研究課題
基盤研究(B)
本研究では、酸化物半導体薄膜形成プロセスにおける反応過程の解明を通じて、プラズマ反応性の高度制御により、デバイス形成の低温化と大面積均質プロセスの実現に向けた新しいプラズマプロセス技術を創成することを目的としており、基礎過程（反応過程）の解明を通じたアニールプロセスの高度化から高度プロセス制御法の開拓にわたる研究を行った。その結果、単なる熱処理ではアニール効果を示さない程度の低温においても、プラズマの反応性を利用することで、従来の特性を凌駕する良好な薄膜トランジスタ特性を示す半導体薄膜を形成可能であり、デバイス特性の良好な安定性を示すことを実証した。
本研究では、独自のプラズマ反応性解析手法を通じて、気相での反応性制御がプロセスに及ぼす影響を、製膜後の雰囲気から形成膜に付着する気体元素と明確に峻別して、明瞭に評価することに成功した。さらに、プラズマ気相での反応性制御により、熱処理ではアニール効果を示さない程度の低温においても、従来の特性を凌駕する良好な薄膜トランジスタ特性を示す半導体薄膜を形成可能であると共に、良好な安定性を示す半導体薄膜を形成可能であることを実証しており、高移動度の半導体薄膜を低温で形成するための装置開発に繋がることが期待される。
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すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件、 オープンアクセス 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (35件) (うち国際学会 24件、 招待講演 19件)
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