新しい原料分子を用いた気相成長による高品質・超厚膜窒化ガリウムの高速結晶成長

• 研究課題/領域番号: 16K04945
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
• 研究期間 (年度): 2016-04-01 – 2019-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2018年度)
• 配分額: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2017年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
• キーワード: 結晶成長 / 窒化物半導体 / エピタキシャル成長 / 窒化ガリウム / 半導体 / ワイドバンドギャップ / トリハライド気相成長法 / 気相成長 / 基板 / 化合物半導体 / 自立基板 / エピタキシャル / 結晶工学

研究成果の概要

新しい原料分子である三塩化ガリウム(GaCl3)を用いたGaN高温・高速成長に関する研究を行い、これまで報告例のない1300℃を超える成長温度でのGaN成長の実現および実用に耐える結晶品質および不純物濃度の結晶作製を達成した。現在GaN基板の生産に用いられているHVPE法による成長速度に対し、本研究では2.5～3倍の成長速度を結晶品質の劣化無しに達成したことから、将来のGaNバルク結晶生産の新手法としての可能性が見いだされた。

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究成果は、従来法に比べて3倍程度の成長速度を得つつ、結晶品質の優れたGaN単結晶を提供する手法を確立した点において、将来のGaN基板作製コストの低減のほか、その基板上に作製されるGaN系電力変換素子やレーザー等の性能向上にも貢献するものと考える。また、原料生成部の詳細な解析を行い見いだされた知見は、学術的に大きな指針を与え、他の結晶成長に対してもユニバーサルに適用可能なものとなったことから、学術的にも大きな意義をもっていると考える。

研究成果

• [雑誌論文] Vapor Phase Epitaxy of (133) and (211) CdTe on (211) Si Substrates Using Metallic Cd Source (2019)
  • 著者名/発表者名: Kenji Iso, Yuya Gokudan, Masumi Shiraishi, Minae Nishikado, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Electronic Materials 巻: 48 号: 1 ページ: 454-459
  • DOI: 10.1007/s11664-018-6728-1
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dependence of surface morphology at initial growth of CdTe on the II/VI on (211) Si substrates by vapor phase epitaxy using metallic Cd source (2019)
  • 著者名/発表者名: Iso Kenji, Gokudan Yuya, Shiraishi Masumi, Nishikado Minae, Murakami Hisashi, Koukitu Akinori
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 506 ページ: 185-189
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.038
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of intermediate layers on thick InGaN growth using tri-halide vapor phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: Kentaro Ema, Rio Uei, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 印刷中
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy using solid source of GaCl3: the investigation of the growth dependence on NH3 and additional Cl2 (2019)
  • 著者名/発表者名: Nao Takekawa, Machi Takahashi, Mayuko Kobayashi, Ichiro Kanosue, Hiroyuki Uno, Kikurou Takemoto, and Hisashi Murakami
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 印刷中
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy (2018)
  • 著者名/発表者名: Nao Takekawa, Naoto Hayashida, Daisuke Ohzeki, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 502 ページ: 7-13
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.08.024
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct Growth of CdTe on a (211) Si Substrate with Vapor Phase Epitaxy Using a Metallic Cd Source (2017)
  • 著者名/発表者名: Iso Kenji、Gokudan Yuya、Shiraishi Masumi、Murakami Hisashi、Koukitu Akinori
  • 雑誌名: Journal of Electronic Materials 巻: 46 号: 10 ページ: 5884-5888
  • DOI: 10.1007/s11664-017-5584-8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Crystallization of semi-insulating HVPE-GaN with solid iron as a source of dopants (2017)
  • 著者名/発表者名: Iwinska M.、Piotrzkowski R.、Litwin-Staszewska E.、Ivanov V. Yu.、Teisseyre H.、Amilusik M.、Lucznik B.、Fijalkowski M.、Sochacki T.、Takekawa N.、Murakami H.、Bockowski M.
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 475 ページ: 121-126
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.06.007
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Crystal growth of HVPE-GaN doped with germanium (2017)
  • 著者名/発表者名: Iwinska M.、Takekawa N.、Ivanov V.Yu.、Amilusik M.、Kruszewski P.、Piotrzkowski R.、Litwin-Staszewska E.、Lucznik B.、Fijalkowski M.、Sochacki T.、Teisseyre H.、Murakami H.、Bockowski M.
