• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

深紫外域混晶量子井戸構造における励起子分子の基礎物性解明とレーザ動作への応用

研究課題

研究課題/領域番号 16H04335
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関山口大学

研究代表者

山田 陽一  山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授 (00251033)

研究分担者 三宅 秀人  三重大学, 地域イノベーション学研究科, 教授 (70209881)
研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31
研究課題ステータス 完了 (2018年度)
配分額 *注記
16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)
2018年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
キーワード励起子分子 / 励起子 / 励起子工学 / 混晶半導体 / 窒化物半導体 / 量子井戸 / 局在化 / 低次元化 / 非弾性散乱 / 高温物性 / 非局在化 / 誘導放出 / 光物性 / 半導体物性 / 2光子共鳴 / 量子閉じ込め効果 / 局在
研究成果の概要

AlGaN混晶量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギーを定量評価した。構造パラメータを変化させた一連の試料の発光励起分光測定を行い、結合エネルギーの最大値が174meVに達し、その井戸幅依存性はGaAs量子井戸構造の場合とほぼ同様の傾向を示すことを明らかにした。次に、室温から750Kまでの高温領域における発光および発光励起分光測定を行い、温度上昇に伴う励起子系の非局在化を反映して、励起子や励起子分子の非弾性散乱等、励起子多体効果に基づく発光線が顕在化することを明らかにした。さらに、光ポンピングにより励起子系の輻射再結合過程による深紫外誘導放出光の観測に成功した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

紫外から深紫外波長領域に基礎吸収端を有するAlGaN混晶半導体は、半導体材料の中でも最も大きな励起子効果を有することが期待されている。本研究では、AlGaN混晶量子井戸内に形成される励起子分子に着目し、その基礎物性を解明した。励起子分子は巨大結合エネルギーを有し、室温に留まらず、750Kの高温領域まで安定に存在することを明らかにした。これらの研究成果は、今後、励起子工学の観点からAlGaN混晶半導体を利用したデバイス設計、開発を進めていく上で、励起子系の輻射再結合過程を活用した高機能かつ高効率なデバイス作製の実現性を高めるものであり、その学術的意義は大きいものと考える。

報告書

(4件)
  • 2018 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2017 実績報告書
  • 2016 実績報告書
  • 研究成果

    (21件)

すべて 2019 2018 2017 2016

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 オープンアクセス 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (16件) (うち国際学会 6件、 招待講演 3件)

  • [雑誌論文] Cathodoluminescence study on local high-energy emissions at dark spots in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 6 ページ: 60311-60311

    • DOI

      10.7567/jjap.57.060311

    • NAID

      210000149104

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Temperature dependence of excitonic transitions in Al0. 60Ga0. 40N/Al0. 70Ga0. 30N multiple quantum wells from 4 to 750 K2018

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, Y. Hayakawa, K. Ikeda, H. Miyake, K. Hiramtsu, Y. Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 号: 20 ページ: 205705-205705

    • DOI

      10.1063/1.5023996

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature dependence of Stokes shifts of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layer2018

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: - 号: 5 ページ: 1700374-1700374

    • DOI

      10.1002/pssb.201700374

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      Nakamura, K; Fukuno, T; Miyake, H; Hiramatsu, K; Yamada, Y
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS

      巻: 10 号: 5 ページ: 51003-51003

    • DOI

      10.7567/apex.10.051003

    • NAID

      210000135831

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Nakamura, T. Fukuno, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 2 ページ: 21002-21002

    • DOI

      10.7567/apex.10.021002

    • NAID

      210000135746

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子発光線幅に対する混晶組成揺らぎおよび界面揺らぎの影響2019

    • 著者名/発表者名
      野坂峻大 室谷英彰 山田陽一
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Spatially resolved cathodoluminescence on dot-like high-energy emissions near threading dislocations in AlGaN multiple quantum wells2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, N. Imura, L. Jin, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造の高温領域における発光特性2018

    • 著者名/発表者名
      赤松勇紀 池田和貴 藤原涼太 久永桂典 田邉凌平 室谷英彰 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 転位密度が異なるAlGaN量子井戸構造における内部量子効率のSi添加量依存性2018

    • 著者名/発表者名
      田邉凌平 池田和貴 久永桂典 藤原涼太 赤松勇紀 室谷英彰 倉井聡 岡田成仁 只友一行 三嶋晃 矢野良樹 田渕俊也 松本功 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] カソードルミネッセンスマッピング法によるAlGaN量子井戸構造の局所発光評価2018

    • 著者名/発表者名
      LI JIN 井村暢杜 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      2018年度応用物理学会中国四国支部学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] カソードルミネッセンス法によるAlGaN多重量子井戸構造の転位近傍の局所発光2018

    • 著者名/発表者名
      倉井聡 井村暢杜 Li Jin 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物不均一系における励起子多体効果とその光機能性2017

    • 著者名/発表者名
      山田陽一 倉井聡 室谷英彰
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] AlGaN混晶半導体の励起子光物性と光機能性2017

    • 著者名/発表者名
      山田陽一
    • 学会等名
      日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第102回研究会・光電相互変換第125委員会第235回研究会
    • 発表場所
      上智大学(東京都千代田区)
    • 年月日
      2017-03-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Localization-enhanced biexciton binding in Ga-rich InGaN and AlGaN epitaxial layers2017

    • 著者名/発表者名
      K. Umezawa, E. Kobayashi, H. Murotani, S. Kurai, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Temperature dependence of Stokes shift of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layers2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Deep UV spectroscopy of dense excitons in AlGaN-based quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Temperature dependence of excitonic transitions in deep ultraviolet emitting AlGaN multiple quantum wells2017

    • 著者名/発表者名
      H. Murotani, Y. Hayakawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における励起子系発光特性の温度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      早川裕也 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Confinement-enhanced biexciton binding energy in AlGaN-based quantum wells2016

    • 著者名/発表者名
      T. Izumi, S. Fukuchi, N. Imura, H. Murotani, H. Miyake, K. Hiramatsu, and Y. Yamada
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2016-10-06
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性(2)―2016

    • 著者名/発表者名
      和泉平 福地駿平 井村暢杜 倉井聡 室谷英彰 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Al0.61Ga0.39N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      池田和貴 室谷英彰 鶴丸拓斗 藤原涼太 倉井聡 三宅秀人 平松和政 山田陽一
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書

URL: 

公開日: 2016-04-21   更新日: 2020-03-30  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi