IV族/III-V族ヘテロ接合の界面欠陥制御に基づく低電圧スイッチ素子の回路応用

• 研究課題/領域番号: 16H06080
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究科, 准教授 (60519411)
• 研究期間 (年度): 2016-04-01 – 2019-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2018年度)
• 配分額: 24,960千円 (直接経費: 19,200千円、間接経費: 5,760千円); 2018年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2017年度: 8,190千円 (直接経費: 6,300千円、間接経費: 1,890千円); 2016年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
• キーワード: 半導体ナノ構造 / 薄膜成長 / ナノワイヤ材料 / 半導体デバイス / ダイオード / トランジスタ / 電気・電子材料 / 半導体物性 / 結晶成長 / 省エネルギー / ナノワイヤ / ナノ材料 / 薄膜・量子構造 / トンネルFET / 電子・電気材料

研究成果の概要

次世代エレクトロニクスの新しいスイッチ素子として、トンネルFET素子が注目されている。これは、従来のFETでは実現できない低消費電力性能を有しているためである。本研究では、トンネルFET素子研究について、新しいヘテロ接合によるトンネル接合の形成技術・欠陥制御技術の確立を基軸として、素子の高性能化技術の確立、回路応用へと展開を図る相補スイッチング構造を新しく提案・実証した。

研究成果の学術的意義や社会的意義

トンネルFETは、あらゆるエレクトロニクスの消費電力を9割以上削減できる潜在性を有した次世代スイッチ素子である。本研究では、この素子の新しい構造・接合を代表者独自のナノ構造形成技術を基軸に提案し、接合界面の欠陥制御技術に着目することで、消費電力を9割以上削減へ向けた課題を解決する新しい素子構造の提案と基盤技術を確立し、高性能化を実証した。これにより、次世代エレクトロ二クスの消費電力を抜本的に削減する技術を提供する。

研究成果

• [雑誌論文] Characterization of nanowire light-emitting diodes grown by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: Motohisa Junichi、Kameda Hiroki、Sasaki Masahiro、Tomioka Katsuhiro
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: 30 号: 13 ページ: 134002-134002
  • DOI: 10.1088/1361-6528/aafce5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vertical InGaAs Nanowire Array Photodiodes on Si (2019)
  • 著者名/発表者名: Chiba Kohei、Yoshida Akinobu、Tomioka Katsuhiro、Motohisa Junichi
  • 雑誌名: ACS Photonics 巻: 6 号: 2 ページ: 260-264
  • DOI: 10.1021/acsphotonics.8b01089
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth and characterization of GaAs nanowires on Ge(1?1?1) substrates by selective-area MOVPE (2019)
  • 著者名/発表者名: Minami Yusuke、Yoshida Akinobu、Motohisa Junichi、Tomioka Katsuhiro
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 506 ページ: 135-139
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.009
  • 査読あり
• [雑誌論文] InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 赤松 知弥、亀田 滉貴、佐々木 正尋、冨岡 克広、本久 順一
  • 雑誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 巻: 118 ページ: 247-250
• [雑誌論文] Selective-area growth of pulse-doped InAs nanowires on Si and vertical transistor application (2018)
  • 著者名/発表者名: Gamo Hironori、Tomioka Katsuhiro
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 500 ページ: 58-62
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.035
  • 査読あり
• [雑誌論文] (Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform (2017)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 雑誌名: ECS Transaction 巻: 80 号: 1 ページ: 43-52
  • DOI: 10.1149/08001.0043ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Composition controllability of InGaAs nanowire arrays in selective area growth with controlled pitched on Si platform (2017)
  • 著者名/発表者名: Kohei Chiba, Katsuhiro Tomioka, Akinobu Yoshida, and Junichi Motohisa
  • 雑誌名: AIP Advances 巻: 7 号: 12 ページ: 125304-125304
  • DOI: 10.1063/1.4993689
  • NAID: 120006380383
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Growth and characterization of wurtzite InP/AlGaP core-multishell nanowires with AlGaP quantum well structures (2017)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 1 ページ: 010311-010311
  • DOI: 10.7567/jjap.56.010311
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Growth of All-Wurtzite InP/AlInP Core-Multishell Nanowires (2017)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, J. Motohisa, and T. Fukui
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 17 号: 3 ページ: 1350-1355
  • DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b03727
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of InGaAs Nanowires on Ge(111) by Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, K. Tomioka, F. Ishizaka, and J. Motohisa
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 464 ページ: 75-79
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.083
  • 査読あり
• [雑誌論文] (Invited) Advances in steep-slope tunnel FETs (2016)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
  • 雑誌名: Proceedings of IEEE ESSDERC 巻: 2016 ページ: 392-402
  • DOI: 10.1109/essderc.2016.7599670
  • 査読あり
• [雑誌論文] (Invited) Recent progress in vertical Si/III-V tunnel FETs: From fundamental to current-boosting technology (2016)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 75 号: 5 ページ: 127-134
  • DOI: 10.1149/07505.0127ecst
  • 査読あり
• [雑誌論文] Selective-Area Growth of Vertical InGaAs Nanowires on Ge for Transistor Application (2016)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, K. Tomioka, F. Ishizaka, K. Chiba, and J. Motohisa
  • 雑誌名: ECS Transactions 巻: 75 号: 5 ページ: 265-270
