| 研究課題/領域番号 |
16H03866
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京学芸大学 |
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研究代表者 |
高橋 敏男 東京学芸大学, 教育学部, 研究員 (20107395)
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| 研究分担者 |
白澤 徹郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (80451889)
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| 研究協力者 |
フォグリ ヴォルフガング
荒川 悦雄
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2018年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2017年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2016年度: 12,480千円 (直接経費: 9,600千円、間接経費: 2,880千円)
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| キーワード | 表面界面物性 / 超薄膜 / 強相関系 / 表面Ｘ線回折 / CTR散乱 / 位相問題 / トポロジカル物質 / 超伝導 / トポロジカル絶縁体 / Bi2Se3 / 表面・界面物性 / 強相関電子系 |
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| 研究成果の概要 |
近年、基板結晶に薄膜成長するとバルクとは異なる電子特性をもつ物質、たとえば、トポロジカル絶縁体や超伝導体が注目されている。これは、表面や界面の存在により薄膜が格子ひずみを生じバルクとは異なる原子配列をとることに起因すると考えられている。本研究では、典型的なトポロジカル物質であるBi2Se3の超薄膜、超伝導を発現するSi(111)基板上のIn超薄膜などについて、表面や界面の構造に敏感な表面Ｘ線回折法により構造を決定することにより、電子特性発現の起源を考察した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
表面や界面は周囲の環境がバルクの中とは異なることから、超薄膜ではバルクでは発現しない機能を有するデバイスを開発できる可能性があり、超薄膜に関する研究が盛んに行われている。本研究では、バルクの構造解析で実績のあるＸ線回折法を高度に進展させた表面Ｘ線回折法により、超薄膜の構造決定を通して機能発現の起源を理解し、さらに高機能省エネルギーデバイスの開発に寄与する。
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