| 研究課題/領域番号 |
16K04936
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
矢野 満明 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40200563)
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| 研究分担者 |
小池 一歩 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40351457)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 三酸化タングステン薄膜 / エピタキシャル成長 / 結晶構造 / プロトンの注入と注出 / 電気特性 / 光学特性 / バイオセンサ / ガスセンサ / 三酸化タングステン / 電気特性の変化 / 光学特性の変化 / 結晶工学 / 電子・電気材料 / 半導体物性 |
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| 研究成果の概要 |
結晶構造と面方位を制御した三酸化タングステン（WO3）薄膜を作製する成膜技術を開発し，当該薄膜を用いてプロトンの注入・注出にともなうエレクトロクロミック特性と，格子定数近接系エピタキシャル成長における格子緩和過程の詳細を明らかにした．また，WO3薄膜をバイオセンサに応用するための酵素固定化方法の開発と，ガスセンサに応用するための低コスト成膜技術の開発ならびにガス感度特性の評価を行った．研究成果は14件の学術雑誌掲載論文と31件の学会発表として，社会に公表した．
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
学術的意義：結晶構造と面方位が制御されたWO3薄膜を作製してプロトンの注入・注出に関する詳細な知見を得ることで，新規センサやイオンエレクトロニクス素子の実現に資するのみならず，相変化型メモリや次世代バッテリの固体電解質ならびにスマートウインドウの研究に有用な情報を提供した．
社会的意義：上記を通じて企業の技術開発に役立つ知見を公開したほか，WO3薄膜をバイオセンサやガスセンサへ適用するために必要な要素技術を開発し，超スマート社会を支える高機能センサの実現に貢献した．
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