  • DOI: 10.1149/07505.0265ecst
  • 査読あり
• [学会発表] アニールによるInPナノワイヤ直径微細化 (2019)
  • 著者名/発表者名: 佐々木 正尋、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第54回応用物理学会北海道支部/第15回日本光学会北海道支部 合同学術講演会、函館、1/5 - 6 (2019)
• [学会発表] Si上のInAs/InPコアシェルナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタ高性能化の検討 (2019)
  • 著者名/発表者名: 蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
  • 学会等名: 第54回応用物理学会北海道支部/第15回日本光学会北海道支部 合同学術講演会、函館、1/5 - 6 (2019)
• [学会発表] Ge(111)上GaAs/AlGaAs/GaAsコアシェルナノワイヤの電気特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 南 祐輔、本久 順一、冨岡 克広
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会、東京、3/9-12 (2019)
• [学会発表] InAs/InPコアシェルナノワイヤ/Si接合界面による縦型トンネルFETの作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会、東京、3/9-12 (2019)
• [学会発表] InPナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 勝見悠、蒲生浩憲、佐々木正尋、本久順一、冨岡克広
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会、東京、3/9-12 (2019)
• [学会発表] Si上のIII-Vナノワイヤ選択成長とトランジスタ作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 蒲生 浩憲、本久 順一、冨岡 克広
  • 学会等名: 応用物理学会界面ナノ電子化学研究会 第4回ポスター発表展、東京、3/11 (2019)
• [学会発表] Scaling Effect on Vertical FETs using III-V Nanowire-Channels (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, H. Gamou, A. Yoshida, J. Motohisa
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018), Boston, USA, May 29 - June 1 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Size Control of InP NWs by in situ Thermal Annealing in MOVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: M. Sasaki, K. Chiba, A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara, Japan, June 3-8 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Growth and characterization of GaAs nanowires on Ge(111) substrates by selective-area MOVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: Y. Minami, A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara, Japan, June 3-8 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Characterization of Nanowire Light-emitting Diodes Grown by Selective-area MOVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara, Japan, June 3-8 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Heterogeneous integration of InGaAs nanowires with various In compositions on Ge(111) substrates for vertical transistor application (2018)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, K. Tomioka, K. Chiba, J. Motohisa
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara, Japan, June 3-8 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Shallow and heavy doping of Ge by MOVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara, Japan, June 3-8 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Selective-area growth of pulse-doped InAs related nanowire-channels on Si (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Gamou, K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara, Japan, June 3-8 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Characterization of GaAs-InGaP core-multishell nanowires on Si by selective-area MOVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), Nara, Japan, June 3-8 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Study on emission mechanism in InP-based nanowire LEDs (2018)
  • 著者名/発表者名: J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka
  • 学会等名: Nanowire Week 2018, Hamilton, Canada, June 11 -15 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Vertical GaAs-InGaP core-shell nanowires on Si by selective-area growth (2018)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, A. Yoshida, F. Ishizaka, J. Motohisa
  • 学会等名: Nanowire Week 2018, Hamilton, Canada, June 11 -15 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Vertical FETs using pulse-doped InAs nanowires on Si (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Gamo, K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa
  • 学会等名: Nanowire Week 2018, Hamilton, Canada, June 11 - 15 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Electroluminescence from InP-based Heterostructure Nanowiress (2018)
  • 著者名/発表者名: J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2018), Tokyo, Sep. 9 - 13 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] InGaAs nanowire/Ge heterojunction Esaki tunnel diodes (2018)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2018), Tokyo, Sep. 9 -13 (2018)
  • 国際学会
• [学会発表] Integration of III-V nanowires on Si and their transistor applications (Plenary) (2018)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: 22nd International Conference on Advanced Materials, Rome, Italy, Dec. 10-12 (2018)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] 有機金属気相選択成長により作製したInPナノワイヤのサイズ制御 (2018)
