| 研究課題/領域番号 |
16K04961
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
小野 晋吾 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40370126)
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| 研究協力者 |
吉川 彰
黒澤 俊介
加瀬 征彦
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2018年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 真空紫外光 / フッ化物 / 薄膜 / フィールドエミッション / 真空紫外 / 発光素子 / 光物性 / フィールドエミッションランプ / 蛍光体 |
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| 研究成果の概要 |
電子線励起蛍光を利用した高出力真空紫外光源を実現するため、 高い発光効率と高い電子線耐性を持つ Nd3+:LuF3薄膜化技術を確立すること目的とし、パルスレーザー堆積法におけるフッ化物薄膜のフッ素脱離を調査し、薄膜の品質としてはより高レーザーパワーかつ低基板温度で薄膜を作製するとフッ素の 脱離が発生することが確認した。成膜後の薄膜に対してアニール処理を施すことにより、薄膜の品質改善が可能であることを確認した。このようにして作製した高品質薄膜を用いて、真空紫外フィールドエミッションランプを試作した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
半導体製造、表面改質や水質浄化などの応用分野において、広く実用化されている真空紫外光源は、エキシマレーザーを除けば、重水素ランプなどのガス光源のみである。このガス光源は紫外領域で広域にわたって発光し、その出力も高いが、蛍光体として気体を用いているために、大型で、寿命も短く、また高価なことが問題である。本研究で開発した真空紫外フィールドエミッションランプは従来の光源に対して、寿命、安定性、サイズなどの点において利点を持ち、実用的な真空紫外光源実現の端緒となることが期待できる。
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