| 研究課題/領域番号 |
16H03854
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
永崎 洋 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 首席研究員 (20242018)
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| 研究分担者 |
鬼頭 聖 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30356886)
吉田 良行 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (50415767)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
15,210千円 (直接経費: 11,700千円、間接経費: 3,510千円)
2018年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2017年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2016年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
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| キーワード | 銅酸化物超伝導体 / 水銀系 / 単結晶育成 / 高温超伝導 / 銅酸化物高温超伝導体 / 超伝導材料・素子 / 物性実験 / 低温物性 / 超伝導デバイス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、現存する超伝導体の中で最も高い134Kに至る超伝導転移温度(Tc)を有する水銀（Hg）系銅酸化物超伝導体HgBa2Can-1CunO2n+2+δ(n=1,2,3) の純良単結晶育成技術を確立することをその目的として研究を行った。様々な結晶育成条件を試み、その結果、（１）出発原料として高純度のBaOおよびCaOを調製し、（２）n=3についてはフラックスとしてBaF2を用い、（３）耐圧のためにSUSと石英ガラス管の２重封管を施し、更に、（４）Hgの一部をReで置換することによってn=1およびn=3のサブミリメーターサイズの単結晶育成に成功を収めた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
水銀系銅酸化物超伝導体は、常圧においては現存するあらゆる物質の内で最も高い超伝導転移温度を有しているが、構成要素である水銀の毒性と高い蒸気圧のために、1994年の発見以来、系統的研究はほぼ手つかずであった。本研究により、同物質の単結晶を安全に、かつ再現性良く合成する手法が確立した。今後高温超伝導機構の解明や同物質を用いた新奇高温超伝導デバイス開発に向けた研究が発展すると期待される。
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