| 研究課題/領域番号 |
16H04327
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
近藤 英一 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (70304871)
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| 研究分担者 |
Bernard Gelloz 名古屋大学, 工学研究科(国際), その他 (40343157)
金 蓮花 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (40384656)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2018年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2017年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2016年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 超臨界流体 / ポーラスシリコン / エリプソメーター / 多孔質シリコン / 超臨界CO2流体 / porous silicon / supercritical fluids / zinc oxide / 酸化亜鉛 / 発光デバイス |
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| 研究成果の概要 |
ポーラスシリコン(PS)の細孔に透明導電体を埋め込めば接触・発光面積が増え高効率で安価な発光デバイスを実現できる。本研究では、超臨界流体による透明導電性材料作製・埋め込みプロセス、イメージング計測を利用した高品質PS作製技術を開発した。バッチ式超臨界堆積装置でZn錯体とCu錯体を配合し透過性のある導電性透明薄膜を得た。さらに、Siパターン基板やPSを用いて埋め込みを実証した。また、本グループで開発した高分解能イメージングエリプソメトリの導入により、SEM等を使わずにPS層を評価できた。Si/SiO2コアシェルナノ粒子を製作し、量子収率61％の世界記録を達した．必要な要素技術をすべて開発できた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
シリコンは安価で安全な材料であるが発光デバイスとはしては使えない。多孔質シリコンは発光することが知られているが、発光効率が高かった。本研究では多孔質シリコンに透明な電極を埋め込んで高効率な発光デバイス作製するための、要素技術を開発した。透明化によりより多くの発光を利用できる。また埋め込みに用いた超臨界流体は環境にやさしい媒体で製作コストを低減させることができる。さらにイメージングエリプソメータを利用して、複雑な電子顕微鏡を用いずに光学的な観察で高品質多孔質シリコンを製造する技術も確立した。以上のように、本研究の成果は安価な発光デバイスの製造を可能たらしめるに必要なものである。
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