| 研究課題/領域番号 |
16K04896
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料化学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
Kolobov A. 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 首席研究員 (60357043)
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| 連携研究者 |
富永 淳二 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 首席研究員 (10357577)
フォンス ポール 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 上級主任研究員 (90357880)
齊藤 雄太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (50738052)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 層状カルコゲナイド / ファンデルワールス / 電子状態 / 第一原理計算 / 密度汎関数理論 / 超格子 / ヘテロ構造 / 応力制御 / chalcogenides / van der Waals solids / electronic structure / strain control / superlattices / van der Waals / topological insulators / dichalcogenides / heterostrictures / ナノ材料 / 計算物理 / 電子・電気材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、理論計算を駆使することで、次世代のエレクトロニクス用の新材料として注目されている層状カルコゲナイドという物質群の構造や電子状態、異種物質との組み合わせについて系統的に調査を行なった。主な結果は、(1)電子励起アシストによるMoTe2の構造相転移の理論的予測、(2)数原子層GaNとMoS2とのエピタキシャル接合の提案、(3)GeTe/Sb2Te3超格子における電子状態のトポロジカル特性と応力による制御、(4)GeTe/Sb2Te3超格子における欠陥と電子状態の関連の調査である。これらの理論計算による特性の予測は、今後のデバイス応用において極めて重要な知見であると考えられる。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では、理論計算を中心に原子レベルの超極薄膜の電子状態について様々な観点から調査した。層状カルコゲナイドと総称される材料系では、原子レベルまで薄くなるとその特性が大きく変わることが知られているため、実験だけでなく、理論計算による予測が非常に重要な役割を果たす。本研究の理論計算によって、極薄膜の層状カルコゲナイドにおける構造や電子状態に関する多くの新たな知見を得ることができ、次世代の電子デバイス応用に向けて材料学的な見地から大きな貢献を行なった。
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