  • 著者名/発表者名: 佐々木 正尋、千葉 康平、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、名古屋、7/12- 13 (2018)
• [学会発表] Si上のInAsナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの高性能化 (2018)
  • 著者名/発表者名: 蒲生 浩憲、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋、9/18 - 21 (2018)
• [学会発表] InPナノワイヤLEDの温度依存性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 本久 順一、亀田 滉貴、佐々木 正尋、冨岡 克広
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋、9/18 - 21 (2018)
• [学会発表] 熱アニールによるInPナノワイヤのサイズ制御の検討 (2018)
  • 著者名/発表者名: 佐々木 正尋、千葉 康平、吉田 旭伸、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋、9/18- 21 (2018)
• [学会発表] InP/InAsPナノワイヤLEDの電流注入発光特性評価 (2018)
  • 著者名/発表者名: 赤松 知弥、亀田 滉貴、佐々木 正尋、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋、9/18- 21 (2018)
• [学会発表] InPナノワイヤLEDにおける発光効率の温度依存性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 本久 順一、亀田 滉貴、佐々木 正尋、冨岡 克広
  • 学会等名: The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), 長浜, 11/10-12 (2018)
• [学会発表] InP/InAsPナノワイヤLEDの電流注入発光特性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 赤松 知弥、亀田 滉貴、佐々木 正尋、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), 長浜, 11/10-12 (2018)
• [学会発表] Si上の垂直GaAs-InGaPコアマルチシェルナノワイヤの異種集積 (2018)
  • 著者名/発表者名: 冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37), 長浜, 11/10-12 (2018)
• [学会発表] Ge上InGaAsナノワイヤの組成評価と縦型素子応用 (2018)
  • 著者名/発表者名: 吉田 旭伸、冨岡 克広、千葉 康平、本久 順一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Si上InAsナノワイヤ縦型FET高性能化の検討 (2018)
  • 著者名/発表者名: 蒲生 浩憲、冨岡 克広、吉田 旭伸、千葉 康平、本久 順一
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Phase transition from Zinc Blende to Wurtzite and green-yellow emission of AlInP grown by crystal structure transfer method (Invited) (2017)
  • 著者名/発表者名: Takashi Fukui, Yoshihiro Hiraya, Fumiya Ishizaka, and Katsuhiro Tomioka
  • 学会等名: 13th Sweden - Japan QNANO Workshop
  • 発表場所: PACIFICO Yokohama (Yokohama, Japan)
  • 年月日: 2017-03-23
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Ge上InGaAsナノワイヤ選択成長と組成制御 (2017)
  • 著者名/発表者名: 吉田 旭伸、冨岡 克広、石坂 文哉、本久 順一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川、日本）
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] MOVPE選択成長法によるGe(111)基板上のGaAsナノワイヤ成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 南 祐輔、吉田 旭伸、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川、日本）
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] 半導体ナノワイヤ選択成長と電子デバイス応用 (2017)
  • 著者名/発表者名: 冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] Ge(111) 基板上の GaAs ナノワイヤ選択成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 南 祐輔、吉田 旭伸、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] MOVPE選択成長法によりナノワイヤ成長とデバイス応用 (2017)
  • 著者名/発表者名: 冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオード (2017)
  • 著者名/発表者名: 千葉 康平、吉田 旭伸、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] InAsP量子ドットナノワイヤにおける通信波長帯発光 (2017)
  • 著者名/発表者名: 佐々木 正尋、千葉 康平、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: 第78回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究 (2017)
  • 著者名/発表者名: 千葉 康平、吉田 旭伸、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
• [学会発表] 通信波長帯で発光するナノワイヤ量子ドットの成長と評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 佐々木 正尋、千葉 康平、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
• [学会発表] 太陽光発電応用に向けたGe(111)基板上GaAsナノワイヤのMOVPE選択成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 南 祐輔、吉田 旭伸、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
• [学会発表] Ge(111)基板上InGaAsナノワイヤ選択成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 吉田 旭伸、南 祐輔、千葉 康平、冨岡 克広、本久 順一
  • 学会等名: The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
• [学会発表] Current enhancement of tunnel FET using modulation-doped nanowire-channels (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa
  • 学会等名: 22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18)
  • 国際学会
• [学会発表] Improved characteristics of InP-based nanowire light-emitting diodes (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Kameda, K. Tomioka, F. Ishizaka, M. Sasaki, J. Motohisa
  • 学会等名: 22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18)
  • 国際学会
• [学会発表] Selective-area growth of GaAs nanowires on Ge(111) substrates (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Minami, A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: 22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18)
  • 国際学会
• [学会発表] Nanowire quantum dots emitting at telecom wavelength (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Sasaki, H. Kameda, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24)
  • 国際学会
