| 研究課題/領域番号 |
16H05975
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (2018)
東北大学 (2016-2017) |
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研究代表者 |
野崎 友大 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (10610644)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
25,870千円 (直接経費: 19,900千円、間接経費: 5,970千円)
2018年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2017年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 15,470千円 (直接経費: 11,900千円、間接経費: 3,570千円)
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| キーワード | 反強磁性体 / 電界制御 / 電気磁気効果 / 酸化物 / 磁化の電界制御 / スピントロニクス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、反強磁性体電気磁気材料Cr2O3薄膜の反強磁性スピン反転特性の解明を通して、デバイス応用が見えてくる1V以下の電圧での反強磁性スピンの操作が可能かの検討を行った。Cr2O3薄膜で問題となっていた反強磁性スピン反転に必要なエネルギー(EH積)の増大現象の原因を解明し、得られた結果をもとに反転エネルギーの低減法を提案・実証し、さらに、薄いCr2O3薄膜でその低減法を実現するために必要となる寄生磁化の付与技術を開発することで、低電圧反転への道筋を示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、現在の磁気抵抗メモリ(MRAM)などの情報処理デバイスをさらに高速・高集積、そして低消費電力にできる可能性を持つ反強磁性体スピントロニクスデバイスが成立するかどうかを、書き込み電圧の点から検討し、Cr2O3の膜厚を薄くするほど書き込み電圧が小さくなるスケーリングを描ける材料を開発できた。反強磁性体材料は情報処理デバイスへ組込むことでその性能の上限を引き上げ、情報量が莫大に増える将来をデバイス面から支えるという社会的意義を持つ。一方で、学術的にも、解明が未だあまり進んでいない反強磁性体の特性解明を行い、分野発展につながる大きな意義がある。
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