| 研究課題/領域番号 |
16H03872
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
阿部 真之 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (00362666)
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| 研究分担者 |
浜屋 宏平 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90401281)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2018年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2017年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2016年度: 10,920千円 (直接経費: 8,400千円、間接経費: 2,520千円)
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| キーワード | スピンデバイス / SrTiO3 / 走査型トンネル顕微鏡 / STM / 鉄 / Fe / 原子間力顕微鏡 / 磁化容易軸 / 分子線エピタキシー法 / スピン / 磁性 / 走査プローブ顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
高性能な超高真空走査型プローブ顕微鏡と分子線ビームエピタキシー装置を組み合わせて、真空を破ることなく薄膜作製と原子分解能測定を行うことで、原子レベルで高性能スピントロニクス材料の磁化容易軸制御という新しい手法を行った。この装置を用いて、SrTiO3(100)-(R13xR13)最構成表面上におけるFeの初期成長の様子を走査型トンネル顕微鏡を用いて高分解能観察した。基板の温度によって初期成長の構造が異なることを見出し、走査型トンネル分光によって、表面が金属的になったり半導体的になったりすることを確認した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
成膜装置と計測装置の複合装置によってデバイス開発を原子レベルで行うことができることに本研究の意義がある。
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