| 研究課題/領域番号 |
16H04348
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
植田 研二 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (10393737)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
17,160千円 (直接経費: 13,200千円、間接経費: 3,960千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / 半導体 / スピン注入 / ダイヤモンド半導体 / スピントランジスタ / スピンデバイス / 強磁性体 / ハーフメタル / スピン輸送 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / スピンエレクトロニクス |
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| 研究成果の概要 |
ダイヤモンド半導体への高効率スピン注入と低損失スピン輸送を目指し研究を行った。スピン注入源となる磁性トンネル接合内のトンネルバリアの高品質化とダイヤモンド表面終端条件の最適化によりスピン注入効率の１桁程度の増加に成功した。また新しいスピン注入源として期待されるスピンギャップレス半導体（SGS）Mn2CoAl薄膜の低温結晶成長に成功し、SGSの主要な特性である両極性伝導を初めて観測した。更にスピン注入高効率化の為のダイヤモンド上へのグラフェン層の直接成長に成功すると共に、ダイヤモンド／グラフェン接合が特異な光伝導度変調（光メモリスタ的挙動）を示す事を初めて見出した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
スピン注入源となる磁性トンネル接合とダイヤモンド界面を、ダイヤモンドの表面終端を含めて精密に制御する事がダイヤモンドへの高効率スピン注入に必須となる事を見出した。また、ダイヤモンドとグラフェン積層・複合化し、炭素sp2/sp3界面を創製する事で新たな機能が発現する事が分かった。
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