| 研究課題/領域番号 |
16H04518
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
石丸 学 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (00264086)
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| 研究分担者 |
佐藤 和久 大阪大学, 超高圧電子顕微鏡センター, 准教授 (70314424)
仲村 龍介 大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70396513)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2019年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2018年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2017年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2016年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
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| キーワード | 照射効果 / 透過電子顕微鏡 / 構造解析 / アモルファス / 照射損傷 / 透過電子顕微鏡法 / ナノ構造 / 照射 / 電子顕微鏡 / 動径分布関数 / アモルファス化 / SiC / エネルギー材料 / ナノ欠陥制御 / 極限環境 |
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| 研究成果の概要 |
原子力発電所に使用される構造材料は高温環境に加えて、中性子線や荷電粒子等のエネルギー粒子線場という特殊な環境下に曝される。このため、原子力材料には高温安定性に加えて、優れた耐照射性が求められている。本研究では炭化ケイ素(SiC)に多量の面欠陥を導入した「ナノ構造SiC」を作製し、その照射に伴う構造変化をイオンビーム技術および透過電子顕微鏡法を用いて調査した。その結果、重イオン照射環境下では照射エネルギーが大きくなるにつれ、単結晶SiCよりも優れた耐照射性を示すことが見い出された。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では優れた耐照射性を有する材料の開発を目的として、炭化ケイ素(SiC)に多量の面欠陥を導入した「ナノ構造SiC」の照射挙動を、イオンビーム技術と透過電子顕微鏡法により調査した。SiC中の面欠陥は1000℃以上の高温環境下でも安定に存在し、実操業条件においても組織変化による材料劣化を抑制できると考えられる。優れた耐照射性材料の開発は、原子力産業分野に使用される構造材料の信頼性に寄与することが期待される。
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