| 研究課題/領域番号 |
16H04245
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
大参 宏昌 大阪大学, 工学研究科, 助教 (00335382)
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| 研究分担者 |
安武 潔 大阪大学, 工学研究科, 教授 (80166503)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2018年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2017年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
2016年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
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| キーワード | シリコン / プラズマ / 水素 / ウエハ加工 / 製造技術 / 欠陥制御 / ゲッタリング / ウエハ / ナノ構造 / 特殊加工 / 材料加工・処理 / プラズマ加工 / 電子・電気材料 / 精密部品加工 |
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| 研究成果の概要 |
本研究の成果は、無毒な水素からなる中圧力の高密度プラズマを用いて、薄型シリコンウエハを作製するためのプロセスを新たに提案し、実証したことである。本研究の成果により、水素のみでシリコンを高品位加工する加工原理、さらには電子デバイスを製造する上で有益な不純物ゲッタリング用の欠陥を、人為的にシリコン結晶の極表面近傍に水素プラズマにより導入する指針を確立した。この加工原理をもとに、５マイクロメートル厚みのシリコン作製に成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
情報化社会を支えるシリコン電子デバイスをさらに高機能化するため、薄型シリコンチップの製造が求められている。従来の薄型シリコンの製造法は、高価で毒性のある薬品の利用や廃棄物が多数発生する手法であった。また、従来法を次世代シリコンチップの製造に用いることは、種々の問題から困難になることが予想されている。本研究成果は、廉価で毒性のない水素のみを用い、廃棄物を発生させることなくシリコンの無歪み・無応力加工を実現する新たな薄型シリコンチップ製造法の可能性を実証したものであり、従来法に付随する上記の問題を回避することに貢献する。
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