• [学会発表] Vertical III-V nanowires on Si and transistor applications (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, Y. Minami, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
  • 国際学会
• [学会発表] Integration of InGaAs nanowires on Si(111) for optical devices (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Chiba, K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa
  • 学会等名: The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
  • 国際学会
• [学会発表] Transistor applications using vertical III-V nanowires on Si platform (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka and T. Fukui
  • 学会等名: 232rd ECS meeting
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Composition control of InGaAs nanowires on Ge(111) substrates by selective-area growth (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, K. Chiba, Y. Minami, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017)
  • 国際学会
• [学会発表] Demonstration of InGaAs nanowire array photodiode on Si (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Chiba, A.Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: 30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017)
  • 国際学会
• [学会発表] Radial modulation-doped nanowire channel for millivolt switch (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, K. Chiba, A. Yoshida, J. Motohisa
  • 学会等名: MRS fall meeting 2017
  • 国際学会
• [学会発表] Vertical InGaAs nanowire photodiode array on Si (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Chiba, A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: MRS fall meeting 2017
  • 国際学会
• [学会発表] III-V族化合物半導体ナノワイヤ縦型トランジスタのチャネル長スケーリング効果 (2017)
  • 著者名/発表者名: 冨岡 克広、吉田 旭伸、南 祐輔、石坂 文哉
  • 学会等名: The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
• [学会発表] High-performance InGaAs/Si tunnel FETs using core-multishell nanowire-channel (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit
  • 発表場所: Hynes Convention Center (Boston, USA)
  • 年月日: 2016-11-27
  • 国際学会
• [学会発表] Heterogeneous integration of vertical InxGa1-xAs nanowires on Ge(111) substrates by selective-area MOVPE (2016)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, F. Ishizaka, K. Tomioka, J. Motohisa
  • 学会等名: 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016)
  • 発表場所: ANA Crowne Plaza Kyoto (Kyoto, Japan)
  • 年月日: 2016-11-08
  • 国際学会
• [学会発表] Recent progress in vertical Si/III-V tunnel FETs: from fundamentals to current boosting technology (Invited) (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science (PRiME 2016)
  • 発表場所: Hawaii Convention Center (Honolulu, USA)
  • 年月日: 2016-10-02
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Selective-area growth of vertical InGaAs nanowires on Ge(111) for transistor applications (2016)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, K. Tomioka, F. Ishizaka, K. Chiba, J. Motohisa
  • 学会等名: Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science (PRiME 2016)
  • 発表場所: Hawaii Convention Center (Honolulu, USA)
  • 年月日: 2016-10-02
  • 国際学会
• [学会発表] Heterogeneous Integration of InGaAs Nanowires on Si(111) for Si Photonics (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Chiba, K. Tomioka, F. Ishizaka, A. Yoshida, J. Motohisa
  • 学会等名: Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science (PRiME 2016)
  • 発表場所: Hawaii Convention Center (Honolulu, USA)
  • 年月日: 2016-10-02
  • 国際学会
• [学会発表] Structural and Optical Properties of Wurtzite InP/AlInP Core-Multishell Nanowires (2016)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
  • 発表場所: Tsukuba International Congress Center (Tsukuba, Japan)
  • 年月日: 2016-09-26
  • 国際学会
• [学会発表] InGaAs/Si heterojunction tunnel FET with modulation-doped channel (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)
  • 発表場所: Tsukuba International Congress Center (Tsukuba, Japan)
  • 年月日: 2016-09-26
  • 国際学会
• [学会発表] ウルツ鉱構造InP/AlInPコアマルチシェルナノワイヤの構造及び光学特性評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 石坂 文哉、平谷佳大、冨岡 克広、本久 順一、福井 孝志
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ(新潟、日本)
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] Si基板上InGaAsナノワイヤの組成制御 (2016)
  • 著者名/発表者名: 千葉 康平、冨岡 克広、石坂 文哉、吉田 旭伸、本久 順一
  • 学会等名: 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ(新潟、日本)
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] Advances in Steep-Slope Tunnel FETs (Invited) (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: ESSCIRC-ESSDERC 2016
  • 発表場所: Swisstech Convention Centre (Lausanne, Switzerland)
  • 年月日: 2016-09-12
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Selective-area growth of III-V nanowires on Si and transistor applications (Invited) (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: The Eighth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2016)
