characterization of semipolar deep ultraviolet LEDs on r-AlN (2020)
  • 著者名/発表者名: R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 39th Electronic Materials Symposium
• [学会発表] Broad-band UV emission from a two-dimensional array of AlGaN microstructures (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, K. Kataoka and Y. Kawakami
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Highly efficient UV emission from ultrathin GaN/AlN quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, H. Kobayashi and Y. Kawakami
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] GaN/AlN ultrathin quantum wells for UV emitters (2019)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 7th Intern. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Adding p-type conductivity to AlN surfaces by deposition of ultrathin carbon-containing layers (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
  • 国際学会
• [学会発表] Carbon and aluminum co-treatment at high temperatures for surface p-type conduction of AlN (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] カーボン添加によるAlN表面におけるp型伝導制御 (2019)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 有機金属気相成長したGaN/AlN極薄量子井戸構造の光学的特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 小林敬嗣, 市川修平, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Ultrathin GaN/AlN quantum wells fabricated with a self-limiting process (2018)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, S. Ichikawa, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 19th Intern. Conf. on MOVPE
  • 国際学会
• [学会発表] Control of carrier recombination processes in AlGaN-based UV emitters (2018)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Nanoscience + Engineering
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Self-limiting growth and optical properties of ultrathin GaN/AlN quantum wells (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Kobayashi, S. Ichikawa, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Controlling p-type conductivity at AlN surfaces (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] AlGaN系ステップバンチング特異構造からの高効率発光現象 (2018)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 早川峰洋, 船戸充
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 市川修平, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会 研究会
• [学会発表] AlN表面におけるp型伝導の制御 (2018)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第1回結晶工学 ISYSE合同研究会
• [学会発表] EVPE法で成長したAlN膜におけるp型伝導 (2018)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 微傾斜c-AlN基板上AlGaN量子井戸におけるマクロステップを利用した高効率発光 (2018)
  • 著者名/発表者名: 早川峰洋, 市川修平, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] AlGaN微細構造の二次元アレイによるブロードバンドUV発光 (2018)
  • 著者名/発表者名: 片岡研, 千賀岳人, 船戸充,川上養一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] EVPE成長AlN/サファイア界面におけるボイド形成メカニズムの検討 (2017)
  • 著者名/発表者名: 岸元克浩, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜，横浜
  • 年月日: 2017-03-17
• [学会発表] AlN系三次元構造の形成と紫外多波長発光 (2017)
  • 著者名/発表者名: 片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜，横浜
  • 年月日: 2017-03-15
• [学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程 (2017)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 市川修平, 船戸充
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜，横浜
  • 年月日: 2017-03-14
  • 招待講演
• [学会発表] AlN growth by an environmentally friendly method (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 2017 German-Japanese-Spanish joint workshop
  • 発表場所: Mallorca, Spain
  • 年月日: 2017-03-06
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Design of Al-rich AlGaN quantum-well structures for efficient UV emitters (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2017-01-31
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Interfacial structure control of AlN on sapphire fabricated from Al metal and N2 gas (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Kishimoto, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 12th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 国際学会
• [学会発表] Impact of defects on the optical characteristics of AlGaN quantum wells (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 29th International Conference on Defects in Semiconductors
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] An environmentally friendly method to grow AlN thick layers (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 10th Intern. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Clarifying carrier recombination processes in AlGaN-based materials towards efficient DUV emitters (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami and M. Funato
  • 学会等名: Intern. Workshop on UV Materials and Devices 2017
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程 (2017)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] AlN系三次元構造による紫外多波長発光LED (2017)
  • 著者名/発表者名: 片岡研, 千賀岳人, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場
• [学会発表] 短波長半導体発光デバイスの現状と動向 (2017)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第48回アナログ技術トレンドセミナ(HAB研セミナ)
  • 招待講演
• [学会発表] Longer nonradiative lifetimes of excitons localized in AlGaN quantum wires grown on macrosteps (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, K. Kumamoto, M. Shibaoka, M. Funato and Y. Kawakami
  • 学会等名: 36th Electronic Materials Symposium
• [学会発表] マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 早川峰洋, 林佑樹, 長瀬勇樹, 市川修平, 熊本恭介, 柴岡真美, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 電子情報通信学会
• [学会発表] AlリッチAlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性制 (2016)
  • 著者名/発表者名: 川上養一, 市川修平, 船戸充
  • 学会等名: （社）電子情報技術産業協会, 第12回 量子現象利用デバイス技術分科会
  • 発表場所: 大手センタービル，東京
  • 年月日: 2016-12-21
  • 招待講演
• [学会発表] 非極性面上に作製したAlGaN量子井戸の発光特性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 光とレーザーの科学技術フェア2016
  • 発表場所: 科学技術館，東京
  • 年月日: 2016-11-17
  • 招待講演
• [学会発表] Radiative and nonradiative recombination processes in AlGaN-based quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawakami and M. Funato
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Orlando, USA
  • 年月日: 2016-10-06
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Stimulated emission at 250 nm from optically-pumped semipolar (1-102) AlGaN/AlN quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Orlando, USA
  • 年月日: 2016-10-04
  • 国際学会
• [学会発表] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸におけるポテンシャル揺らぎの抑制 (2016)
  • 著者名/発表者名: 市川修平, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ，新潟
  • 年月日: 2016-09-14
• [学会発表] Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surfaces (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Hayakawa, Y. Hayashi, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: SPIE Nanoscience + Engineering
  • 発表場所: San Diego, USA
  • 年月日: 2016-08-30
  • 国際学会
• [学会発表] Unveiling the carrier recombination paths in high Al content AlGaN quantum wells (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: Intern. Workshop on UV Materials and Devices
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2016-07-28
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Stimulated emission from optically-pumped semipolar AlGaN/AlN quantum well (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami
  • 学会等名: 35th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖，滋賀
  • 年月日: 2016-07-07
• [学会発表] GaNとAlNの物性定数の同定と(Al,Ga)N系半導体の物性予測 (2016)
  • 著者名/発表者名: 石井良太、船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第8回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 京都大学桂キャンパス
  • 年月日: 2016-05-10
  • 招待講演
• [学会発表] 微小なオフ角に由来するc面AlGaN/AlNヘテロ界面におけるc面すべりの可能性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 市川修平, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第8回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 京都大学桂キャンパス
  • 年月日: 2016-05-09
• [学会発表] マクロステップを利用したAlGaN量子細線構造による温度消光の低減 (2016)
  • 著者名/発表者名: 早川峰洋, 林佑樹, 市川修平, 船戸充, 川上養一
  • 学会等名: 第8回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 京都大学桂キャンパス
  • 年月日: 2016-05-09
  • 招待講演
• [備考] 深紫外発光AlGaN/AlN量子井戸構造の作製
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/research_2.html
• [備考] 紫外発光AlGaN/AlN量子井戸構造の作製
  • URL: http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/research_2.html
• [産業財産権] 半導体素子及びp型窒化物半導体層の形成方法 (2022)
  • 発明者名: 岸元克浩, 他4名
  • 権利者名: 京大, 日亜化学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 取得年月日: 2022