| 研究課題/領域番号 |
16H04355
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
|---|
研究代表者 |
牧 英之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 准教授 (10339715)
|
|---|
| 研究分担者 |
森山 悟士 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (00415324)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2020-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
|
| 配分額 *注記 |
16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2019年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2017年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
|
|---|
| キーワード | 光デバイス・光回路 / ナノカーボン |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では、黒体放射光源およびEL発光素子開発と発光メカニズムやデバイス構造探索、シリコン上での高集積光技術との融合技術の構築に関して研究を進めた。黒体放射光源開発では、材料・デバイス構造の最適化、発光メカニズム解明のための理論構築やシミュレーションなどを進めた。また、シリコン上で大面積に作製可能な新たなグラフェン成長方法の構築を進めた。EL発光素子では、発光メカニズム解明や発光素子の性能評価とその向上方法を検討した。また、高集積光技術では、シリコンフォトニクスとの融合手法の構築を進めた。
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
シリコン上に集積化可能なナノカーボン光源の開発に成功したことから、今後、シリコン上での集積光デバイスが実現可能になるとともに、その量産化技術も構築された。また、新たな発光メカニズムが見つかり、更なる高性能のナノカーボン発光素子が実現可能となる。さらに、シリコン上に集積化されたナノカーボン光源の実現により、集積光デバイスの実現とその高性能化が期待され、今後、集積デバイスの更なる高速化・高集積化・低消費電力化への応用が期待される。
|
