| 研究課題/領域番号 |
16H03871
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
神吉 輝夫 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (40448014)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2018年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2017年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2016年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 酸化物エレクトロニクス / トランジスタ / ナノテクノロジー / 強相関電子系 / 電界効果トランジスタ / 強相関電子系酸化物 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、ナノスケールの単一の電子相ドメインにアプローチできるほど小さなチャネルを持つ酸化物極限ナノトランジスタを創出し、電界効果制御により巨大On/Offスイッチング・メモリ機能が発現することを実証してきた。従来報告されてきたのVO2薄膜のトランジスタに比べて、一桁程度大きなOn/Off比を持つ酸化物トランジスタの創出に成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
電子相転移を有する酸化物において電界効果は、どのような物理パラメータ（キャリア濃度、移動度など）を変化させるのか？実験を通じて具体化し極限ナノFETの測定を通じて解明する。この学術的意義は、キャリア変調による金属化は、VO2で起こる構造相変化（絶縁体相では単斜晶、金属状態では正方晶）と相関関係はあるのか？つまりMott型相転移なのか、パイエル型相転移なのかという長年の問題に対してもアプローチできる有効な手段として、ナノFETを活用することにある。また、相転移を利用したFETは、低消費電力で動作し次世代のデバイスとして期待されている。その基礎を知ることによって、将来の循環型社会への貢献ができる。
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