| 研究課題/領域番号 |
16H02833
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
情報セキュリティ
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
堀 洋平 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (60530368)
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| 研究分担者 |
小笠原 泰弘 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30635298)
片下 敏宏 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90500215)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2018年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2017年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2016年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
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| キーワード | PUF / SOTB / ハードウェアセキュリティ / 耐タンパ―技術 / 電子デバイス・機器 / 暗号・認証等 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、65nm SOTBプロセス製造されたArbiter PUFおよびPseudo Linear-Feedback Resister PUF (PL-PUF) の評価を通じ、これまで明らかでなかった超低電圧デバイスSOTBよるPUFの実現可能性を明らかにした。本成果は、省電力とセキュリティが重要なIoTにおいて、超低消費電力デバイスSOTBの有効性を世界で初めて示したものである。また、本研究はSOTBデバイスの特徴である基板バイアスを調整することで、PUFを用いた認証のエラー率を低減できることを示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
超低電圧デバイスSOTBを用いてセキュリティプリミティブであるPUFを実装可能であることを世界で初めて明らかにした。これは、省電力やセキュリティが重要なIoTにおいて、SOTB PUFが有効であることを示したものである。また、SOTBの特徴の1つである基板バイアス制御によってPUFの特性を改善可能であることを初めて見出した。これは、製造前の性能予測が困難なPUFにおいて、基板バイアス制御によって出荷後にもPUFの特性を調整可能であることを示唆しており、社会実装に向けて極めて有用な知見が得られたということができる。
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