研究課題/領域番号 |
16K05408
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅰ
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研究機関 | 上智大学 |
研究代表者 |
欅田 英之 上智大学, 理工学部, 准教授 (50296886)
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研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2018年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2017年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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キーワード | コヒーレントフォノン / ポンププローブ分光 / ポンプ・プローブ測定 / 光物性 |
研究成果の概要 |
本研究はコヒーレントLОフォノンと半導体中の光キャリアとの相互作用を利用し、新たな電子物性測定技術の開拓を行うことを目的としている。まず、CdSe量子ドットを用い、コヒーレントフォノン信号の光生成キャリア数依存性を精密に調べた。キャリア数の増加とともにコヒーレントフォノンの生成が妨げられるのが観測された。 また、本研究では、GaAsやInPに対して二光子励起キャリアによるフォノン・プラズモン結合モードの生成をめざしている。そのためには、近赤外領域の極短パルス光源が必要である。そこで、非線形光学結晶であるBIBOを用い、パラメトリック増幅器の作製に成功した。
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
今回のCdSe量子ドットにおけるコヒーレントフォノン信号のキャリア数依存性の観測では、キャリア数の増加とともにコヒーレントフォノンの生成が妨げられるのが観測された。これはプレポンプパルスで作られた電子と正孔がドット内で個別に閉じ込められることによってそれぞれがフェルミオン的な性質を示し、その後のラマン過程を妨げていることによる。このことはCdSe量子ドットにおいて、電子系のコヒーレント操作によってフォノンの生成を制御できることを示唆している。
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