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実現する原子配置と材料物性値の計算手法の開発とIV族半導体結晶の高品位化への適用

研究課題

研究課題/領域番号 16K04950
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 結晶工学
研究機関岡山県立大学

研究代表者

末岡 浩治  岡山県立大学, 情報工学部, 教授 (30364095)

研究分担者 山本 秀和  千葉工業大学, 工学部, 教授 (00581141)
中塚 理  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20334998)
研究協力者 山本 秀和  
中塚 理  
研究期間 (年度) 2016-10-21 – 2019-03-31
研究課題ステータス 完了 (2018年度)
配分額 *注記
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
キーワード第一原理計算 / 統計熱力学 / IV族半導体 / 原子配置 / 材料物性値 / シリコン単結晶 / 太陽電池 / パワーデバイス用シリコン / 大口径シリコン結晶 / 半導体 / 熱統計力学
研究成果の概要

本研究の目的は,実現する原子配置と材料物性値を計算により求める手法を開発し,この計算手法を適用することにより,現代の電子デバイスの主流材料であるSi結晶を中心とするIV族半導体の高品位化に貢献することである.
得られた主要な成果は(1)置換位置と格子間位置の両方を考慮した,独立な原子配置と各配置における等価な配置数を算出するプログラムを作成し,(2)第一原理計算の結果を統計力学的に扱うことによる,実現する原子配置と材料物性値の算出手法を開発し,(3)本手法をSi結晶などIV族半導体の3つの研究課題に適用し,成長中の大口径CZ-Si結晶中の点欠陥濃度分布の予測を可能としたことなどである.

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究により開発した材料物性に関する計算手法はこれまで報告はなく独創性が高い.この手法は汎用性が高く,ダイヤモンド構造を有するIV族半導体の諸問題に適用可能である.とくに,450 mm直径無欠陥Si結晶について提示した育成条件は,わが国のSi結晶メーカにとって極めて有益なデータとなる.また,パワーデバイス用Si結晶中のライフタイム制御欠陥の構造変化機構の解明や太陽電池用IV族混晶系半導体における置換位置を占める添加元素の割合とバンドギャップの予測についての成果は,IV族半導体を用いた電子デバイスの高性能化につながる主要な成果であり,産業界において結晶の品質改善や製品の開発加速に寄与する.

報告書

(4件)
  • 2018 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2017 実施状況報告書
  • 2016 実施状況報告書
  • 研究成果

    (44件)

すべて 2019 2018 2017 2016 その他

すべて 国際共同研究 (3件) 雑誌論文 (18件) (うち国際共著 5件、 査読あり 18件) 学会発表 (23件) (うち国際学会 9件、 招待講演 7件)

  • [国際共同研究] STR Group, Inc. - Soft Impact, Ltd(ロシア連邦)

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [国際共同研究] ゲント大学(ベルギー)

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
  • [国際共同研究] ワルシャワ工科大学(ポーランド)

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
  • [雑誌論文] Computer Simulation of Concentration Distribution of Intrinsic Point Defect Valid for All Pulling Conditions in Large-Diameter Czochralski Si Crystal Growth2019

    • 著者名/発表者名
      Koji Sueoka, Yuji Mukaiyama, Susumu Maeda, Masaya Iizuka, and Vasif Mamedov
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 8 号: 4 ページ: P228-P238

    • DOI

      10.1149/2.0011904jss

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Density Functional Theory Study on Defect Behavior Related to the Bulk Lifetime of Silicon Crystals for Power Device Application2019

    • 著者名/発表者名
      Tsuchiya Daiki、Sueoka Koji、Yamamoto Hidekazu
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 2019 号: 10 ページ: 1800615-1800615

    • DOI

      10.1002/pssa.201800615

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Point Defect Reaction in Silicon Wafers by Rapid Thermal Processing at More Than 1300°C Using an Oxidation Ambient2019

    • 著者名/発表者名
      Sudo Haruo、Nakamura Kozo、Maeda Susumu、Okamura Hideyuki、Izunome Koji、Sueoka Koji
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 8 号: 1 ページ: P35-P40

    • DOI

      10.1149/2.0121901jss

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Gettering Sinks for Metallic Impurities Formed by Carbon-Cluster Ion Implantation in Epitaxial Silicon Wafers for CMOS Image Sensor2018

    • 著者名/発表者名
      Onaka-Masada Ayumi、Okuyama Ryosuke、Shigematsu Satoshi、Okuda Hidehiko、Kadono Takeshi、Hirose Ryo、Koga Yoshihiro、Sueoka Koji、Kurita Kazunari
    • 雑誌名

      IEEE Journal of the Electron Devices Society

      巻: 6 ページ: 1200-1206

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2872976

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Gettering mechanism in hydrocarbon-molecular-ion-implanted epitaxial silicon wafers revealed by three-dimensional atom imaging2018

