研究課題
基盤研究(C)
本研究では半導体量子ドットデバイスにおけるスピン軌道相互作用を評価するための手法についての研究を行ってきた。この手法では、スピン緩和レートの外部磁場、および結晶方位に対する試料の向きについての異方性を活用する。私たちはこの手法について開発を行い、また強磁場を用いて、量子ドットの詳細を明らかにした。またこれらの結果について、Physical Review LettersやNature Communicationsなどの国際誌で発表した。
本研究の学術的重要性は、半導体量子ドットにおけるスピン軌道相互作用について新しい評価手法を開発、実証したことである。これにより従来は不可能と思われてきた情報を推測することが可能となった。例えば、固体中に閉じ込められた単一電子の波動関数に関する情報である。この新しい手法を用いて、ライフタイムの長い量子ビットや、操作時間の短い量子ビット等、優れた特性を持つ半導体量子ビットの設計と作製を行うことができる。
すべて 2019 2018 2017 2016 その他
すべて 国際共同研究 (1件) 雑誌論文 (11件) (うち国際共著 11件、 査読あり 11件、 オープンアクセス 4件、 謝辞記載あり 3件) 学会発表 (14件) (うち国際学会 9件、 招待講演 5件)
Physical Review B
巻: 99 号: 8 ページ: 085308-085308
10.1103/physrevb.99.085308
巻: 99 号: 8 ページ: 85402-85402
10.1103/physrevb.99.085402
accepted for Physical Review Letters
巻: arxiv
巻: 98 号: 19 ページ: 195314-195314
10.1103/physrevb.98.195314
Nature Communications
巻: 9 号: 1 ページ: 3454-3454
10.1038/s41467-018-05879-x
Phys. Rev. B
巻: 97 号: 7 ページ: 1-16
10.1103/physrevb.97.075440
Scientific Reports
巻: 7 号: 1 ページ: 1-7
10.1038/s41598-017-12217-6
Physical Review Letters
巻: 119 号: 1 ページ: 1-6
10.1103/physrevlett.119.017701
巻: 117 号: 20 ページ: 206802-206802
10.1103/physrevlett.117.206802
巻: 93 号: 23 ページ: 235413-235413
10.1103/physrevb.93.235413
巻: 94 号: 7 ページ: 075416-075416
10.1103/physrevb.94.075416