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触媒表面基準エッチングによるSiC加工のメカニズム解明

研究課題

研究課題/領域番号 16J06391
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分補助金
応募区分国内
研究分野 生産工学・加工学
研究機関大阪大学

研究代表者

ブイ フォー ヴァン  大阪大学, 工学研究科, 特別研究員(PD)

研究期間 (年度) 2016-04-22 – 2018-03-31
研究課題ステータス 完了 (2017年度)
配分額 *注記
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
キーワードPlanarization / Etching / Surface reaction / Catalyst / Surface cleaning
研究実績の概要

By the elucidation of the mechanism of Water-CARE conducted in the first year, the intermediate state of CARE reaction is stabilized by chemical bonds between O of OH (adsorbed on a targeted Si) and a catalytic metal. Thanks to this stabilization, the activation energy is reduced and the CARE reaction is possible to occur at the room temperature. This year, by tuning this chemical bond with O using different catalysts, we observed a clear dependence of the removal rate on this binding energy. When this binding energy is too low, the reaction is not promoted. Therefore, the removal rate is low. When this binding energy is too high, the catalytic activity is reduced due to the poisoning. Thus, the removal rate is also slow. For the optimization of the catalyst performance, we proposed using an alloy catalyst and gained significant results. Additionally, experimental results showed that Water-CARE is also effective for GaN, a nitrite semiconductor. In parallel, we clarified the mechanism of the GaN etching by first-principles calculation. As a result, it was revealed that Water-CARE of GaN can be progressed by the hydrolysis reaction which is similar to that of the SiC etching. The present results are currently being prepared for publication.

現在までの達成度 (段落)

29年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

29年度が最終年度であるため、記入しない。

報告書

(2件)
  • 2017 実績報告書
  • 2016 実績報告書
  • 研究成果

    (9件)

すべて 2018 2017 2016

すべて 雑誌論文 (3件) (うち国際共著 3件、 査読あり 3件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (6件) (うち国際学会 2件)

  • [雑誌論文] Characteristics and Mechanism of Catalyst-Referred Etching Method: Application to 4H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      Pho Van Bui, Yasuhisa Sano, Yoshitada Morikawa, and Kazuto Yamauchi
    • 雑誌名

      International Journal of Automation Technology

      巻: 12 号: 2 ページ: 154-159

    • DOI

      10.20965/ijat.2018.p0154

    • NAID

      130007506009

    • ISSN
      1881-7629, 1883-8022
    • 年月日
      2018-03-05
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Platinum-catalyzed hydrolysis etching of SiC in water: A density functional theory study2018

    • 著者名/発表者名
      Pho Van Bui, Daisetsu Toh, Ai Isohashi, Satoshi Matsuyama, Kouji Inagaki, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi and Yoshitada Morikawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 5 ページ: 055703-055703

    • DOI

      10.7567/jjap.57.055703

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Chemical etching of silicon carbide in pure water by using platinum catalyst2017

    • 著者名/発表者名
      Ai Isohashi, P. V. Bui, D. Toh, S. Matsuyama, Y. Sano, K. Inagaki, Y. Morikawa, and K. Yamauchi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 110 号: 20 ページ: 201601-201601

    • DOI

      10.1063/1.4983206

    • 関連する報告書
      2017 実績報告書 2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [学会発表] Planarization of SiC and oxide surfaces by using Catalyst-Referred Etching with water2017

    • 著者名/発表者名
      Pho Van Bui
    • 学会等名
      17th International Conference & Exhibition
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Ultra-smooth SiC and oxide surfaces planarized using catalyst-referred etching2017

    • 著者名/発表者名
      Pho Van Bui
    • 学会等名
      Nanophysics, from fundamental to applications: reloaded
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Platinum-assisted chemical etching of SiC: A density functional theory study2017

    • 著者名/発表者名
      Bui Pho Van
    • 学会等名
      2017年度精密工学会秋季大会学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実績報告書
  • [学会発表] Wet-Chemical Planarization of SiC Wafers for Advanced Optoelectronics Applications2016

    • 著者名/発表者名
      Pho Van Bui
    • 学会等名
      The 8th International workshop on advanced materials science and nanotechnology
    • 発表場所
      Halong, Vietnam
    • 年月日
      2016-11-08
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] First-Principles Simulations of Platinum-assisted Water Etching of SiC2016

    • 著者名/発表者名
      Pho Van Bui
    • 学会等名
      European conference on surface science (ECOSS32)
    • 発表場所
      Grenoble, France
    • 年月日
      2016-08-28
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Wet Chemical Planarization of SiC Surface2016

    • 著者名/発表者名
      Bui Van Pho
    • 学会等名
      ベトナム-日本学術交流会議
    • 発表場所
      伊都キャンパス、九州大学、福岡
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書

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公開日: 2016-05-17   更新日: 2024-03-26  

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