| 研究課題/領域番号 |
16J11594
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 国内 |
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| 研究分野 |
知能機械学・機械システム
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
前谷 卓哉 名古屋大学, 工学研究科, 特別研究員(DC2)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-22 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
2017年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2016年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
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| キーワード | MEMS / コンビナトリアル手法 / 磁歪 / ハイスループット評価 |
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| 研究実績の概要 |
磁歪材料は非接触駆動，大出力といった特徴から多くのアクチュエータやセンサに応用されている．本研究では，磁歪材料の重要な物性値である磁歪量と比透磁率(磁化曲線)をハイスループット評価する方法として，カンチレバー構造を有するMEMS構造体を用いた新しいハイスループット評価方法の考案，及び原理確認を行うことを目的とした．平成29年度は，1)SOIウエハを用いたMEMS構造体の製作，2)製作したMEMS構造体を用いた磁歪量，比透磁率のハイスループット評価を実施し，以下の成果を得た．
1) SOIウエハを用いたMEMS構造体の製作
カンチレバー形状のMEMS構造体に成膜した磁歪材料をアニールした際には内部応力が発生する．内部応力によりカンチレバーにはたわみが発生してしまうため剛性の高い厚膜のSiデバイス層を有するSOIウエハを用いてMEMS構造体の製作を行った．発生するたわみは磁歪材料の磁歪量，比透磁率を評価できる程度に抑制することができ，SOIウエハを使用したMEMS構造体の製作プロセスを確立した．
2) 製作したMEMS構造体を用いた磁歪量，比透磁率のハイスループット評価
SOIウエハを用いて製作したMEMS構造体を使用して，磁歪量，比透磁率の評価を行った．磁歪量は，カンチレバー形状のMEMS構造体に外部磁場を印加した際に発生するたわみを，カンチレバー近傍に設置した電極との間の静電容量変化を測定することで評価した．測定結果は従来から磁歪量の測定に利用されている光てこ法を用いた測定結果と比較し，妥当性を確認した．比透磁率の測定は，カンチレバー形状のMEMS構造体を加振した際に，近傍に設置したピックアップコイルに発生する，磁歪材料の磁化に比例した誘導起電力を測定することで評価した．測定結果は従来から比透磁率測定に利用されている試料振動型磁力計の測定結果と比較し，妥当性を確認した．
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| 現在までの達成度 (段落) |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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