| 研究課題/領域番号 |
16H05976
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
堤 潤也 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30573141)
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| 研究協力者 |
松岡 悟志 東京大学, 工学部物理工学科, 助教
上村 洋平 東京大学, 工学部物理工学科, 大学院生
長谷川 達生 東京大学, 工学部物理工学科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
23,660千円 (直接経費: 18,200千円、間接経費: 5,460千円)
2018年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円)
2016年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
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| キーワード | 有機薄膜トランジスタ / 結晶粒界 / 伝導機構 / イメージング / 過渡応答 / 変調分光 / 有機強誘電体 / 分極ドメイン / 解析・評価 / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / 光物性 / 分子性固体 / 結晶グレイン |
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| 研究成果の概要 |
半導体内部の電荷の空間分布を可視化できる申請者の独自技術（ゲート変調イメージング法）をナノ秒時間分解測定に発展させ、多結晶薄膜デバイスの駆動状態における電気伝導のダイナミクスを観察できる画期的測定法を確立した。これにより、デバイス性能を律速するとされるミクロンスケールの半導体薄膜の不均一性（電極界面、結晶粒界等）による局所伝導のメカニズムを明らかにした。また、当初想定していなかった成果として、本手法を用いて強誘電体の分極ドメインの空間分布を可視化することに成功した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
新たな測定法を開発することで、従来法では観測しえなかった半導体薄膜の局所伝導ダイナミクスを捉えることを可能にするとともに、結晶粒界等のミクロな領域の局所伝導のメカニズムを明らかにするなど学術的に大きな知見をもたらした。薄膜デバイスの性能に大きく影響する局所伝導機構にアクセスすることを可能にした本研究成果は、デバイス性能向上に向けたプロセス最適化へのフィードバックを可能にし、産業応用上も大きなインパクトが見込まれる。
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