| 研究課題/領域番号 |
16K05008
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 日本大学 (2017-2018)
大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 (2016) |
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研究代表者 |
高橋 由美子 日本大学, 理工学部, 研究員 (70339258)
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| 研究分担者 |
平野 馨一 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 准教授 (40218798)
早川 恭史 日本大学, 理工学部, 教授 (40307799)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2018年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | イメージング / 放射光 / X線 / トポグラフィー / ロッキングカーブ / 歪分布 / 歪 / 炭化ケイ素 |
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| 研究成果の概要 |
放射光を用いた斜入射トポグラフィーの光学系にアナライザ結晶を付加し、局所ロッキングカーブ法と組み合わせることによって一方位での測定で格子面間隔変化と格子面の傾きを分離可能にした。加えて非対称反射でX線侵入深さを制御することで面内方向の歪・変形・結晶性等の情報とその深さ方向の変化を定量的に把握できる新規の評価方法を確立した。本手法を用いてAlイオン注入SiC単結晶基板を観察し、イオン注入条件によって歪の状態が異なり、高濃度イオン注入試料では基板表面層に強い歪場が存在することが分かった。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では放射光斜入射トポグラフィーとロッキングカーブ法を組み合わせた新規単結晶評価方法を開発し、薄膜・単結晶基板等に対し、面内方向と深さ方向の情報とを併せ持つ評価方法を確立した。特に従来法では十分な情報が得られなかった広域歪分布の詳細な解析が可能になった。本手法を用いることで結晶成長研究の進展やデバイス技術の改善に有用な知見が期待できるためX 線結晶学や材料物性など基礎科学への貢献とともにパワーデバイス等の材料・デバイス開発やプロセス評価など、産業分野での応用が期待できる。
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