| 研究課題/領域番号 |
16H06717
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
石塚 大晃 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (00786014)
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| 研究期間 (年度) |
2016-08-26 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2017年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | シフト電流 / Berry位相 / ワイル半金属 / 二次高調波発生 / 光起電効果 / 非線形応答 / 非平衡現象 / 物性理論 / 半導体物性 / 光応答 / 光物性 / 強相関電子系 |
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| 研究成果の概要 |
空間反転対称性の破れた物質に特有の物理現象である異常光起電効果および二次高調波発生をゼロギャップ半導体から絶縁体までの異なる性質を持つ物質系を対象として理論的に研究した．そして，ゼロギャップ半導体では，絶縁体とは異なる機構による異常光起電効果および二次高調波発生が見られることを見出した．また，絶縁体における研究では，Rice-Mele模型における異常光電流を非平衡Green関数法を用いて解析した．そして，従来のpn接合系における光起電効果と異なり，異常光起電効果が光電子の励起位置によらないことを確認した．これらの成果は今後の異常光起電効果の実験的研究に対して指針を提供することが期待できる．
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