| 研究課題/領域番号 |
16H04359
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
榊原 陽一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 総括研究主幹 (40357091)
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| 研究分担者 |
渥美 裕樹 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (30738068)
吉田 知也 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (80462844)
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| 研究協力者 |
鍛冶 良作
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
17,030千円 (直接経費: 13,100千円、間接経費: 3,930千円)
2018年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2017年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2016年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
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| キーワード | シリコンフォトニクス / 導波路 / イオン注入 / 空間光学 / 光デバイス / フェーズアレー / 光デバイス・光回路 |
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| 研究成果の概要 |
立体湾曲シリコン導波路カプラをシリコンフォトニクスの空間光学への応用に適する光入出力部とするために、出射する光ビームの空間的広がり方を制御できる技術を確立することを目的とし、理論解析によりビーム進行方向およびビーム形状を変換する新型のデバイス構造を創案し、この構造を実現するためのイオン注入等の加工プロセスの開発に取り組んだ結果、放射損失が小さく波長帯域も広い特性を有し目標とする空間的広がり方を示すデバイスの試作に成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
十分解明されていなかった立体湾曲シリコン導波路カプラの光伝搬の仕組みを物理的に解明し、光ビームの空間的広がり方を制御できる新しいデバイス構造を理論的および実験的に創出することができた。この成果はビームステアリングなどのシリコンフォトニクスの新しい空間光学的応用に直結するのみならず、光ファイバーとの光入出力にも応用可能であり、光センサーや光通信など今後の発展が期待されている基幹科学技術分野の基盤的技術としての活用が期待できる。
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