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 480 ページ: 102-107
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.016
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Thick nonpolar m -plane and semipolar (10-1 -1) GaN on an ammonothermal seed by tri-halide vapor-phase epitaxy using GaCl3 (2017)
  • 著者名/発表者名: Kenji Iso, Karen Mstsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami and Akinori Koukit
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 461 ページ: 25-29
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.005
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quasiequilibrium crystal shape and kinetic Wulff plot for GaN grown by trihalide vapor phase epitaxy using GaCl3 (2017)
  • 著者名/発表者名: Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Hisashi Murakami ans Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Phisica Status Solidi B 巻: 254 号: 8
  • DOI: 10.1002/pssb.201600679
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Investigation of NH3 input partial pressure for N-polarity InGaN growth on GaN substrates by tri-halide vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Hirasaki, T. Hasegawa, M. Meguro, Q. T. Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 5S ページ: 05FA01-05FA01
  • DOI: 10.7567/jjap.55.05fa01
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Formation mechanism of AlN whiskers on sapphire surfaces heat-treated in a mixed flow of H2 and N2 (2016)
  • 著者名/発表者名: Kazuya Takada*, Kazushiro Nomura, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, and Yoshinao Kumagai
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 5S ページ: 05FF01-05FF01
  • DOI: 10.7567/jjap.55.05ff01
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of high-temperature processing on the surface properties of bulk AlN substrates (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Tojo, R. Yamamoto, R. Tanaka, Q.-T. Thieu, R. Togashi, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu, B. Monemar, Z. Sitar, Y. Kumagai
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 446 ページ: 33-38
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.04.030
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of thick GaN using gaseous GaCl3 precursor (2016)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami*, Nao Takekawa, Anna Shiono, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 456 ページ: 140-144
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.08.029
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Growth of thick and high crystalline quality InGaN layers on GaN (000-1) substrate using tri-halide vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, Martin Eriksson, Quang Tu Thieu, Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Per Olof Holtz, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 456 ページ: 145-150
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.08.019
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] LETTER Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl3 on polar, semipolar, and nonpolar substrates (2016)
  • 著者名/発表者名: Kenji Iso, Nao Takekawa, Karen Matsuda, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 9 号: 10 ページ: 105501-105501
  • DOI: 10.7567/apex.9.105501
  • 査読あり
• [学会発表] MOVPE-like Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and AlGaN using GaCl3 and AlCl3 (2018)
  • 著者名/発表者名: Mayuko Kobayashi, Nao Takekawa, Machi Takahashi, and Hisashi Murakami
  • 学会等名: 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
  • 国際学会
• [学会発表] トリハライド気相成長法によるGaN高温高速厚膜成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 村上尚，竹川直，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] THVPE法を用いたGaNの高温・高速成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 大関大輔，竹川直，山口晃，村上尚，熊谷義直，松本功，纐纈明伯
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] THVPE法によるアモノサーマル製バルクシード上のGaNホモエピタキシャル成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 大瀧将磨, 磯憲司, 村上尚, 纐纈明伯
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] THVPE法による窒化ガリウムの高速ホモエピタキシャル成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 河本直哉，竹川直，大関大輔，大瀧将磨，山口晃，村上尚，熊谷義直，松本功，纐纈明伯
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] Excess Chlorine and Growth Temperature Effects of N-Polar GaN Growth via Tri-halide Vapor Phase Epitaxy and its Theoretical Study (2018)