  • 発表場所: IBEROSTAR Paraiso Beach (Mayan Riviera, Mexico)
  • 年月日: 2016-08-28
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] III-V semiconductor nanowire hetero-epitaxy on Si, Ge, poly-Si and graphene (Invited) (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui and K. Tomioka
  • 学会等名: The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
  • 発表場所: Nagoya Congress Center (Aichi, Japan)
  • 年月日: 2016-08-07
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Selective-area growth of InGaAs-based core-multishell nanowires on Si(111) with modulation-doped layer toward tunnel FETs (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
  • 発表場所: Nagoya Congress Center (Aichi, Japan)
  • 年月日: 2016-08-07
  • 国際学会
• [学会発表] Study on Selective-Area Growth of InGaAs Nanowires for Optical Communication Band (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Chiba, K. Tomioka, J. Motohisa, F. Ishizaka, A. Yoshida, T. Fukui
  • 学会等名: The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
  • 発表場所: Nagoya Congress Center (Nagoya, Japan)
  • 年月日: 2016-08-07
  • 国際学会
• [学会発表] Heterogeneous Integration of InGaAs-Related Nanowires on Si and Their Device Applications (Invited) (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: The 18th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVIII)
  • 発表場所: Sheraton San Diego Hotel & Marina (San Diego, USA)
  • 年月日: 2016-07-10
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Growth of Wurtzite AlInP in InP/AlInP Core-Shell Nanowires by Crystal Structure Transfer Method (2016)
  • 著者名/発表者名: F. Ishizaka, Y. Hiraya, K. Tomioka, T. Fukui
  • 学会等名: The 18th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVIII)
  • 発表場所: Sheraton San Diego Hotel & Marina (San Diego, USA)
  • 年月日: 2016-07-10
  • 国際学会
• [学会発表] Growth of InGaAs nanowires on Ge(111) by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: A. Yoshida, K. Tomioka, F. Ishizaka, K. Chiba, J. Motohisa, T. Fukui
  • 学会等名: The 18th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVIII)
  • 発表場所: Sheraton San Diego Hotel & Marina (San Diego, USA)
  • 年月日: 2016-07-10
  • 国際学会
• [学会発表] Selective-area MOVPE growth of InGaAs nanowires for optical communication band (2016)
  • 著者名/発表者名: Kohei Chiba, Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Akinobu Yoshida, Junichi Motohisa, and Takashi Fukui
  • 学会等名: The 35th Electronic Materials Symposium (EMS 35)
  • 発表場所: Laforet Shiga (Moriyama, Japan)
  • 年月日: 2016-07-06
• [学会発表] Selective area growth of III-V nanowires on Si and their transistor applications (Invited) (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Tomioka
  • 学会等名: 2016 HU-SNU Joint Workshop
  • 発表場所: Hokkaido University (Sapporo, Japan)
  • 国際学会 / 招待講演
• [図書] Chapter 2 in Emerging Devices for Low-Power and High-Performance Nanosystems: Physics, Novel Functions, and Data Processing (2018)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka
  • 出版者: Pan Stanford Publishing
• [図書] Novel Compound Semiconductor Nanowires; Materials, Devices, and Applications (2017)
  • 著者名/発表者名: Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa Takashi Fukui
  • 出版者: Pan Stanford Publishing
  • ISBN: 9814745766
• [備考]
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/labo/ied/
• [備考]
  • URL: https://www.rciqe-hokudai-tomioka.com/home
• [備考]
  • URL: https://researchmap.jp/read0146924/
• [備考]
  • URL: https://scholar.google.co.jp/citations?user=KUBinl4AAAAJ&hl=ja
• [備考] 冨岡克広 ホームページ
  • URL: https://www.rciqe-hokudai-tomioka.com/research
• [備考] 集積電子デバイス研究室-新着情報
  • URL: https://www.rciqe-hokudai-tomioka.com/
• [備考] 冨岡克広-研究者-researchmap
  • URL: https://researchmap.jp/read0146924/
• [備考] 量子集積エレクトロニクス研究センター 集積電子デバイス
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/labo/ied/
• [備考] 北大 集積電子デバイス研究室
  • URL: https://www.rciqe-hokudai-tomioka.com/
• [備考] 冨岡克広 ホームページ
  • URL: https://www.rciqe-hokudai-tomioka.com/home
• [産業財産権] TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR (2018)
  • 発明者名: Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
  • 権利者名: Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2018
  • 外国
• [産業財産権] トンネル電界効果トランジスタ (2017)
  • 発明者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 権利者名: 冨岡克広、福井孝志
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2017-543415
  • 出願年月日: 2017
  • 外国
• [産業財産権] TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR (2016)
  • 発明者名: Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
  • 権利者名: Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui
  • 産業財産権種類: 特許
  • 出願年月日: 2016
  • 取得年月日: 2018
  • 外国