| 研究課題/領域番号 |
16H06360
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
長 康雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (40179966)
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| 研究分担者 |
山末 耕平 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70467455)
平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70436161)
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| 研究期間 (年度) |
2016-05-31 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
194,610千円 (直接経費: 149,700千円、間接経費: 44,910千円)
2020年度: 21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
2019年度: 26,000千円 (直接経費: 20,000千円、間接経費: 6,000千円)
2018年度: 25,220千円 (直接経費: 19,400千円、間接経費: 5,820千円)
2017年度: 25,870千円 (直接経費: 19,900千円、間接経費: 5,970千円)
2016年度: 96,460千円 (直接経費: 74,200千円、間接経費: 22,260千円)
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| キーワード | 走査型非線形誘電率顕微鏡 / 局所DLTS法 / MOS界面欠陥 / 時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡 / 界面準位密度 / 移動度 / ワイドギャップ半導体 / パワーデバイス / 界面順位密度 / MOS界面 / 次世代パワー半導体 / 界面電荷輸送現象 / 超高次非線形誘電率顕微鏡法 / 時間分解SNDM法 / 走査型非線形誘電率顕微鏡法 / 超高次SNDM法 / 時間分解SNDM / Dit分布観測 / 超高次非線形誘電率顕微鏡 法 / 走査型非線形誘電率ポテン ショメリ |
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| 研究成果の概要 |
時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡の発明とその本研究課題への応用を中心に据え、特に次世代パワーデバイスとして注目を集めているSiO2/SiC 及びAl2O3/GaN MOSの界面評価を行い、そのデバイス特性にとの相関に関する多くの知見を得た。
その代表的な成果は、Ditや表面ポテンシャルの実空間分布の計測結果から、移動度低下の要因を明らかにしたことである。またその研究経過で多くのSNDM派生型の新顕微鏡法・分析法が生まれ今後利用される新評価技術の礎を築いた。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究により特に次世代パワーエレクトロニクス用デバイスに用いるMOS界面の品質評価がミクロな視点からできるようになり、SiCやGaN等一部のMOS界面に関しては、移動度低下の要因を一部明らかにできたため、2021年度には富士電機、ミライズテクノロジーズ、名古屋大学天野教授グループ等の主だったワイドギャップ半導体素子研究機関との（本研究成果を発展的に応用する）共同研究につながりその社会的意義は大きいものがあった。
更に本研究成果が認められ、本部科学省「革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」にも採択され、本研究課題を更に発展させる研究を継続するに至った。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A-
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
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