  • 著者名/発表者名: N. Takekawa, D. Oozeki, A. Yamaguchi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Matumoto, A. Koukitu
  • 学会等名: 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
  • 国際学会
• [学会発表] Progress in halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 (2018)
  • 著者名/発表者名: H. Murakami, K. Konishi, K. Goto, Q.-T. Thieu, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, M. Higashiwaki, Y. Kumagai
  • 学会等名: European Materials Research Society 2018 Fall Meeting
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] THVPE法を用いたN極性GaNの高温成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 大関 大輔、竹川 直、河本 直哉、山口 晃、村上 尚、熊谷 義直、松本 功、纐纈 明伯
  • 学会等名: 第79回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Recent progress in tri-halide vapor phase epitaxy of GaN-related materials (2018)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Kentaro Ema, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] High temperature growth of N-polar GaN by THVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: Daisuke Oozeki, Nao Takekawa, Naoya Kawamoto, Akira Yamaguchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会
• [学会発表] GaN growth on the three-dimensional-shaped SCAAT bulk seed by tri-halide vapor phase epitaxy using GaCl3 (2018)
  • 著者名/発表者名: Kenji Iso, Daisuke Oozeki, Syoma Ohtaki, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会
• [学会発表] Influence of intermediate layers on thick InGaN growth using THVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: Kentaro Ema, Rio Uei, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会
• [学会発表] The effect of NH3 partial pressure on GaN growth via Tri-halide vapor phase epitaxy using solid source GaCl3 (2018)
  • 著者名/発表者名: Nao Takekawa, Mayuko Kobayashi, Machi Takahashi, and Hisashi Murakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2018
  • 国際学会
• [学会発表] トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長 (2018)
  • 著者名/発表者名: 植井 里緒、川邊 充希、江間 研太郎、村上 尚、熊谷 義直、纐纈 明伯
  • 学会等名: 第66回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire and GaN templates by HVPE (2018)
  • 著者名/発表者名: Mayuko Sato, Nao Takekawa, Keita Konishi, Hisashi Murakami and Yoshinao Kumagai
  • 学会等名: International Conference on Light Emitting Devices and their Applications 2018
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE-like Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and AlGaN using GaCl3 and AlCl3 (2018)
  • 著者名/発表者名: Mayuko Kobayashi, Nao Takekawa, Machi Takahashi, Hisashi Murakami
  • 学会等名: 19th International Conference on MetalOrganic Vapor Phase Spitaxy
  • 国際学会
• [学会発表] High temperature growth of thick InGaN layer with the indium solid composition of 10% using tri-halide vapor phase epitaxy (2017)
  • 著者名/発表者名: Naoya Matsumoto, Misaki Meguro, Kentaro Ema, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Conference on Light Emitting Devices and their Applications 2017
  • 国際学会
• [学会発表] Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick InGaN and AlGaN Ternary Alloys (2017)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Kentaro Ema, Naoya Matsumoto, Machi Takahashi, Rio Uei, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 10th Internationational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] THVPE of GaN -current topics- (2017)
  • 著者名/発表者名: Akinori Koukitu, Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akira Yamaguchi, Koh Matsumoto
  • 学会等名: 10th Internationational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] High temperature growth of GaN by THVPE method (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Takekawa, N. Hayashida, D. Ohzeki, A. Yamaguchi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Matsumoto, A. Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on UV Materials and Devices 2017
  • 国際学会
• [学会発表] 固体三塩化物原料を用いたGaNおよび AlGaNのトリハライド気相成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 髙橋万智、小林真悠子、村上尚、纐纈 明伯
  • 学会等名: 2017年度結晶工学未来塾
• [学会発表] THVPE法を用いた無極性m面(10-10)および半極性面(10-1-1)上GaN厚膜成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 大関大輔、磯憲司、松田華蓮、竹川直、引田和弘、林田直人、村上尚、纐纈明伯
  • 学会等名: 2017年度結晶工学未来塾
• [学会発表] THVPE法を用いたGaNの高温高速成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 林田直人、竹川直、大関大輔、山口晃、村上尚、熊谷義直、松本功、纐纈明伯
  • 学会等名: 2017年度結晶工学未来塾
