| 研究課題/領域番号 |
16H04242
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
平田 敦 東京工業大学, 工学院, 教授 (50242277)
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| 研究分担者 |
青野 祐子 東京工業大学, 工学院, 准教授 (20610033)
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| 研究協力者 |
齋藤 雄介
室伏 梨穂
太田 立志
佐野 龍樹
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2018年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2017年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2016年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | 精密研磨 / ナノ材料 / 機械工作・生産工学 / 材料加工・処理 |
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| 研究成果の概要 |
ナノカーボン粒子であるカーボンオニオンの形態を分子レベルで制御することで，ナノスケール砥粒としての超精密ポリシング機能の高度化を目指した．2500℃以上に加熱できる炉を作製し，これを用いた熱処理により球形，多角形，中空多角形のカーボンオニオン粒子を生成した．高荷重での研磨では分子形態による機能の違いは見られなかったが，低荷重では多角形で研磨速度が高いことがわかった．また，圧縮下でのカーボンオニオン粒子の挙動を分子動力学法により解析した．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
カーボンオニオンはシリコン，石英，炭化ケイ素などに対して研磨能力を示し，最終面粗さが最大高さで数オングストロームにまで達することが明らかになった．また，スクラッチを残さずにポリシング面が原子数個分のレベルにまで平滑化されることもわかった．そして，分子形態を制御し，それに適した研磨条件を設定することで，研磨速度や最終面粗さなどの点でより高度化したポリッシングが可能であること，カーボンオニオン粒子ひとつの圧縮挙動をシミュレーションできることを示した．
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