    • 著者名/発表者名
      Onaka-Masada Ayumi、Okuyama Ryosuke、Nakai Toshiro、Shigematsu Satoshi、Okuda Hidehiko、Kobayashi Koji、Hirose Ryo、Kadono Takeshi、Koga Yoshihiro、Shinohara Masanori、Sueoka Koji、Kurita Kazunari
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 号: 9 ページ: 091302-091302

    • DOI

      10.7567/jjap.57.091302

    • NAID

      210000149622

    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 単結晶Ge薄膜の表面極近傍におけるC,Sn原子の安定配置に関する第一原理解析2018

    • 著者名/発表者名
      只野 快,末岡 浩治
    • 雑誌名

      日本機械学会論文集

      巻: 84 号: 858 ページ: 17-00542-17-00542

    • DOI

      10.1299/transjsme.17-00542

    • NAID

      130006401867

    • ISSN
      2187-9761
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stability of Excess Oxygen Atoms near Oxide Precipitate and Oxygen Solubility in Silicon Crystal2018

    • 著者名/発表者名
      Eiji Kamiyama and Koji Sueoka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 7 号: 3 ページ: P102-P108

    • DOI

      10.1149/2.0101803jss

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Systematic Density Functional Theory Investigation of Stability of Dopant Atoms in Ge Ultra-Thin Film Grown on Si Substrate2017

    • 著者名/発表者名
      Jun Inagakia and Koji Sueoka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 6 号: 4 ページ: P154-P160

    • DOI

      10.1149/2.0191704jss

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Density Functional Theory Calculations of Atomic Configurations and Bandgaps of C-, Ge-, and Sn-Doped Si Crystals for Solar Cells2017

    • 著者名/発表者名
      Kento Toyosaki and Koji Sueoka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 6 号: 5 ページ: P326-P331

    • DOI

      10.1149/2.0311705jss

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Density Functional Theory Study of the Stress Impact on Formation Enthalpy of Intrinsic Point Defect around Dopant Atom in Ge Crystal2017

    • 著者名/発表者名
      Shunta Yamaoka, Koji Kobayashi, and Koji Sueoka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 6 号: 7 ページ: P383-P398

    • DOI

      10.1149/2.0131707jss

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Density Functional Theory Study on Formation Energy and Diffusion Path of Metal Atom near Dopant in Si Crystals2017

    • 著者名/発表者名
      Atsuhiro Yamada and Koji Sueoka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 6 号: 4 ページ: P125-P131

    • DOI

      10.1149/2.0131704jss

    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical Study of Impact of Internal and External Stresses on Thermal Equilibrium Concentrations of Intrinsic Point Defects in Doped Si Crystals2017

    • 著者名/発表者名
      Koji Kobayashi, Shunta Yamaoka, Koji Sueoka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State State Science and Technology

      巻: 6 号: 1 ページ: P78-P99

    • DOI

      10.1149/2.0261701jss

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Density functional theory study of stable configurations of substitutionaland interstitial C and Sn atoms in Si and Ge crystals2017

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Koyama, Koji Sueoka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 463 ページ: 110-115

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.01.054

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-principles calculation of atomic configurations of carbon and tin near the surface of a silicon thin film used for solar cells2017

    • 著者名/発表者名
      Kai Tadano, Koji Sueoka
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing

      巻: 63 ページ: 45-51

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2017.01.021

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Thermal equilibrium concentration of intrinsic point defects in heavily doped silicon crystals - Theoretical study of formation energy and formation entropy in area of influence by dopants -2017

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayashi, S. Yamaoka, K. Sueoka, J. Vanhellemont
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Theoretical study of the impact of stress and interstitial oxygen on the behavior of intrinsic point defects in growing Czochralski Si crystals2017

    • 著者名/発表者名
      K. Sueoka, K. Nakamura, J. Vanhellemont
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Density functional theory study of dopant effect on formation energy of intrinsic point defects in germanium crystals2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamaoka, K. Kobayashi, K. Sueoka, J. Vanhellemont
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Modeling of intrinsic point defect properties and clusteringduring single crystal silicon and germanium growth from a melt2017

    • 著者名/発表者名
      Jan Vanhellemont, Eiji Kamiyama, Kozo Nakamura, Piotr Spiewak, Koji Sueoka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中

    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] Computer Simulation of Concentration Distribution of Intrinsic Point Defect Valid for All Pulling Conditions in Large-Diameter Czochralski Si Crystal Growth2018

    • 著者名/発表者名
      Koji Sueoka, Yuji Mukaiyama, Susumu Maeda, Masaya Iizuka, and Vasif Mamedov
    • 学会等名
      ECS 2018 Fall Meeting (High Purity and High Mobility Semiconductors)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 第一原理計算によるSi 結晶中のライフタイム制御欠陥の挙動解析2018