• [学会発表] 金属Cd原料を用いたVPE法によるSi基板上へのCdTe成長と評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 極檀優也、磯憲司、2、白石万壽実、村上尚、纐纈明伯
  • 学会等名: 2017年度結晶工学未来塾
• [学会発表] 高品質InGaN厚膜成長を目指した中間層導入の検討 (2017)
  • 著者名/発表者名: 植井里緒, 江間研太郎, 松本尚也, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN系光デバイス作製に向けた膜厚制御性の検討 (2017)
  • 著者名/発表者名: 江間研太郎、松本尚也、植井里緒、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
  • 学会等名: 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 金属Cd原料を用いた気相成長法によるCdTe膜成長とその評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 白石 万壽実, 磯 憲司, 極檀 優也, 村上 尚, 纐纈 明伯
  • 学会等名: 日本学術振興会第162委員会100回記念公開シンポジウム
• [学会発表] HVPE growth of the group III nitrides (2017)
  • 著者名/発表者名: A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Murakami
  • 学会等名: 36th Electronic Material Symposium (EMS36)
  • 招待講演
• [学会発表] Thick GaN and AlGaN Growth by Solid-Source Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2017)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Machi Takahashi, Akinori Koukitu
  • 学会等名: 36th Electronic Material Symposium (EMS36)
• [学会発表] Thick InGaN layer with the indium solid composition over 10% using tri-halide vapor phase epitaxy (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Murakami, K. Ema, N. Matsumoto, M. Meguro, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
  • 国際学会
• [学会発表] トリハライド気相成長法によるGaN高温厚膜成長 (2017)
  • 著者名/発表者名: 村上 尚，竹川 直，熊谷 義直，山口 晃，松本 功，纐纈明伯
  • 学会等名: 第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)
  • 招待講演
• [学会発表] トリハライド気相成長法を用いた N 極性窒化ガリウムの高温成長 (2016)
  • 著者名/発表者名: 竹川 直、引田 和弘、松田 華蓮、林田 直人、村上 尚、熊谷 義直、纐纈 明伯
  • 学会等名: 第8回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 京都大学, 京都府
• [学会発表] トリハライド気相成長法による GaN 成長の基板面方位依存性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 松田 華蓮、磯 憲司、竹川 直、引田 和宏、林田 直人、村上 尚、纐纈 明伯
  • 学会等名: 第8回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 京都大学, 京都府
• [学会発表] High Temperature Growth of Thick InGaN Layers using Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Meguro, T. Hirasaki, T. Hasegawa, Q. T.Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
  • 学会等名: International Conference on LEDs and their Industrial Applications ’16 (LEDIA'16)
  • 発表場所: Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
  • 国際学会
• [学会発表] High temperature growth of thick InGaN ternary alloy by tri-halide vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Matsumoto, M. Meguro, K. Ema, Q.-T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
  • 学会等名: 35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖、滋賀県
• [学会発表] High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: H. Murakami, T. Hirasaki, M. Meguro, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
  • 学会等名: 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
  • 発表場所: Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Quasi-Equilibrium Crystal Shape and Kinetic Wulff Plot for GaN Grown by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy Using GaCl3 (2016)
  • 著者名/発表者名: Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
  • 発表場所: Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
  • 国際学会
• [学会発表] Dependence of GaN Growth on the Substrates with Various Surface Orientations by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy Using GaCl3 (2016)
  • 著者名/発表者名: Kenji Iso, Karen Matsuda, Nao Takekawa, Kazuhiro Hikida, Naoto Hayashida, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
  • 発表場所: Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
  • 国際学会
• [学会発表] Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN (2016)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Takahide Hirasaki, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
  • 発表場所: Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN厚膜の高温成長 (2016)
  • 著者名/発表者名: 江間研太郎、目黒美佐稀、松本尚也、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第5回結晶工学未来塾
  • 発表場所: 東京農工大学、東京都
• [学会発表] トリハライド気相成長法を用いたN極性窒化ガリウムの高温成長 (2016)
  • 著者名/発表者名: 引田和宏，竹川直, 松田華蓮, 林田直人, 村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第5回結晶工学未来塾
  • 発表場所: 東京農工大学、東京都
• [学会発表] 無極性、半極性面バルクGaN基板上へのTHVPE成長 (2016)
  • 著者名/発表者名: 松田華蓮、磯憲司、竹川直、引田和宏、林田直人、村上尚、纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第5回結晶工学未来塾
  • 発表場所: 東京農工大学、東京都
• [学会発表] トリハライド気相成長法を用いた擬平衡結晶面とウルフ図作成 (2016)
  • 著者名/発表者名: 磯憲司、松田華蓮、竹川直、引田和宏、林田直人、村上尚、纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第5回結晶工学未来塾
  • 発表場所: 東京農工大学、東京都