| 研究課題/領域番号 |
16H02339
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
小野 行徳 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80374073)
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| 研究分担者 |
堀 匡寛 静岡大学, 電子工学研究所, 講師 (50643269)
Moraru Daniel 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (60549715)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2020-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円)
2019年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2018年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
2017年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
2016年度: 25,350千円 (直接経費: 19,500千円、間接経費: 5,850千円)
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| キーワード | ドーパント / フォノン / シリコン / エネルギー散逸 / 単一ドーパント / 単一フォノン |
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| 研究成果の概要 |
ナノスケールシリコンにおける「熱」（フォノンの拡散）の制御に向け、基礎学理を探求しその基本技術を発展させた。具体的には、電子流体効果をシリコンにおいてはじめて観測し、フォノンによるエネルギー散逸を避けて電流増幅が可能であることを示した。また、電子正孔再結合過程のエネルギー散逸過程におけるドーパントの役割を明らかにするとともに、ナノスケールトンネルデバイスにおけるフォノン放出とドーパントクラスターとの関係性を明らかにした。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本課題は、集積回路のエネルギー消費の限界を打破するために、ナノスケールのシリコンデバイスのエネルギー消費の本質に立ちかえり、従来とは原理の異なる低消費電力デバイスの創造を探索するものである。ここで得られた結果は、ナノスケールにおける電子のエネルギー消費機構解明に貢献するとともに、このような新規デバイス設計の道標を与えるものである。
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