| 研究課題/領域番号 |
16H06890
|
|---|
| 研究種目 |
研究活動スタート支援
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 京都大学 |
|---|
研究代表者 |
奥田 貴史 京都大学, 工学研究科, 助教 (00783036)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2016-08-26 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
|
|---|
| キーワード | 炭化珪素 / バイポーラトランジスタ / 電力変換回路 / ベース駆動回路 / 高周波動作 / デバイスモデリング / スイッチング特性 / SiC / 回路シミュレーション |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では炭化珪素（SiC）バイポーラトランジスタ（BJT）を用いた高周波電力変換回路の実現をめざした。まず、動作周波数1 MHzの高周波スイッチングに対応できる回路シミュレーション環境を構築した。構築したシミュレーション環境を活用し、高周波ベース駆動回路を製作した。BJTは電流駆動回路であるため、駆動回路に工夫を要する。この駆動回路を利用した100 W級の昇圧回路を製作した。製作した昇圧回路は1 MHzの高い動作周波数でも94%の変換効率を実現した。SiC BJTの高周波パワースイッチングデバイスとしての可能性を示すことができたと考えられる。
|
