| 研究課題/領域番号 |
16H03913
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
量子ビーム科学
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| 研究機関 | 公益財団法人高輝度光科学研究センター |
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研究代表者 |
木村 滋 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 主席研究員 (50360821)
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| 研究分担者 |
今井 康彦 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 主幹研究員 (30416375)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
2018年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2017年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2016年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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| キーワード | 放射光 / Ｘ線回折 / 薄膜 / 異常散乱 / 半導体物性 / X線回折 |
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| 研究成果の概要 |
Ge 原子の吸収端(11.103keV)およびその近傍のエネルギー(例えば11.000keV)のＸ線を用い,両者のブラッグ反射強度を比較することにより，歪緩和SiGe層内の組成を決定する手法の開発を行った．この手法のキーポイントは，マイクロ回折の強度を精密に測定することであったため，ハイブリッドピクセル検出器（ASI社製Timepix STPX-65k）を，これまで開発を進めてきた高分解能マイクロ回折装置に導入した．その結果，Ge吸収端とその近傍のエネルギーで測定された回折強度差を0.2%以下の精度で測定することが可能なシステムが開発できた．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は，これまでＸ線回折ピーク位置から求めた格子定数から弾性変形理論とベガード則を利用して決定していたSiGe 層の組成を，放射光がエネルギー可変の光源であることを利用し, Ge原子のK 吸収端およびその近傍で異常散乱による強度変化から上述の仮定なしで求めるものである．本手法は，歪緩和SiGe層の歪と組成を独立に決定することができる唯一の方法である．また，この手法は他の局所領域に形成されるヘテロ薄膜材料（例えばGaInN系レーザ構造等）の組成・歪解析にも応用可能な技術である．
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