    • 著者名/発表者名
      土屋大輝,末岡浩治,山本秀和
    • 学会等名
      パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会(第6回)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Si結晶育成中の点欠陥挙動に与えるドーパントと熱応力の影響2018

    • 著者名/発表者名
      末岡浩治
    • 学会等名
      日本学術振興会第145委員会 第159回研究会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 大口径CZ-Si結晶育成における点欠陥挙動の数値シミュレーション2018

    • 著者名/発表者名
      末岡 浩治, 向山 裕次,前田 進,飯塚 将也,バシフ マメドフ
    • 学会等名
      第31回計算力学講演会(CMD2018)
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] Si中のフレンケルペア形成・再結合過程に関する第一原理解析2018

    • 著者名/発表者名
      末岡浩治
    • 学会等名
      2018年秋季応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] 大口径CZ-Si結晶育成における点欠陥挙動の数値シミュレーション2018

    • 著者名/発表者名
      末岡 浩治, 向山 裕次,前田 進,飯塚 将也,バシフ マメドフ
    • 学会等名
      2018年秋季応用物理学会学術講演会
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
  • [学会発表] First-principles analysis of defect behavior related to the bulk lifetime of silicon crystals for power device application2018

    • 著者名/発表者名
      Tsuchiya Daiki, Sueoka Koji, Yamamoto Hidekazu
    • 学会等名
      E-MRS 2018 Spring Meeting
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles analysis on the stability of interstitial metal atoms near the (001) surface of Si wafer2018

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Nonoda and Koji Sueoka
    • 学会等名
      E-MRS 2018 Spring Meeting
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles analysis on Frenkel pair formation/annihilation in Si crystals2018

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Fukuda and Koji Sueoka
    • 学会等名
      E-MRS 2018 Spring Meeting
    • 関連する報告書
      2018 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles analysis on Frenkel pair formation/annihilation in Si crystals2018

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Fukuda and Koji Sueoka
    • 学会等名
      E-MRS Spring Meeting 2018
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Computer Simulation of Intrinsic Point Defect Behaviors Valid for All Pulling Conditions in Large-diameter Czochralski Si Crystal Growth2018

    • 著者名/発表者名
      Koji Sueoka, Shunta Yamaoka, Susumu Maeda, Yuji Mukaiyama, Masaya Iizuka andVasif M. Mamedov
    • 学会等名
      ECS Fall Meeting 2018
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Si基板の開発に資する第一原理計算 ~ 点欠陥の制御と不純物ゲッタリング ~2017

    • 著者名/発表者名
      末岡浩治
    • 学会等名
      電気化学会
    • 発表場所
      首都大学東京
    • 年月日
      2017-03-25
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] ゲッタリング技術開発に資する数値シミュレーション2017

    • 著者名/発表者名
      末岡浩治
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Si単結晶中のフレンケルペア形成に関する第一原理解析2017

    • 著者名/発表者名
      福田大晃,末岡浩治
    • 学会等名
      日本機械学会 第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] Si薄膜表面近傍におけるCとSnの原子配置および熱平衡濃度に関する第一原理解析2017

    • 著者名/発表者名
      只野快,末岡浩治
    • 学会等名
      日本機械学会 第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] 太陽電池用IV族混晶系半導体中の原子配置に関する第一原理解析2017

    • 著者名/発表者名
      小山広貴,末岡浩治
    • 学会等名
      日本機械学会 第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] Si単結晶育成時の熱応力の異方性が二次欠陥挙動に与える影響2017

    • 著者名/発表者名
      神山栄治,末岡浩治
    • 学会等名
      日本機械学会 第 30 回計算力学講演会(CMD2017)
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] GeSnC系薄膜の表面近傍におけるCとSn原子の形成エネルギーと熱平衡濃度の算出2017

    • 著者名/発表者名
      只野快,末岡浩治
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] IV族混晶系半導体中の原子配置に関する第一原理解析2017

    • 著者名/発表者名
      小山広貴,末岡浩治
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 関連する報告書
      2017 実施状況報告書
  • [学会発表] Density Functional Theory Study on Formation Energy and Diffusion Path of2016

    • 著者名/発表者名
      A. Yamada, K. Sueoka
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona, USA
    • 年月日
      2016-11-21
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] First Principles Analysis on Frenkel Pair Formation from Oxygen Clusters in Si2016

    • 著者名/発表者名
      H. Fukuda, K. Sueoka
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona, USA
    • 年月日
      2016-11-21
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Unified Model for the Impact of Thermal Stress and Doping on the Formation of Intrinsic Point Defects in Growing Si Crystal2016

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayashi, S. Yamaoka, K. Sueoka
    • 学会等名
      The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      Kona, USA
    • 年月日
      2016-11-21
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算 ~ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ~2016

    • 著者名/発表者名
      末岡浩治
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 関連する報告書
      2016 実施状況報告書
    • 招待講演

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公開日: 2016-10-24   更新日: 2020-03-30  

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