| 研究課題/領域番号 |
16H03880
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 (2017-2018)
東京大学 (2016) |
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研究代表者 |
石川 靖彦 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60303541)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2018年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2017年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2016年度: 12,480千円 (直接経費: 9,600千円、間接経費: 2,880千円)
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| キーワード | シリコンフォトニクス / バルクシリコン / 光導波路 / 低損失 / 窒化シリコン / ゲルマニウム |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、一般的なバルクSiウエハを利用したSiフォトニクスの実現を目的として研究を行った。実現の鍵は相反する2つの特性、 (1)表面の光導波路からSiウエハへの光放射の防止、(2)表面の光導波路からSiウエハ直上のGe受光器への効率的な光結合、を両立する点にある。計算機シミュレーションの結果、波長1.31ミクロン帯においてSiNxチャネル光導波路が利用できることを明らかにした。有効性の実証に向けデバイスの試作を行った。光透過測定を進めている。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
インターネットをはじめとする情報通信において、光技術は通信の大容量化ならびに低電力化に不可欠となっている。本研究では高性能な光デバイスを低価格化する手法を検討した。半導体集積電子回路の作製技術を利用することで、基本素子の形成が可能であることを理論的に示した。学術的に大きな意義があり、実用化できれば社会に広く貢献できる。
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